O revestimento de SiC pode ser preparado por deposição química de vapor (CVD), transformação de precursores, aspersão por plasma, etc. O revestimento preparado por deposição química de vapor é uniforme e compacto, e possui boa capacidade de personalização. Utilizando metiltriclosilano (CH₃SiCl₃, MTS) como fonte de silício, o revestimento de SiC preparado pelo método CVD é um método relativamente consolidado para a aplicação desse revestimento.
O revestimento de SiC e o grafite apresentam boa compatibilidade química, com pequena diferença no coeficiente de expansão térmica. O uso de revestimento de SiC pode melhorar efetivamente a resistência ao desgaste e à oxidação do grafite. Entretanto, a proporção estequiométrica, a temperatura de reação, o gás de diluição e as impurezas gasosas influenciam significativamente a reação.
Data da publicação: 14/09/2022