A SiC bevonat előállítható kémiai gőzfázisú leválasztással (CVD), prekurzor-transzformációval, plazmaszórással stb. A KÉMIAI gőzfázisú leválasztással előállított bevonat egyenletes és tömör, valamint jól tervezhető. A metil-trikloszilán (CHzSiCl3, MTS) szilíciumforrásként történő felhasználásával a CVD módszerrel előállított SiC bevonat viszonylag kiforrott módszer ennek a bevonatnak az alkalmazására.
A SiC bevonat és a grafit jó kémiai kompatibilitással rendelkezik, a hőtágulási együtthatójuk közötti különbség kicsi, így a SiC bevonat használata hatékonyan javíthatja a grafitanyag kopásállóságát és oxidációs ellenállását. Ezek közül a sztöchiometrikus arány, a reakcióhőmérséklet, a hígítógáz, a szennyező gáz és egyéb körülmények nagyban befolyásolják a reakciót.
Közzététel ideje: 2022. szeptember 14.