SiC Wafer Boat/Tower

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ຜະລິດຕະພັນDບົດບັນທຶກ

Silicon carbide Wafer Boat ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງເປັນຕົວຍຶດ wafer ໃນຂະບວນການກະຈາຍຂອງອຸນຫະພູມສູງ.

ຂໍ້ດີ:

ຄວາມຕ້ານທານອຸນຫະພູມສູງ:ການນໍາໃຊ້ປົກກະຕິຢູ່ທີ່ 1800 ℃

ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ:ທຽບເທົ່າກັບວັດສະດຸ graphite

ຄວາມແຂງສູງ:ຄວາມແຂງເປັນອັນດັບສອງພຽງແຕ່ເພັດ, boron nitride

ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ການກັດກ່ອນ:ອາຊິດທີ່ເຂັ້ມແຂງແລະເປັນດ່າງບໍ່ມີການກັດກ່ອນ, ການຕໍ່ຕ້ານ corrosion ແມ່ນດີກວ່າ tungsten carbide ແລະ alumina.

ນ້ຳໜັກເບົາ:ຄວາມຫນາແຫນ້ນຕ່ໍາ, ໃກ້ກັບອາລູມິນຽມ

ບໍ່ມີຮູບຮ່າງ: ຄ່າສໍາປະສິດຕ່ໍາຂອງການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ

ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນ:ມັນສາມາດທົນທານຕໍ່ການປ່ຽນແປງອຸນຫະພູມແຫຼມ, ຕ້ານການຊ໊ອກຄວາມຮ້ອນ, ແລະມີການປະຕິບັດທີ່ຫມັ້ນຄົງ

ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບຂອງ SiC

ຊັບສິນ	ມູນຄ່າ	ວິທີການ
ຄວາມຫນາແຫນ້ນ	3.21 g/cc	Sink-float ແລະຂະຫນາດ
ຄວາມຮ້ອນສະເພາະ	0.66 J/g °K	ກະພິບ laser flash
ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Flexural	450 MPa560 MPa	4 ຈຸດງໍ, RT4 ຈຸດງໍ, 1300°
ຄວາມທົນທານຂອງກະດູກຫັກ	2.94 MPa m1/2	Microindentation
ຄວາມແຂງ	2800	Vicker's, ໂຫຼດ 500g
Modulus ຂອງ Elastic ModulusYoung	450 GPa 430 GPa	4 pt ງໍ, RT4 pt ງໍ, 1300 °C
ຂະໜາດເມັດ	2 – 10 µm	SEM

ຄຸນສົມບັດຄວາມຮ້ອນຂອງ SiC

ການນໍາຄວາມຮ້ອນ	250 W/m °K	ວິທີການແຟດເລເຊີ, RT
ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (CTE)	4.5 x 10-6 °K	ອຸນຫະພູມຫ້ອງເຖິງ 950 ອົງສາເຊ, ຊິລິກາ dilatometer