Le revêtement SiC peut être préparé par dépôt chimique en phase vapeur (CVD), transformation de précurseurs, projection plasma, etc. Le revêtement obtenu par dépôt chimique en phase vapeur est uniforme et compact, et offre une bonne aptitude à la conception. Utilisant du méthyltrichlorosilane (CHzSiCl3, MTS) comme source de silicium, le revêtement SiC préparé par CVD est une méthode relativement éprouvée pour son application.
Le revêtement SiC et le graphite présentent une bonne compatibilité chimique, et leur faible différence de coefficient de dilatation thermique permet d'améliorer efficacement la résistance à l'usure et à l'oxydation du graphite. Le rapport stœchiométrique, la température de réaction, le gaz de dilution, le gaz d'impureté et d'autres facteurs influencent fortement la réaction.
Date de publication : 14 septembre 2022