เรือ/หอคอยเวเฟอร์ SiC

คำอธิบายโดยย่อ:

ส่งอีเมลถึงเรา ดาวน์โหลดเป็นไฟล์ PDF

รายละเอียดสินค้า

แท็กสินค้า

ผลิตภัณฑ์Dคำอธิบาย

แท่นวางเวเฟอร์ที่ทำจากซิลิคอนคาร์ไบด์ถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในฐานะตัวยึดเวเฟอร์ในกระบวนการแพร่ความร้อนสูง

ข้อดี:

ทนต่ออุณหภูมิสูง:ใช้งานปกติที่อุณหภูมิ 1800 ℃

การนำความร้อนสูง:เทียบเท่ากับวัสดุกราไฟต์

ความแข็งสูง:ความแข็งเป็นรองเพียงเพชรเท่านั้น คือ โบรอนไนไตรด์

ความต้านทานการกัดกร่อน:กรดและด่างเข้มข้นไม่ก่อให้เกิดการกัดกร่อน ความต้านทานการกัดกร่อนดีกว่าทังสเตนคาร์ไบด์และอะลูมินา

น้ำหนักเบา:ความหนาแน่นต่ำ ใกล้เคียงกับอะลูมิเนียม

ไม่มีการเสียรูป: ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนต่ำ

ความต้านทานต่อการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างฉับพลัน:สามารถทนต่อการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างฉับพลัน ทนต่อการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างกะทันหัน และมีประสิทธิภาพการทำงานที่เสถียร

คุณสมบัติทางกายภาพของ SiC

คุณสมบัติ	ค่า	วิธี
ความหนาแน่น	3.21 กรัม/ซีซี	การจม-ลอย และมิติ
ความร้อนจำเพาะ	0.66 จูล/กรัม °K	แสงเลเซอร์แบบพัลส์
ความแข็งแรงดัดงอ	450 MPa 560 MPa	ข้อต่อโค้ง 4 จุด, ข้อต่อโค้ง RT4, 1300°
ความทนทานต่อการแตกหัก	2.94 MPa m1/2	การกดขนาดเล็ก
ความแข็ง	2800	กระสุน Vickers ขนาด 500 กรัม
โมดูลัสความยืดหยุ่น โมดูลัสของยัง	450 GPa 430 GPa	ข้อต่อโค้ง 4 จุด, ข้อต่อโค้ง RT4 จุด, 1300 °C
ขนาดเมล็ด	2 – 10 ไมโครเมตร	SEM

คุณสมบัติทางความร้อนของ SiC

การนำความร้อน	250 วัตต์/เมตร °K	วิธีการแฟลชเลเซอร์, RT
การขยายตัวทางความร้อน (CTE)	4.5 x 10-6 °K	อุณหภูมิห้องถึง 950 °C, เครื่องวัดการขยายตัวซิลิกา