Paletta a sbalzo in SiC avanzata per la lavorazione dei wafer

Piastra a sbalzo in SiC avanzata per la lavorazione dei wafer (immagine in evidenza)

Breve descrizione:

La paletta a sbalzo avanzata in SiC per la lavorazione dei wafer, lanciata da vet-china, utilizza materiali SiC ad alta tecnologia per migliorare l'efficienza e la precisione della lavorazione dei wafer. La paletta a sbalzo di vet-china offre un'eccellente resistenza al calore e alla corrosione, garantendo prestazioni stabili nella movimentazione dei wafer anche in ambienti di produzione difficili, il che la rende la scelta ideale per migliorare la resa produttiva.

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L'avanzatoPaletta a sbalzo in SiCLa piastra a sbalzo per la lavorazione dei wafer, prodotta da vet-china, offre una soluzione eccellente per la produzione di semiconduttori. Realizzata in SiC (carburo di silicio), questa piastra a sbalzo garantisce un'elevata durezza e resistenza al calore, mantenendo prestazioni ottimali anche in ambienti corrosivi e ad alta temperatura. Il design della piastra a sbalzo permette di supportare il wafer in modo affidabile durante la lavorazione, riducendo il rischio di frammentazione e danni.

Paletta a sbalzo in SiCÈ un componente specializzato utilizzato nelle apparecchiature per la produzione di semiconduttori, come forni di ossidazione, forni di diffusione e forni di ricottura. Il suo utilizzo principale è per il carico e lo scarico dei wafer, supportando e trasportando i wafer durante i processi ad alta temperatura.

Strutture comuniDiSiCcantilevapconfusione: Una struttura a sbalzo, fissata a un'estremità e libera all'altra, ha tipicamente un design piatto e a forma di pagaia.

VET Energy utilizza materiali in carburo di silicio ricristallizzato ad elevata purezza per garantire la qualità.

Proprietà fisiche del carburo di silicio ricristallizzato
Proprietà	Valore tipico
Temperatura di esercizio (°C)	1600 °C (con ossigeno), 1700 °C (in ambiente riducente)
Contenuto di SiC	> 99,96%
Contenuto di Si libero	< 0,1%
densità apparente	2,60-2,70 g/cm³
Porosità apparente	< 16%
Resistenza alla compressione	> 600MPa
resistenza alla flessione a freddo	80-90 MPa (20°C)
resistenza alla piegatura a caldo	90-100 MPa (1400 °C)
Espansione termica a 1500 °C	4,70 10^-6/°C
Conduttività termica a 1200 °C	23W/m•K
modulo elastico	240 GPa
resistenza agli shock termici	Estremamente buono