სიახლეები

ფოროვანი გრაფიტის სილიციუმის კარბიდის კრისტალების ზრდაზე გავლენის რიცხვითი სიმულაციის კვლევა
ადმინისტრატორის მიერ 24-06-18
SiC კრისტალის ზრდის ძირითადი პროცესი იყოფა ნედლეულის სუბლიმაციასა და დაშლაზე მაღალ ტემპერატურაზე, აირადი ფაზის ნივთიერებების ტრანსპორტირებაზე ტემპერატურის გრადიენტის ზემოქმედებით და აირადი ფაზის ნივთიერებების რეკრისტალიზაციის ზრდაზე სათესლე კრისტალზე. ამის საფუძველზე,...
დაწვრილებით
სპეციალური გრაფიტის ტიპები
ადმინისტრატორის მიერ 24-06-17
სპეციალური გრაფიტი არის მაღალი სისუფთავის, მაღალი სიმკვრივის და მაღალი სიმტკიცის გრაფიტის მასალა და ხასიათდება შესანიშნავი კოროზიისადმი მდგრადობით, მაღალ ტემპერატურაზე სტაბილურობით და შესანიშნავი ელექტროგამტარობით. იგი მზადდება ბუნებრივი ან ხელოვნური გრაფიტისგან მაღალტემპერატურულ თერმული დამუშავებისა და მაღალი წნევის დამუშავების შემდეგ...
დაწვრილებით
თხელი ფენის დეპონირების აღჭურვილობის ანალიზი - PECVD/LPCVD/ALD აღჭურვილობის პრინციპები და გამოყენება
ადმინისტრატორის მიერ 24-06-12
თხელი აპკის დატანა გულისხმობს ნახევარგამტარის ძირითად სუბსტრატზე აპკის ფენის დაფარვას. ეს აპკი შეიძლება დამზადდეს სხვადასხვა მასალისგან, როგორიცაა საიზოლაციო ნაერთი სილიციუმის დიოქსიდი, ნახევარგამტარული პოლისილიციუმი, ლითონის სპილენძი და ა.შ. დაფარვისთვის გამოყენებულ აღჭურვილობას თხელი აპკის დატანა ეწოდება...
დაწვრილებით
მნიშვნელოვანი მასალები, რომლებიც განსაზღვრავენ მონოკრისტალური სილიციუმის ზრდის ხარისხს - თერმული ველი
ადმინისტრატორის მიერ 24-06-12
მონოკრისტალური სილიციუმის ზრდის პროცესი სრულად ხორციელდება თერმულ ველში. კარგი თერმული ველი ხელს უწყობს კრისტალების ხარისხის გაუმჯობესებას და აქვს კრისტალიზაციის უფრო მაღალი ეფექტურობა. თერმული ველის დიზაინი დიდწილად განსაზღვრავს ტემპერატურის გრადიენტების ცვლილებებს...
დაწვრილებით
რა ტექნიკური სირთულეები აქვს სილიციუმის კარბიდის კრისტალების ზრდის ღუმელს?
ადმინისტრატორის მიერ 24-06-07
კრისტალების ზრდის ღუმელი სილიციუმის კარბიდის კრისტალების ზრდის ძირითადი აღჭურვილობაა. ის ტრადიციული კრისტალური სილიციუმის ხარისხის კრისტალების ზრდის ღუმელის მსგავსია. ღუმელის სტრუქტურა დიდად რთული არ არის. ის ძირითადად შედგება ღუმელის კორპუსის, გათბობის სისტემის, ხვეულის გადაცემის მექანიზმისგან...
დაწვრილებით
რა არის სილიციუმის კარბიდის ეპიტაქსიური ფენის დეფექტები?
ადმინისტრატორის მიერ 24-06-05
SiC ეპიტაქსიური მასალების ზრდის ძირითადი ტექნოლოგია, პირველ რიგში, დეფექტების კონტროლის ტექნოლოგიაა, განსაკუთრებით დეფექტების კონტროლის ტექნოლოგიისთვის, რომელიც მიდრეკილია მოწყობილობის გაუმართაობის ან საიმედოობის გაუარესებისკენ. სუბსტრატის დეფექტების ეპიტაქსიურ ფენაში გავრცელების მექანიზმის შესწავლა...
დაწვრილებით
დაჟანგული მარცვლეულის და ეპიტაქსიური ზრდის ტექნოლოგია-Ⅱ
ადმინისტრატორის მიერ 24-05-30
2. ეპიტაქსიალური თხელი ფენის ზრდა სუბსტრატი უზრუნველყოფს ფიზიკურ საყრდენ ფენას ან გამტარ ფენას Ga2O3 ენერგომოწყობილობებისთვის. შემდეგი მნიშვნელოვანი ფენა არის არხის ფენა ან ეპიტაქსიალური ფენა, რომელიც გამოიყენება ძაბვის წინააღმდეგობისა და მატარებლის ტრანსპორტირებისთვის. ძაბვის დაშლის გაზრდისა და შეფერხების მინიმიზაციის მიზნით...
დაწვრილებით
გალიუმის ოქსიდის მონოკრისტალური და ეპიტაქსიური ზრდის ტექნოლოგია
ადმინისტრატორის მიერ 24-05-30
ფართო ზოლის მქონე (WBG) ნახევარგამტარებმა, რომლებიც წარმოდგენილია სილიციუმის კარბიდით (SiC) და გალიუმის ნიტრიდით (GaN), ფართო ყურადღება მიიპყრო. ხალხს დიდი მოლოდინები აქვს სილიციუმის კარბიდის ელექტრომობილებსა და ელექტრო ქსელებში გამოყენების პერსპექტივებთან, ასევე გალიუმის...
დაწვრილებით
რა ტექნიკური ბარიერები არსებობს სილიციუმის კარბიდის მიმართ?Ⅱ
ადმინისტრატორის მიერ 24-05-22
სტაბილურად მასობრივი წარმოების მაღალი ხარისხის სილიციუმის კარბიდის ვაფლების სტაბილური მუშაობის ტექნიკური სირთულეები მოიცავს: 1) რადგან კრისტალები უნდა გაიზარდოს 2000°C-ზე მაღალ ტემპერატურაზე დახურულ გარემოში, ტემპერატურის კონტროლის მოთხოვნები უკიდურესად მაღალია; 2) რადგან სილიციუმის კარბიდს აქვს ...
დაწვრილებით