Eine oxidationsbeständige SiC-Beschichtung wurde mittels CVD-Verfahren auf der Graphitoberfläche hergestellt.

SiC-Beschichtungen können durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD), Präkursor-Transformation, Plasmaspritzen usw. hergestellt werden. Die durch chemische Gasphasenabscheidung hergestellte Beschichtung ist gleichmäßig und kompakt und lässt sich gut gestalten. Die CVD-Methode zur Herstellung von SiC-Beschichtungen unter Verwendung von Methyltrichlosilan (CH2SiCl3, MTS) als Siliziumquelle ist ein relativ ausgereiftes Verfahren zum Aufbringen dieser Beschichtung.
SiC-Beschichtung und Graphit weisen eine gute chemische Verträglichkeit auf, der Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten ist gering. Durch die Verwendung einer SiC-Beschichtung können die Verschleißfestigkeit und Oxidationsbeständigkeit von Graphitmaterial effektiv verbessert werden. Stöchiometrisches Verhältnis, Reaktionstemperatur, Verdünnungsgas, Verunreinigungsgas und andere Bedingungen haben großen Einfluss auf die Reaktion.