SiC-Beschichtunge kënnen duerch chemesch Dampfoflagerung (CVD), Virleefertransformatioun, Plasmasprëtzen, etc. hiergestallt ginn. D'Beschichtung, déi duerch CHEMESCH Dampfoflagerung hiergestallt gëtt, ass gläichméisseg a kompakt a kann gutt designéiert ginn. Mat Methyltrichlosilan (CH2SiCl3, MTS) als Siliziumquell ass d'SiC-Beschichtung, déi mat der CVD-Method hiergestallt gëtt, eng relativ reif Method fir d'Applikatioun vun dëser Beschichtung.
SiC-Beschichtung a Graphit hunn eng gutt chemesch Kompatibilitéit, den Ënnerscheed am thermeschen Ausdehnungskoeffizient tëscht hinnen ass kleng, sou datt d'Benotzung vu SiC-Beschichtung d'Verschleißbeständegkeet an d'Oxidatiounsbeständegkeet vum Graphitmaterial effektiv verbessere kann. Dorënner hunn dat stöchiometrescht Verhältnis, d'Reaktiounstemperatur, d'Verdënnungsgas, d'Onreinheetsgas an aner Konditiounen e groussen Afloss op d'Reaktioun.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 14. September 2022