-
Numeresch Simulatiounsstudie iwwer den Effekt vu porösem Graphit op de Wuesstum vu Siliziumcarbidkristaller
De Basisprozess vum SiC-Kristallwuesstum ass opgedeelt an Sublimatioun an Zersetzung vu Réistoffer bei héijer Temperatur, Transport vu Gasphas-Substanzen ënner der Aktioun vum Temperaturgradient, a Rekristalliséierungswuesstum vu Gasphas-Substanzen um Keimkristall. Op Basis dovun,...Liest méi -
Aarte vu spezielle Grafit
Spezialgrafit ass e Grafitmaterial mat héijer Rengheet, héijer Dicht a héijer Stäerkt a weist eng exzellent Korrosiounsbeständegkeet, héich Temperaturstabilitéit a gutt elektresch Leetfäegkeet. E gëtt aus natierlechem oder künstleche Grafit hiergestallt, nodeems en héichtemperaturéiert an héichdrockveraarbecht gouf...Liest méi -
Analyse vun Dënnschichtoflagerungsausrüstung – d'Prinzipien an Uwendungen vun der PECVD/LPCVD/ALD-Ausrüstung
Dënnschichtoflagerung ass d'Beschichtung vun enger Schicht Film op dem Haaptsubstratmaterial vum Hallefleeder. Dëse Film kann aus verschiddene Materialien hiergestallt ginn, wéi zum Beispill Isolatiounsverbindung Siliziumdioxid, Hallefleederpolysilizium, Metallkoffer, etc. D'Ausrüstung, déi fir d'Beschichtung benotzt gëtt, gëtt Dënnschichtoflagerung genannt...Liest méi -
Wichteg Materialien, déi d'Qualitéit vum monokristalline Siliziumwuesstum bestëmmen – thermescht Feld
De Wuesstumsprozess vu monokristallinem Silizium gëtt komplett am thermesche Feld duerchgefouert. E gutt thermescht Feld ass bäidroe fir d'Qualitéit vun de Kristaller ze verbesseren an huet eng méi héich Kristallisatiounseffizienz. Den Design vum thermesche Feld bestëmmt gréisstendeels d'Ännerungen an den Temperaturgradienten...Liest méi -
Wat sinn déi technesch Schwieregkeeten vun engem Siliziumkarbid-Kristallwachstufeuewen?
Den Kristallwuesstumsuewen ass déi zentral Ausrüstung fir Siliziumkarbidkristallwuesstum. En ass ähnlech wéi den traditionellen Kristallwuesstumsuewen aus kristallinem Silizium. D'Uewenstruktur ass net ganz komplizéiert. En besteet haaptsächlech aus dem Uewekierper, dem Heizsystem, dem Spuleniwwerdroungsmechanismus...Liest méi -
Wat sinn d'Mängel vun der epitaktischer Schicht vu Siliziumkarbid?
Déi zentral Technologie fir de Wuesstum vun epitaktischen SiC-Materialien ass als éischt d'Technologie vun der Defektkontroll, besonnesch fir d'Technologie vun der Defektkontroll, déi ufälleg fir Apparatausfäll oder Zouverlässegkeetsverschlechterung ass. D'Studie vum Mechanismus vu Substratdefekter, déi sech bis an d'Epi...Liest méi -
Oxidéiert stänneg Kären an epitaktesch Wuesstechnologie-Ⅱ
2. Epitaktesch Dënnschichtwuesstum De Substrat bitt eng kierperlech Ënnerstëtzungsschicht oder leetend Schicht fir Ga2O3-Energieversuergungsgeräter. Déi nächst wichteg Schicht ass d'Kanalschicht oder epitaktesch Schicht, déi fir Spannungswiderstand an Trägertransport benotzt gëtt. Fir d'Duerchbrochspannung ze erhéijen an d'Kontrollen ze minimiséieren...Liest méi -
Galliumoxid-Eenkristall- a epitaktesch Wuesstechnologie
Breetbandlücke-Halbleiter (WBG), déi duerch Siliziumkarbid (SiC) a Galliumnitrid (GaN) representéiert ginn, hunn eng breet Opmierksamkeet kritt. D'Leit hunn héich Erwaardungen un d'Uwendungsperspektive vu Siliziumkarbid an Elektroautoen a Stroumnetz, souwéi un d'Uwendungsperspektive vu Gallium...Liest méi -
Wat sinn déi technesch Barrièren fir Siliziumkarbid?
Zu den technesche Schwieregkeeten bei der stabiler Masseproduktioun vun héichwäertege Siliziumcarbid-Wafers mat stabiler Leeschtung gehéieren: 1) Well Kristaller an enger versiegelter Ëmfeld mat héijer Temperatur iwwer 2000°C wuessen mussen, sinn d'Ufuerderunge fir d'Temperaturkontroll extrem héich; 2) Well Siliziumcarbid ...Liest méi