Ubwato/Umunara wa SiC Wafer

Ibisobanuro bigufi:

Ohereza imeri kuri twe Kuramo nka PDF

Ibisobanuro birambuye ku gicuruzwa

Ibirango by'ibicuruzwa

IgicuruzwaDibisobanuro

Ubwato bwa Wafer bwa Silicon carbide bukoreshwa cyane nk'aho wafer ifatwa mu gihe cyo gukwirakwiza ubushyuhe bwinshi.

Ibyiza:

Ubudahangarwa bw'ubushyuhe bwinshi:ikoreshwa risanzwe kuri 1800 ℃

Ubushyuhe bwinshi butwara umuvuduko mwinshi:bingana n'ibikoresho bya grafiti

Ubukomere bwinshi:Ubukomere bwa kabiri nyuma ya diyama, boroni nitride

Ubudahangarwa bw'inkongi:aside ikomeye na alkali nta ngeso mbi bifite, ubudahangarwa bw'ingeso mbi ni bwiza kurusha tungsten carbide na alumina

Uburemere bworoheje:ubucucike buke, hafi ya aluminiyumu

Nta guhindura imiterere y'umubiri: igipimo gito cyo kwaguka k'ubushyuhe

Ubudahangarwa bw'ingufu ziterwa n'ubushyuhe:Ishobora kwihanganira impinduka zikomeye z'ubushyuhe, kurwanya impanuka y'ubushyuhe, kandi ikagira imikorere ihamye

Imiterere ifatika ya SiC

Umutungo	Agaciro	Uburyo
Ubucucike	3.21 g/cc	Igipimo n'ingano ya sinki
Ubushyuhe bwihariye	0.66 J/g °K	Umuriro wa laser urimo guhumeka
Imbaraga zo koroha	450 MPa560 MPa	Impande 4, Impande 4, 1300°
Gukomera kw'imvune	2.94 MPa m1/2	Kwinjirira mu kantu gato
Ubukomere	2800	Vicker's, umutwaro wa garama 500
Modulus ya Elastic ya Young	450 GPa430 GPa	Ubushyuhe bwa 4 pt, ubushyuhe bwa RT4 pt, 1300 °C
Ingano y'ingano	2 – 10 µm	SEM

Imiterere y'ubushyuhe bwa SiC

Ubushobozi bwo gutwara ubushyuhe	250 W/m °K	Uburyo bwa laser flash, RT
Kwagura Ubushyuhe (CTE)	4.5 x 10-6 °K	Ubushyuhe bw'icyumba bugera kuri 950 °C, silika dilatometer