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Estudio de simulación numérica sobre el efecto del grafito poroso en el crecimiento de cristales de carburo de silicio.
El proceso básico de crecimiento de cristales de SiC se divide en sublimación y descomposición de materias primas a alta temperatura, transporte de sustancias en fase gaseosa bajo la acción del gradiente de temperatura y crecimiento por recristalización de sustancias en fase gaseosa en el cristal semilla. En base a esto,...Leer más -
Tipos de grafito especial
El grafito especial es un material de alta pureza, densidad y resistencia, con excelente resistencia a la corrosión, estabilidad térmica y alta conductividad eléctrica. Se fabrica a partir de grafito natural o artificial tras un tratamiento térmico a alta temperatura y un procesamiento a alta presión.Leer más -
Análisis de equipos de deposición de película delgada: principios y aplicaciones de los equipos PECVD/LPCVD/ALD
La deposición de película delgada consiste en recubrir una capa de película sobre el sustrato principal del semiconductor. Esta película puede estar hecha de diversos materiales, como dióxido de silicio, compuesto aislante, polisilicio semiconductor, cobre metálico, etc. El equipo utilizado para el recubrimiento se denomina deposición de película delgada.Leer más -
Materiales importantes que determinan la calidad del crecimiento del silicio monocristalino: campo térmico
El proceso de crecimiento del silicio monocristalino se lleva a cabo completamente en el campo térmico. Un buen campo térmico favorece la mejora de la calidad de los cristales y una mayor eficiencia de cristalización. El diseño del campo térmico determina en gran medida los cambios en los gradientes de temperatura.Leer más -
¿Cuáles son las dificultades técnicas del horno de crecimiento de cristales de carburo de silicio?
El horno de crecimiento de cristales es el equipo principal para el crecimiento de cristales de carburo de silicio. Es similar al horno tradicional de crecimiento de cristales de silicio cristalino. Su estructura es sencilla. Se compone principalmente del cuerpo del horno, el sistema de calentamiento y el mecanismo de transmisión de la bobina.Leer más -
¿Cuáles son los defectos de la capa epitaxial de carburo de silicio?
La tecnología clave para el crecimiento de materiales epitaxiales de SiC es, en primer lugar, la tecnología de control de defectos, especialmente la tecnología de control de defectos propensa a fallos del dispositivo o a la degradación de la fiabilidad. El estudio del mecanismo de los defectos del sustrato que se extienden al epitaxial...Leer más -
Tecnología de crecimiento epitaxial y de grano en pie oxidado-II
2. Crecimiento epitaxial de película delgada. El sustrato proporciona una capa de soporte físico o capa conductora para los dispositivos de potencia de Ga₂O₃. La siguiente capa importante es la capa de canal o capa epitaxial, utilizada para la resistencia de voltaje y el transporte de portadores. Para aumentar el voltaje de ruptura y minimizar la con...Leer más -
Tecnología de crecimiento epitaxial y monocristalino de óxido de galio
Los semiconductores de banda prohibida ancha (WBG), representados por el carburo de silicio (SiC) y el nitruro de galio (GaN), han recibido gran atención. Se tienen grandes expectativas sobre las posibilidades de aplicación del carburo de silicio en vehículos eléctricos y redes eléctricas, así como sobre las del galio...Leer más -
¿Cuáles son las barreras técnicas del carburo de silicio?Ⅱ
Las dificultades técnicas para producir en masa de manera estable obleas de carburo de silicio de alta calidad con un rendimiento estable incluyen: 1) Dado que los cristales deben crecer en un entorno sellado de alta temperatura por encima de 2000 °C, los requisitos de control de temperatura son extremadamente altos; 2) Dado que el carburo de silicio tiene...Leer más