Barca/torre per wafer di SiC

Immagine in evidenza della struttura a forma di barca/torre per wafer in SiC

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ProdottoDdescrizione

Le barchette porta wafer in carburo di silicio sono ampiamente utilizzate come supporti per wafer nei processi di diffusione ad alta temperatura.

Vantaggi:

Resistenza alle alte temperature:uso normale a 1800 ℃

Elevata conduttività termica:equivalente al materiale grafitico

Elevata durezza:durezza seconda solo al diamante, nitruro di boro

resistenza alla corrosione:Acidi e alcali forti non lo corrodono, la sua resistenza alla corrosione è migliore di quella del carburo di tungsteno e dell'allumina

Peso leggero:bassa densità, simile all'alluminio

Nessuna deformazione: basso coefficiente di dilatazione termica

resistenza agli shock termici:Può resistere a bruschi sbalzi di temperatura, sopportare shock termici e avere prestazioni stabili.

Proprietà fisiche del SiC

Proprietà	Valore	Metodo
Densità	3,21 g/cc	Galleggiamento e dimensione
Calore specifico	0,66 J/g °K	Lampo laser pulsato
Forza flessionale	450 MPa 560 MPa	piegatura a 4 punti, piegatura a 4 punti RT4, 1300°
tenacità alla frattura	2,94 MPa m1/2	Microindentazione
Durezza	2800	Vickers, carica da 500 g
Modulo elastico Modulo di Young	450 GPa 430 GPa	piegatura a 4 punti, piegatura RT4 punti, 1300 °C
Dimensione del grano	2 – 10 µm	SEM

Proprietà termiche del SiC

Conduttività termica	250 W/m °K	Metodo del flash laser, RT
Dilatazione termica (CTE)	4,5 x 10⁻⁶ °K	Temperatura ambiente fino a 950 °C, dilatometro in silice