Epitaxial Epi Graphite Faass Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Faass Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Faass Susceptorass eng speziell entwéckelt Ënnerstëtzungs- an Heizvorrichtung, déi benotzt gëtt fir Hallefleedersubstrater während Fabrikatiounsprozesser wéi Oflagerungs- oder Epitaxieprozesser ze halen an ze hëtzen.

Seng Struktur ëmfaasst typescherweis zylindresch oder liicht fatfërmeg, d'Uewerfläch huet verschidde Täsche oder Plattforme fir d'Plazéierung vun de Waferen, a kann massiv oder huel sinn, ofhängeg vun der Heizmethod.

Déi wichtegst Funktiounen vum epitaktischen Barrel-Susceptor:

1. Waferträger a Temperaturkontroll
D'Susceptoruewerfläch ass mat verschiddene Wafer-Taschen (wéi hexagonal oder aachteckeg) entworf, déi 6-15 Wafer gläichzäiteg ënnerstëtze kënnen. Déi héich Wärmeleitfäegkeet vum héichreine Graphit (120-150W/mK) garantéiert eng séier Wärmeiwwerdroung, kombinéiert mat der Rotatiounsfunktioun (5-20 RPM), wat zu enger Ofwäichung vun der Waferuewerflächentemperatur vun <± 1 ℃ an enger Uniformitéit vun der epitaktischer Schichtdicke vun <1% féiert.

2. Optimiséierung vun der Flossrichtung vum Reaktantgas
D'Mikrostruktur vun der Susceptoruewerfläch kann den Grenzschichteffekt briechen, wouduerch eng gläichméisseg Verdeelung vu Reaktiounsgase (wéi SiH4, NH3) méiglech ass an d'Konsistenz vun der Oflagerungsquote verbessert gëtt.

3. Schutz géint Verschmotzung a Korrosioun
Graphitsubstrater si ufälleg fir Zersetzung a fräisetzen Metallverunreinheeten (wéi Fe, Ni) bei héijen Temperaturen, während eng 100 μm déck CVD SiC Beschichtung eng dicht Barrière ka bilden, fir d'Verflüchtegung vu Graphit z'ënnerdrécken, wat zu enger Wafer-Defektrate vu <0,1 Defekter/cm² féiert.

Uwendungen:
-Haaptsächlech fir Silizium epitaxial Wuesstem benotzt
-Och gëeegent fir d'Epitaxie vun anere Hallefleedermaterialien wéi GaAs, InP, etc.

VET Energy benotzt héichreine Graphit mat CVD-SiC Beschichtung fir d'chemesch Stabilitéit ze verbesseren:

1. Héichreinheetsgrafitmaterial
Héich thermesch Konduktivitéit: D'thermesch Konduktivitéit vu Graphit ass dräimol sou héich wéi déi vu Silizium, wat d'Hëtzt séier vun der Heizquell op de Wafer transferéiere kann an d'Heizzäit verkierzt.
Mechanesch Stäerkt: Isostatesch Drockgrafitdicht ≥ 1,85 g/cm³, fäeg héijen Temperaturen iwwer 1200 ℃ ouni Verformung standzehalen.

2. CVD SiC Beschichtung
Eng β-SiC-Schicht gëtt op der Uewerfläch vum Graphit duerch chemesch Gasoflagerung (CVD) geformt, mat enger Rengheet vun ≥ 99,99995%, de Gläichheetsfehler vun der Beschichtungsdicke ass manner wéi ± 5%, an d'Uewerflächenrauheet ass manner wéi Ra0,5um.

3. Leeschtungsverbesserung:
Korrosiounsbeständegkeet: kann héich korrosive Gaser wéi Cl2, HCl, etc. standhalen, kann d'Liewensdauer vun der GaN-Epitaxie an der NH3-Ëmwelt ëm dräimol verlängeren.
Thermesch Stabilitéit: De Koeffizient vun der thermescher Ausdehnung (4,5 × 10⁻⁶/℃) entsprécht dem Graphit, fir Rëssbildung an der Beschichtung ze vermeiden, déi duerch Temperaturschwankungen verursaacht gëtt.
Häert a Verschleißbeständegkeet: D'Vickers-Häert erreecht 28 GPa, wat 10 Mol méi héich ass wéi Graphit a kann de Risiko vu Wafer-Kratzer reduzéieren.