SiC покритието може да се получи чрез химическо отлагане от пари (CVD), трансформация на прекурсори, плазмено напръскване и др. Покритието, получено чрез ХИМИЧЕСКО отлагане от пари, е равномерно и компактно и има добра проектируемост. Използвайки метил трихлосилан (CH2SiCl3, MTS) като източник на силиций, SiC покритието, получено чрез CVD метод, е сравнително зрял метод за нанасяне на това покритие.
SiC покритието и графитът имат добра химическа съвместимост, разликата в коефициента на термично разширение между тях е малка, използването на SiC покритие може ефективно да подобри износоустойчивостта и окислителната устойчивост на графитния материал. Стехиометричното съотношение, температурата на реакцията, разреждащият газ, примесният газ и други условия оказват голямо влияние върху реакцията.
Време на публикуване: 14 септември 2022 г.