A le ṣe àwọ̀ SiC nípa lílo ìbòrí kẹ́míkà (CVD), ìyípadà ìṣàájú, ìfúnpọ̀ plasma, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ. Àwọ̀ tí a fi ìbòrí kẹ́míkà ṣe jẹ́ déédé àti kékeré, ó sì ní agbára ìṣètò tó dára. Nípa lílo methyl trichlosilane. (CHZSiCl3, MTS) gẹ́gẹ́ bí orísun silicon, ìbòrí SiC tí a pèsè nípasẹ̀ ọ̀nà CVD jẹ́ ọ̀nà tó dàgbà fún lílo ìbòrí yìí.
Àwọ̀ SiC àti graphite ní ìbáramu kẹ́míkà tó dára, ìyàtọ̀ tó wà láàárín ìfàsẹ́yìn ooru láàárín wọn kéré, lílo àwọ̀ SiC lè mú kí resistance ìfàsẹ́yìn àti resistance oxidation ti ohun èlò graphite sunwọ̀n síi. Lára wọn ni, stoichiometric ratio, reaction temperature, dilution gaasi, clean gaasi àti àwọn ipò mìíràn ní ipa ńlá lórí reaction náà.
Àkókò ìfìwéránṣẹ́: Oṣù Kẹsàn-14-2022