Карбід кремнію (SiC) може бути отриманий методом хімічного осадження з парової фази (CVD), перетворенням прекурсора, плазмовим напиленням тощо. Покриття, отримане методом ХІМІЧНОГО осадження з парової фази, є однорідним і компактним, а також має хорошу оброблюваність. Використання метилтрихлосилану (CH2SiCl3, MTS) як джерела кремнію, покриття SiC, отримане методом CVD, є відносно зрілим методом нанесення цього покриття.
Карбід-кремнієве покриття та графіт мають добру хімічну сумісність, різниця в коефіцієнтах теплового розширення між ними невелика, використання карбід-кремнієвого покриття може ефективно покращити зносостійкість та стійкість до окислення графітового матеріалу. Серед них стехіометричне співвідношення, температура реакції, газ розбавлення, газ домішок та інші умови мають великий вплив на реакцію.
Час публікації: 14 вересня 2022 р.