Ярымүткәргечле процесс агымы-II

Продукция турында мәгълүмат һәм консультация алу өчен безнең сайтка рәхим итегез.

Безнең сайт:https://www.vet-china.com/

 

Поли һәм SiO2 гравюралау:

Шуннан соң, артык Poly һәм SiO2 юыла, ягъни алып ташлана. Бу вакытта, юнәлешлегравюракулланыла. Гравюра классификациясендә юнәлешле гравюра һәм юнәлешсез гравюра классификациясе бар. Юнәлешле гравюра дигән сүзгравюрабилгеле бер юнәлештә, ә юнәлешсез гравировка юнәлешсез (мин ялгыш кына артык күп әйттем. Кыскасы, бу SiO2 ны билгеле бер юнәлештә билгеле бер кислоталар һәм нигезләр аша бетерү өчен). Бу мисалда без SiO2 ны бетерү өчен аска юнәлтелгән гравировка кулланабыз, һәм ул болай була.

Ниһаять, фоторезистны алыгыз. Бу вакытта фоторезистны алу ысулы югарыда телгә алынган яктылык нурландыру аша түгел, ә башка ысуллар аша активлаштырудан гыйбарәт, чөнки бу вакытта безгә билгеле бер зурлыкны билгеләргә кирәк түгел, ә барлык фоторезистны алып ташларга кирәк. Ниһаять, ул түбәндәге рәсемдә күрсәтелгәнчә була.

Шулай итеп, без PolySiO2-ның билгеле бер урынын саклап калу максатына ирештек.

 

Чыганак һәм агымның формалашуы:

Ниһаять, чыганак һәм дренаж ничек барлыкка килүен карап чыгыйк. Барысы да әле дә узган санда бу турыда сөйләшкәнебезне хәтерли. Чыганак һәм дренаж бер үк төр элементлар белән ион-имплантацияләнгән. Хәзерге вакытта без фоторезист кулланып, N тибын имплантацияләргә кирәк булган чыганак/дренаж өлкәсен ача алабыз. Без NMOSны гына мисал итеп алганга күрә, югарыдагы рәсемдәге барлык өлешләр дә ачылачак, түбәндәге рәсемдә күрсәтелгәнчә.

Фоторезист белән капланган өлешне имплантацияләп булмаганлыктан (яктылык ябылган), N-типтагы элементлар кирәкле NMOSка гына имплантацияләнәчәк. Поли астындагы субстрат поли һәм SiO2 белән ябылганлыктан, ул имплантацияләнмәячәк, шуңа күрә ул болай була.

Бу этапта гади MOS моделе төзелде. Теория буенча, чыганакка, дренажга, полимерга һәм субстратка көчәнеш өстәлсә, бу MOS эшли ала, ләкин без зонд алып, турыдан-туры чыганакка һәм дренажга көчәнеш өсти алмыйбыз. Бу вакытта MOS үткәргечләре кирәк, ягъни бу MOSта күп MOSларны бер-берсенә тоташтыру өчен чыбыкларны тоташтырырга кирәк. Әйдәгез, үткәргечләр урнаштыру процессын карап чыгыйк.

 

VIA ясау:

Беренче адым - түбәндәге рәсемдә күрсәтелгәнчә, бөтен MOSны SiO2 катламы белән каплау:

Әлбәттә, бу SiO2 CVD ярдәмендә җитештерелә, чөнки ул бик тиз эшли һәм вакытны янга калдыра. Түбәндә фоторезист урнаштыру һәм экспозицияләү процессы күрсәтелгән. Ахыр чиктә, ул болай күренә.

Аннары, түбәндәге рәсемдәге соры өлештә күрсәтелгәнчә, SiO2 өстендә тишек ясау өчен гравюра ысулын кулланыгыз. Бу тишекнең тирәнлеге Si өслегенә турыдан-туры кагыла.

Ниһаять, фоторезистны алыгыз һәм түбәндәге күренешне алыгыз.

Хәзерге вакытта бу тишектәге үткәргечне тутырырга кирәк. Бу үткәргеч нәрсә ул? Һәр компания төрле, күбесе вольфрам эретмәләреннән ясалган, шуңа күрә бу тишекне ничек тутырырга мөмкин? PVD (Физик пар утырту) ысулы кулланыла, һәм принцип түбәндәге рәсемгә охшаш.

Максат материалын бомбага тоту өчен югары энергияле электроннар яки ионнар кулланыгыз, һәм ватылган максат материалы атомнар рәвешендә аска төшәчәк, шулай итеп астагы каплау барлыкка киләчәк. Гадәттә яңалыкларда күргән максат материалы мондагы максат материалына карый.
Тишекне тутырганнан соң, ул болай күренә.

Әлбәттә, без аны тутырганда, каплау калынлыгын тишек тирәнлегенә туры китереп контрольдә тоту мөмкин түгел, шуңа күрә бераз артык булачак, шуңа күрә без CMP (Химик механик полировка) технологиясен кулланабыз, ул бик югары дәрәҗәдәге кебек тоелса да, чынлыкта ул артык детальләрне ваклап, ваклый. Нәтиҗә болай.

Бу этапта без виа катламын җитештерүне тәмамладык. Әлбәттә, виа җитештерү, нигездә, арткы металл катламны электр белән тоташтыру өчен башкарыла.

 

Металл катлам җитештерү:

Югарыда күрсәтелгән шартларда без тагын бер катлам металлны тирәнәйтү өчен PVD кулланабыз. Бу металл, нигездә, бакыр нигезендәге эретмә.

Аннары экспозициядән һәм гравюрадан соң, без теләгәнне алабыз. Аннары ихтыяҗларыбызны канәгатьләндергәнче, без аны кабатлыйбыз.

Макетны төзегәндә, без сезгә кулланылган процесс аша металлның иң күбе ничә катламын өеп куярга мөмкин икәнен күрсәтәчәкбез, бу аны ничә катлам өеп куярга мөмкин дигән сүз.
Ниһаять, без бу структураны алабыз. Өске катлам - бу чипның энәсенә әйләнә, һәм төргәкләгәннән соң, ул без күрә алган энәгә әйләнә (әлбәттә, мин аны очраклы рәвештә ясадым, моның бернинди гамәли әһәмияте юк, мәсәлән).

Бу чип ясауның гомуми процессы. Бу чыгарылышта без ярымүткәргеч коюда иң мөһим экспозиция, гравюра, ион имплантациясе, мич торбалары, CVD, PVD, CMP һ.б. турында белдек.