L'avanzatoPaletta a sbalzo in SiCLa piastra a sbalzo per la lavorazione dei wafer, prodotta da vet-china, offre una soluzione eccellente per la produzione di semiconduttori. Realizzata in SiC (carburo di silicio), questa piastra a sbalzo, grazie alla sua elevata durezza e resistenza al calore, garantisce prestazioni ottimali anche in ambienti ad alta temperatura e corrosivi. Il design della piastra a sbalzo assicura un supporto affidabile del wafer durante la lavorazione, riducendo il rischio di frammentazione e danni.
Paletta a sbalzo in SiCÈ un componente specializzato utilizzato nelle apparecchiature per la produzione di semiconduttori, come forni di ossidazione, forni di diffusione e forni di ricottura. Il suo utilizzo principale è per il carico e lo scarico dei wafer, supportandoli e trasportandoli durante i processi ad alta temperatura.
Strutture comuniDiSiCcantilevapconfusione: Una struttura a sbalzo, fissata a un'estremità e libera all'altra, ha tipicamente un design piatto e a forma di pagaia.
VET Energy utilizza materiali in carburo di silicio ricristallizzato ad elevata purezza per garantire la qualità.
| Proprietà fisiche del carburo di silicio ricristallizzato | |
| Proprietà | Valore tipico |
| Temperatura di esercizio (°C) | 1600 °C (con ossigeno), 1700 °C (in ambiente riducente) |
| Contenuto di SiC | > 99,96% |
| Contenuto di Si libero | < 0,1% |
| densità apparente | 2,60-2,70 g/cm3 |
| Porosità apparente | < 16% |
| Resistenza alla compressione | > 600MPa |
| resistenza alla flessione a freddo | 80-90 MPa (20°C) |
| resistenza alla piegatura a caldo | 90-100 MPa (1400 °C) |
| Espansione termica a 1500 °C | 4,70 10-6/°C |
| Conduttività termica a 1200 °C | 23W/m•K |
| Modulo elastico | 240 GPa |
| resistenza agli shock termici | Estremamente buono |
I vantaggi della paletta a sbalzo in SiC avanzata di VET Energy per la lavorazione dei wafer sono:
- Elevata stabilità termica: utilizzabile in ambienti superiori a 1600 °C;
-Basso coefficiente di dilatazione termica: mantiene la stabilità dimensionale, riducendo il rischio di deformazione del wafer;
-Elevata purezza: minor rischio di contaminazione da metalli;
-Inerzia chimica: resistente alla corrosione, adatto a diversi ambienti gassosi;
-Elevata resistenza e durezza: resistente all'usura, lunga durata;
- Buona conduttività termica: contribuisce al riscaldamento uniforme del wafer.
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