El recubrimiento de SiC se puede preparar mediante deposición química de vapor (CVD), transformación de precursores, pulverización de plasma, etc. El recubrimiento preparado mediante CVD es uniforme y compacto, y ofrece una buena capacidad de diseño. Utilizando metil triclosilano (CH₃SiCl₃, MTS) como fuente de silicio, el recubrimiento de SiC preparado mediante CVD es un método relativamente consolidado para la aplicación de este recubrimiento.
El recubrimiento de SiC y el grafito presentan buena compatibilidad química, y la diferencia en su coeficiente de expansión térmica es mínima. El uso de un recubrimiento de SiC puede mejorar eficazmente la resistencia al desgaste y a la oxidación del grafito. Entre los factores que influyen en la reacción se encuentran la relación estequiométrica, la temperatura de reacción, el gas de dilución, la presencia de impurezas y otras condiciones.
Fecha de publicación: 14 de septiembre de 2022