Salutan SiC boleh disediakan melalui pemendapan wap kimia (CVD), transformasi prekursor, penyemburan plasma, dan sebagainya. Salutan yang disediakan melalui pemendapan wap KIMIA adalah seragam dan padat, serta mempunyai kebolehreka bentuk yang baik. Menggunakan metil triklosilana (CHzSiCl3, MTS) sebagai sumber silikon, salutan SiC yang disediakan melalui kaedah CVD adalah kaedah yang agak matang untuk penggunaan salutan ini.
Salutan SiC dan grafit mempunyai keserasian kimia yang baik, perbezaan pekali pengembangan haba antara keduanya adalah kecil, penggunaan salutan SiC dapat meningkatkan rintangan haus dan rintangan pengoksidaan bahan grafit dengan berkesan. Antaranya, nisbah stoikiometri, suhu tindak balas, gas pencairan, gas bendasing dan keadaan lain mempunyai pengaruh yang besar terhadap tindak balas.
Masa siaran: 14 Sep-2022