ỌjàDàpèjúwe
A nlo ọkọ oju omi Silikoni carbide Wafer pupọ gẹgẹbi ohun elo mimu wafer ninu ilana itankale otutu giga.
Àwọn àǹfààní:
Agbara iwọn otutu giga:lilo deede ni 1800 ℃
Agbara itanna ooru giga:deede si ohun elo graphite
Agbara giga:líle tí ó wà lẹ́yìn dáyámọ́ǹdì, boron nitride nìkan
Àìfaradà ìbàjẹ́:Àsídì alágbára àti alkali kò ní ìbàjẹ́ kankan, ìdènà ìjẹrà sàn ju tungsten carbide àti alumina lọ
Ìwúwo fẹ́ẹ́rẹ́fẹ́:iwuwo kekere, nitosi aluminiomu
Ko si iyipada: ìwọ̀n ìfàsẹ́yìn ooru kékeré
Agbara mọnamọna gbona:Ó lè fara da àwọn ìyípadà otutu gbígbóná, ó lè kojú ìpayà ooru, ó sì ní iṣẹ́ tó dúró ṣinṣin
Àwọn Ohun-ìní Ti ara ti SiC
| Ohun ìní | Iye | Ọ̀nà |
| Ìwọ̀n | 3.21 g/cc | Síńkì-léfòó àti ìwọ̀n |
| Ooru pàtó kan | 0.66 J/g °K | Fíláṣì lésà tí a lù |
| Agbára ìrọ̀rùn | 450 MPa560 MPa | Ìtẹ̀sí 4, ìtẹ̀sí 4, 1300° |
| Líle ìfọ́ | 2.94 MPa m1/2 | Ìfàmọ́ra kékeré |
| Líle | 2800 | Vicker's, ẹrù 500g |
| Modulus Elastic ti Young | 450 GPa430 GPa | Ìtẹ̀ 4 pt, ìtẹ̀ 4 pt, 1300 °C |
| Ìwọ̀n ọkà | 2 – 10 µm | SEM |
Àwọn Ohun Ìní Ooru ti SiC
| Ìgbékalẹ̀ Ooru | 250 W/m °K | Ọ̀nà ìfìlàsí lésà, RT |
| Ìfàsẹ́yìn Ooru (CTE) | 4.5 x 10-6 °K | Iwọn otutu yara si 950 °C, silica dilatometer |
