El recubrimiento de SiC se puede preparar mediante deposición química en fase de vapor (CVD), transformación de precursores, pulverización de plasma, etc. El recubrimiento preparado mediante deposición química en fase de vapor es uniforme y compacto, y ofrece una buena capacidad de diseño. Utilizando metil triclosilano (CH₂SiCl₃, MTS) como fuente de silicio, el recubrimiento de SiC preparado mediante CVD es un método relativamente avanzado para su aplicación.
El recubrimiento de SiC y el grafito presentan una buena compatibilidad química, con una pequeña diferencia en el coeficiente de expansión térmica. Por lo tanto, el uso de un recubrimiento de SiC puede mejorar eficazmente la resistencia al desgaste y a la oxidación del grafito. Entre estas condiciones, la relación estequiométrica, la temperatura de reacción, el gas de dilución, el gas de impurezas y otras influyen significativamente en la reacción.
Hora de publicación: 14 de septiembre de 2022