L'avanzatoPagaia a sbalzo in SiCper la lavorazione dei wafer, creata da vet-china, offre un'eccellente soluzione per la produzione di semiconduttori. Questa pala a sbalzo è realizzata in SiC (carburo di silicio) e la sua elevata durezza e resistenza al calore le consentono di mantenere prestazioni eccellenti in ambienti ad alta temperatura e corrosivi. Il design della pala a sbalzo consente di supportare il wafer in modo affidabile durante la lavorazione, riducendo il rischio di frammentazione e danneggiamento.
Pagaia a sbalzo in SiCè un componente specializzato utilizzato nelle apparecchiature di produzione di semiconduttori quali forni di ossidazione, forni di diffusione e forni di ricottura; il suo utilizzo principale è il carico e lo scarico dei wafer, supporta e trasporta i wafer durante i processi ad alta temperatura.
Strutture comuniDiSiCcantilevapcamminare: Una struttura a sbalzo, fissata a un'estremità e libera all'altra, ha in genere una struttura piatta e simile a una pagaia.
VET Energy utilizza materiali in carburo di silicio ricristallizzato ad elevata purezza per garantire la qualità.
| Proprietà fisiche del carburo di silicio ricristallizzato | |
| Proprietà | Valore tipico |
| Temperatura di lavoro (°C) | 1600°C (con ossigeno), 1700°C (ambiente riducente) |
| Contenuto di SiC | > 99,96% |
| Contenuto gratuito Si | < 0,1% |
| Densità apparente | 2,60-2,70 g/cm3 |
| Porosità apparente | < 16% |
| Resistenza alla compressione | > 600MPa |
| Resistenza alla flessione a freddo | 80-90 MPa (20°C) |
| Resistenza alla flessione a caldo | 90-100 MPa (1400°C) |
| Espansione termica a 1500°C | 4.70 10-6/°C |
| Conduttività termica a 1200°C | 23W/m•K |
| Modulo elastico | 240 GPa |
| Resistenza agli shock termici | Estremamente buono |
I vantaggi delle pale a sbalzo in SiC avanzate di VET Energy per la lavorazione dei wafer sono:
- Elevata stabilità alla temperatura: utilizzabile in ambienti superiori a 1600°C;
-Basso coefficiente di dilatazione termica: mantiene la stabilità dimensionale, riducendo il rischio di deformazione del wafer;
- Elevata purezza: minor rischio di contaminazione da metalli;
- Inerzia chimica: resistente alla corrosione, adatto a vari ambienti gassosi;
- Elevata resistenza e durezza: resistente all'usura, lunga durata;
-Buona conduttività termica: favorisce il riscaldamento uniforme dei wafer.
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