Новости

Численное моделирование влияния пористого графита на рост кристаллов карбида кремния
от admin 24-06-18
Основной процесс роста кристаллов SiC разделяется на сублимацию и разложение исходных материалов при высокой температуре, транспортировку газофазных веществ под действием градиента температуры и рекристаллизационный рост газофазных веществ на затравочном кристалле. На этом основании...
Читать далее
Виды специального графита
от admin 24-06-17
Специальный графит — это графитовый материал высокой чистоты, высокой плотности и высокой прочности, обладающий превосходной коррозионной стойкостью, высокой температурной стабильностью и большой электропроводностью. Он изготавливается из натурального или искусственного графита после высокотемпературной термической обработки и обработки под высоким давлением...
Читать далее
Анализ оборудования для осаждения тонких пленок – принципы и применение оборудования PECVD/LPCVD/ALD
от admin 24-06-12
Тонкопленочное осаждение заключается в нанесении слоя пленки на основной материал подложки полупроводника. Эта пленка может быть изготовлена из различных материалов, таких как изолирующий состав диоксид кремния, полупроводниковый поликремний, металлическая медь и т. д. Оборудование, используемое для нанесения покрытия, называется тонкопленочным осаждением...
Читать далее
Важные материалы, определяющие качество роста монокристаллического кремния – тепловое поле
от admin 24-06-12
Процесс роста монокристаллического кремния полностью осуществляется в тепловом поле. Хорошее тепловое поле способствует повышению качества кристаллов и имеет более высокую эффективность кристаллизации. Конструкция теплового поля во многом определяет изменения градиентов температур...
Читать далее
Каковы технические сложности печи для выращивания кристаллов карбида кремния?
от admin 24-06-07
Печь для выращивания кристаллов является основным оборудованием для выращивания кристаллов карбида кремния. Она похожа на традиционную печь для выращивания кристаллов из кристаллического кремния. Конструкция печи не очень сложная. Она в основном состоит из корпуса печи, системы нагрева, механизма передачи катушки...
Читать далее
Каковы дефекты эпитаксиального слоя карбида кремния?
от admin 24-06-05
Основная технология роста эпитаксиальных материалов SiC — это, прежде всего, технология контроля дефектов, особенно для технологии контроля дефектов, которые склонны к отказу устройства или снижению надежности. Изучение механизма распространения дефектов подложки в эпитаксиальный слой...
Читать далее
Технология оксидированного стоячего зерна и эпитаксиального роста-Ⅱ
от admin 24-05-30
2. Эпитаксиальный рост тонкой пленки Подложка обеспечивает физический опорный слой или проводящий слой для силовых устройств Ga2O3. Следующий важный слой — это канальный слой или эпитаксиальный слой, используемый для сопротивления напряжению и транспорта носителей. Для увеличения напряжения пробоя и минимизации пробоя...
Читать далее
Технология выращивания монокристаллов и эпитаксиальных кристаллов оксида галлия
от admin 24-05-30
Широкозонные (WBG) полупроводники, представленные карбидом кремния (SiC) и нитридом галлия (GaN), получили широкое внимание. Люди возлагают большие надежды на перспективы применения карбида кремния в электромобилях и электросетях, а также на перспективы применения галлия...
Читать далее
Каковы технические барьеры для карбида кремния?Ⅱ
от admin 24-05-22
Технические трудности в стабильном массовом производстве высококачественных пластин карбида кремния со стабильными характеристиками включают в себя: 1) Поскольку кристаллы необходимо выращивать в высокотемпературной герметичной среде выше 2000°C, требования к контролю температуры чрезвычайно высоки; 2) Поскольку карбид кремния имеет ...
Читать далее