O revestimento de SiC pode ser preparado por deposição química de vapor (CVD), transformação de precursores, pulverização de plasma, etc. O revestimento preparado por deposição química de vapor é uniforme e compacto, e apresenta boa capacidade de projeto. Utilizando metil triclosilano (CHzSiCl3, MTS) como fonte de silício, o revestimento de SiC preparado pelo método CVD é um método relativamente maduro para a aplicação deste tipo de revestimento.
O revestimento de SiC e o grafite apresentam boa compatibilidade química, com pequena diferença no coeficiente de expansão térmica entre eles. O uso do revestimento de SiC pode efetivamente melhorar a resistência ao desgaste e à oxidação do material de grafite. Entre elas, a razão estequiométrica, a temperatura de reação, o gás de diluição, a presença de impurezas e outras condições têm grande influência na reação.
Data de publicação: 14 de setembro de 2022