SiC каплавын химик пар белән каплау (CVD), прекурсор трансформациясе, плазма сиптерү һ.б. ысуллары белән әзерләргә мөмкин. ХИМИК пар белән каплау ысулы белән әзерләнгән каплау бердәм һәм компакт, һәм яхшы конструкцияләү сәләтенә ия. Кремний чыганагы буларак метилтрихлосилан (CHzSiCl3, MTS) кулланып, CVD ысулы белән әзерләнгән SiC каплавы бу каплауны куллану өчен чагыштырмача өлгергән ысул.
SiC каплавы һәм графит яхшы химик туры килүчәнлеккә ия, алар арасындагы җылылык киңәю коэффициенты аермасы аз, SiC каплавын куллану графит материалының тузуга чыдамлыгын һәм оксидлашуга чыдамлыгын нәтиҗәле рәвештә яхшырта ала. Алар арасында стехиометрик нисбәт, реакция температурасы, суюлту газы, катнашма газы һәм башка шартлар реакциягә зур йогынты ясый.
Бастырылган вакыты: 2022 елның 14 сентябре