SiC plokštelinis laivas / bokštas

Produkto informacija

ProduktasDaprašymas

Silicio karbido plokštelės yra plačiai naudojamos kaip plokštelių laikiklis aukštos temperatūros difuzijos procese.

Privalumai:

Atsparumas aukštai temperatūrai:įprastas naudojimas esant 1800 ℃

Didelis šilumos laidumas:grafito medžiagai prilygstantis

Didelis kietumas:kietumas antras po deimanto, boro nitrido

Atsparumas korozijai:Stiprios rūgštys ir šarmai neturi korozijos, atsparumas korozijai yra geresnis nei volframo karbido ir aliuminio oksido

Lengvas svoris:mažo tankio, artimo aliuminiui

Nėra deformacijos: mažas šiluminio plėtimosi koeficientas

Atsparumas terminiam smūgiui:Jis gali atlaikyti staigius temperatūros pokyčius, atsispirti terminiam šokui ir pasižymi stabiliu veikimu

SiC fizinės savybės

Nekilnojamasis turtas	Vertė	Metodas
Tankis	3,21 g/cm³	Kriauklės plūdė ir matmuo
Savitoji šiluma	0,66 J/g °K	Impulsinis lazerinis blyksnis
Lenkimo stipris	450 MPa560 MPa	4 taškų lenkimas, RT4 taškų lenkimas, 1300°
Atsparumas lūžiams	2,94 MPa m1/2	Mikroįdubimas
Kietumas	2800	Vickerio, 500 g įkrova
Tamprumo modulisJungo modulis	450 GPa430 GPa	4 pt lenkimas, RT4 pt lenkimas, 1300 °C
Grūdų dydis	2–10 µm	Paieškos sistemų rinkodara

SiC terminės savybės

Šilumos laidumas	250 W/m² °K	Lazerinio blyksnio metodas, RT
Šiluminis plėtimasis (CTE)	4,5 x 10⁻⁶ °K	Kambario temperatūra iki 950 °C, silicio dilatometras