SiC örtüyü kimyəvi buxar çökdürmə (CVD), öncü transformasiya, plazma püskürtmə və s. üsulları ilə hazırlana bilər. KİMYƏVİ buxar çökdürmə üsulu ilə hazırlanmış örtük vahid və kompaktdır və yaxşı dizayn qabiliyyətinə malikdir. Silikon mənbəyi kimi metil trixlosilan (CHzSiCl3, MTS) istifadə edərək, CVD üsulu ilə hazırlanmış SiC örtüyü bu örtüyün tətbiqi üçün nisbətən yetkin bir üsuldur.
SiC örtüyü və qrafit yaxşı kimyəvi uyğunluğa malikdir, aralarındakı istilik genişlənmə əmsalındakı fərq azdır, SiC örtüyünün istifadəsi qrafit materialının aşınma müqavimətini və oksidləşmə müqavimətini effektiv şəkildə artıra bilər. Bunların arasında stexiometrik nisbət, reaksiya temperaturu, durulaşdırma qazı, çirk qazı və digər şərtlər reaksiyaya böyük təsir göstərir.
Yayımlanma vaxtı: 14 sentyabr 2022