SiC Wafer Завь/Цамхаг

Товч тайлбар:

Бидэнд имэйл илгээх PDF хэлбэрээр татаж авах

Бүтээгдэхүүний дэлгэрэнгүй мэдээлэл

Бүтээгдэхүүний шошго

БүтээгдэхүүнDтодорхойлолт

Цахиурын карбидын вафли завийг өндөр температурт диффузийн процесст вафли эзэмшигч болгон өргөн ашигладаг.

Давуу талууд:

Өндөр температурт тэсвэртэй байдал:1800 ℃-д хэвийн хэрэглээ

Өндөр дулаан дамжуулалт:бал чулуун материалтай тэнцүү

Өндөр хатуулаг:хатуулаг нь алмаз, борын нитридийн дараа хоёрдугаарт ордог

Зэврэлтээс хамгаалах чадвар:Хүчтэй хүчил ба шүлт нь зэврэлтгүй, зэврэлтэнд тэсвэртэй байдал нь вольфрамын карбид ба хөнгөнцагаанаас илүү сайн байдаг

Хөнгөн жин:бага нягтралтай, хөнгөн цагаантай ойролцоо

Деформаци байхгүй: дулааны тэлэлтийн бага коэффициент

Дулааны цохилтын эсэргүүцэл:Энэ нь температурын огцом өөрчлөлтийг тэсвэрлэх чадвартай, дулааны цочролыг эсэргүүцдэг бөгөөд тогтвортой гүйцэтгэлтэй байдаг

SiC-ийн физик шинж чанарууд

Үл хөдлөх хөрөнгө	Үнэ цэнэ	Арга
Нягтрал	3.21 г/см³	Угаалтуур-хөвөгч ба хэмжээс
Тодорхой дулаан	0.66 Ж/г °K	Импульсийн лазер флаш
Гулзайлтын хүч	450 МПа560 МПа	4 цэгийн нугалаа, RT4 цэгийн нугалаа, 1300°
Хагарлын бат бөх чанар	2.94 МПа м1/2	Бичил доголдол
Хатуулаг	2800	Викерс, 500г ачаатай
Уянгын модуль	450 ГПа430 ГПа	4 pt нугалах, RT4 pt нугалах, 1300 °C
Үр тарианы хэмжээ	2 – 10 µм	SEM

SiC-ийн дулааны шинж чанарууд

Дулаан дамжуулалт	250 Вт/м °K	Лазер флаш арга, RT
Дулааны тэлэлт (ДТТ)	4.5 x 10-6 °K	Өрөөний температур 950 °C хүртэл, цахиурын дилатометр