Lớp phủ SiC/Chất nền graphite phủ/Khay cho chất bán dẫn

Mô tả ngắn gọn:

VET Energy SiC Coated Graphite Susceptor for Epitaxial Growth là sản phẩm hiệu suất cao được thiết kế để cung cấp hiệu suất nhất quán và đáng tin cậy trong thời gian dài. Sản phẩm có khả năng chịu nhiệt và độ đồng đều nhiệt cực tốt, độ tinh khiết cao, khả năng chống xói mòn, khiến sản phẩm trở thành giải pháp hoàn hảo cho các ứng dụng xử lý wafer.


Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Lớp phủ SiC/lớp phủ Graphite susceptor cho chất bán dẫn
 
CácChất nền Graphite phủ SiClà một giải pháp có độ bền cao và hiệu quả được thiết kế để đáp ứng các yêu cầu khắt khe của ngành công nghiệp chế biến bán dẫn. Có lớp tinh khiết caolớp phủ silicon carbide (SiC), chất nền này có độ ổn định nhiệt, khả năng chống oxy hóa và tuổi thọ kéo dài đặc biệt, lý tưởng cho các ứng dụng trong quy trình MOCVD, vật liệu mang wafer graphite và các môi trường nhiệt độ cao khác.

 Đặc trưng: 
· Khả năng chống sốc nhiệt tuyệt vời
· Khả năng chống va đập vật lý tuyệt vời
· Khả năng kháng hóa chất tuyệt vời
· Độ tinh khiết cực cao
· Có sẵn trong hình dạng phức tạp
·Sử dụng được trong môi trường oxy hóa

Ứng dụng:

3

Tính năng và ưu điểm của sản phẩm:

1. Khả năng chịu nhiệt cao:Với độ tinh khiết caoLớp phủ SiC, chất nền chịu được nhiệt độ khắc nghiệt, đảm bảo hiệu suất ổn định trong các môi trường khắc nghiệt như chế tạo epitaxy và bán dẫn.

2. Độ bền được cải thiện:Các thành phần than chì phủ SiC được thiết kế để chống ăn mòn hóa học và oxy hóa, giúp tăng tuổi thọ của chất nền so với chất nền than chì tiêu chuẩn.

3. Graphite tráng thủy tinh:Cấu trúc thủy tinh độc đáo củaLớp phủ SiCcung cấp độ cứng bề mặt tuyệt vời, giảm thiểu hao mòn trong quá trình xử lý ở nhiệt độ cao.

4. Lớp phủ SiC có độ tinh khiết cao:Chất nền của chúng tôi đảm bảo mức độ ô nhiễm tối thiểu trong các quy trình bán dẫn nhạy cảm, mang lại độ tin cậy cho các ngành công nghiệp đòi hỏi độ tinh khiết vật liệu nghiêm ngặt.

5. Ứng dụng rộng rãi trên thị trường:CácChất dẫn điện graphite phủ SiCthị trường tiếp tục tăng trưởng khi nhu cầu về các sản phẩm phủ SiC tiên tiến trong sản xuất chất bán dẫn tăng lên, đưa chất nền này trở thành một nhân tố chủ chốt trong cả thị trường vật liệu mang wafer graphite và thị trường khay graphite phủ silicon carbide.

Tính chất điển hình của vật liệu than chì cơ bản:

Mật độ biểu kiến: 1,85g/cm3
Điện trở suất: 11μΩm
Độ bền uốn: 49MPa (500kgf/cm2)
Độ cứng bờ: 58
Tro: <5ppm
Độ dẫn nhiệt: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

 

CVD SiC薄膜基本物理性能

Tính chất vật lý cơ bản của CVD SiClớp phủ

性质 / Tài sản

典型数值 / Giá trị điển hình

晶体结构 / Cấu trúc tinh thể

FCC giai đoạn β 多晶,主要为(111)取向

密度 / Mật độ

3,21g/cm³

硬度 / Độ cứng

2500 维氏硬度(tải 500g)

晶粒大小 / Kích thước hạt

2~10μm

纯度 / Độ tinh khiết hóa học

99,99995%

热容 / Công suất nhiệt

640 J·kg-1·K-1

升华温度 / Nhiệt độ thăng hoa

2700℃

抗弯强度 / Độ bền uốn

415 MPa RT 4 điểm

杨氏模量 / Mô đun của Young

430 Gpa 4pt uốn cong, 1300℃

导热系数 / Độ dẫn nhiệt

300W·m-1·K-1

热膨胀系数 / Giãn nở nhiệt(CTE)

4,5×10-6K-1

1

2

 

 

VET Energy là nhà sản xuất thực sự các sản phẩm than chì và silicon carbide tùy chỉnh với nhiều lớp phủ khác nhau như lớp phủ SiC, lớp phủ TaC, lớp phủ carbon thủy tinh, lớp phủ carbon nhiệt phân, v.v., có thể cung cấp nhiều bộ phận tùy chỉnh khác nhau cho ngành công nghiệp bán dẫn và quang điện.

Đội ngũ kỹ thuật của chúng tôi đến từ các viện nghiên cứu hàng đầu trong nước, có thể cung cấp cho bạn các giải pháp vật liệu chuyên nghiệp hơn.

Chúng tôi liên tục phát triển các quy trình tiên tiến để cung cấp các vật liệu tiên tiến hơn và đã tạo ra một công nghệ độc quyền được cấp bằng sáng chế, có thể làm cho liên kết giữa lớp phủ và chất nền chặt chẽ hơn và ít bị bong tróc hơn.

Chào mừng bạn đến thăm nhà máy của chúng tôi, chúng ta hãy thảo luận thêm!

研发团队

 

生产设备

 

公司客户

 


  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Trò chuyện trực tuyến trên WhatsApp!