SiC Wafer кайыгы/мунарасы

Кыскача сүрөттөмө:

Бизге электрондук кат жөнөтүңүз PDF форматында жүктөп алуу

Продукциянын чоо-жайы

Продукциянын тегдери

ПродуктDсүрөттөмө

Кремний карбидинин вафли кайыктары жогорку температурадагы диффузиялык процессте вафли кармагыч катары кеңири колдонулат.

Артыкчылыктары:

Жогорку температурага туруктуулук:1800 ℃ температурада кадимки колдонуу

Жогорку жылуулук өткөрүмдүүлүгү:графит материалына барабар

Жогорку катуулук:Катуулугу боюнча алмаздан, бор нитридинен кийинки экинчи орунда турат

Коррозияга туруктуулук:күчтүү кислота жана щелочтор коррозияга дуушар болушпайт, коррозияга туруктуулугу вольфрам карбидине жана глиноземге караганда жакшыраак

Жеңил:тыгыздыгы төмөн, алюминийге жакын

Деформация жок: жылуулук кеңейүүсүнүн төмөн коэффициенти

Термикалык шокко туруктуулук:ал кескин температуранын өзгөрүшүнө туруштук бере алат, жылуулук шокторуна туруштук берет жана туруктуу иштөөгө ээ

SiC физикалык касиеттери

Мүлк	Баалуулук	Метод
Тыгыздык	3,21 г/см³	Раковинада калкып жүрүүчү түзүлүш жана өлчөмү
Өзгөчө жылуулук	0,66 Дж/г °К	Импульстук лазердик жаркылдоо
Ийилүүнүн күчү	450 МПа560 МПа	4 чекиттүү ийилүү, RT4 чекиттүү ийилүү, 1300°
Сыныктардын бышыктыгы	2.94 МПа м1/2	Микрочекинүү
Катуулугу	2800	Vicker's, 500 г
Серпилгичтүү модуль Жаштын модулу	450 ГПа 430 ГПа	4 пт ийилүү, RT4 пт ийилүү, 1300 °C
Дандын өлчөмү	2 – 10 мкм	SEM

SiC жылуулук касиеттери

Жылуулук өткөрүмдүүлүгү	250 Вт/м °K	Лазердик жаркылдатуу ыкмасы, RT
Жылуулук кеңейүүсү (ЖКК)	4,5 x 10-6 °K	Бөлмө температурасы 950 °C чейин, кремний дилатометри