SiC-Waferboot/-Turm

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ProduktDBeschreibung

Siliziumkarbid-Waferboote werden häufig als Waferhalter in Hochtemperaturdiffusionsprozessen verwendet.

Vorteile:

Hohe Temperaturbeständigkeit:Normalgebrauch bei 1800 ℃

Hohe Wärmeleitfähigkeit:entspricht Graphitmaterial

Hohe Härte:Härte nach Diamant, Bornitrid

Korrosionsbeständigkeit:starke Säure und Alkali haben keine Korrosion, die Korrosionsbeständigkeit ist besser als Wolframkarbid und Aluminiumoxid

Geringes Gewicht:geringe Dichte, ähnlich wie Aluminium

Keine Verformung: niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient

Thermoschockbeständigkeit:Es hält starken Temperaturschwankungen stand, widersteht Thermoschocks und weist eine stabile Leistung auf

 

Physikalische Eigenschaften von SiC

Eigentum Wert Verfahren
Dichte 3,21 g/cm³ Sink-Float und Dimension
Spezifische Wärme 0,66 J/g °K Gepulster Laserblitz
Biegefestigkeit 450 MPa560 MPa 4-Punkt-Bogen, RT4-Punkt-Bogen, 1300°
Bruchzähigkeit 2,94 MPa m1/2 Mikroindentation
Härte 2800 Vickers, 500 g Ladung
ElastizitätsmodulElastizitätsmodul 450 GPa430 GPa 4-Punkt-Bogen, RT4-Punkt-Bogen, 1300 °C
Körnung 2 – 10 µm Rasterelektronenmikroskop (SEM)

 

Thermische Eigenschaften von SiC

Wärmeleitfähigkeit 250 W/m °K Laser-Flash-Methode, RT
Wärmeausdehnung (CTE) 4,5 x 10-6 °K Raumtemperatur bis 950 °C, Silica-Dilatometer

 

 

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