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多孔質グラファイトが炭化ケイ素結晶成長に与える影響に関する数値シミュレーション研究
2018年6月24日 adminより
SiC結晶成長の基本プロセスは、高温下での原料の昇華・分解、温度勾配による気相物質の輸送、そして種結晶における気相物質の再結晶成長に分けられます。これに基づいて…
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特殊グラファイトの種類
2017年6月24日 adminより
特殊黒鉛は、高純度、高密度、高強度の黒鉛材料であり、優れた耐食性、高温安定性、優れた導電性を備えています。天然または人造黒鉛を高温熱処理と高圧処理を施して製造されます。
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薄膜堆積装置の分析 - PECVD/LPCVD/ALD装置の原理と応用
2012年6月24日 adminより
薄膜堆積とは、半導体の主基板材料に膜を塗布することです。この膜は、絶縁化合物である二酸化ケイ素、半導体ポリシリコン、金属銅など、様々な材料で作製できます。この塗布に使用される装置は薄膜堆積装置と呼ばれます。
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単結晶シリコン成長の品質を決定する重要な材料 - 熱場
2012年6月24日 adminより
単結晶シリコンの成長プロセスは、すべて熱場内で行われます。良好な熱場は結晶の品質向上に役立ち、結晶化効率を高めます。熱場の設計は、温度勾配の変化を大きく左右します。
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炭化ケイ素結晶成長炉の技術的な難しさは何ですか?
2007年6月24日 adminより
結晶成長炉は、炭化ケイ素結晶成長の中核設備です。従来の結晶シリコングレードの結晶成長炉と類似しており、炉の構造はそれほど複雑ではありません。主に炉体、加熱システム、コイル伝動機構などで構成されています。
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炭化ケイ素エピタキシャル層の欠陥は何ですか？
2005年6月24日 adminより
SiCエピタキシャル材料の成長におけるコア技術は、まず欠陥制御技術、特にデバイス故障や信頼性低下の原因となる欠陥制御技術です。基板欠陥がエピ層にまで広がるメカニズムの解明は、SiCエピタキシャル材料の成長における重要な課題です。
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酸化立位粒子とエピタキシャル成長技術-Ⅱ
2024年5月30日 adminより
2. エピタキシャル薄膜成長基板は、Ga2O3パワーデバイスの物理的な支持層または導電層として機能します。次に重要な層は、耐圧とキャリア輸送に用いられるチャネル層またはエピタキシャル層です。ブレークダウン電圧を高め、接続部への接続を最小限に抑えるために、基板はGa2O3パワーデバイスに不可欠な要素です。
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酸化ガリウム単結晶およびエピタキシャル成長技術
2024年5月30日 adminより
シリコンカーバイド（SiC）やガリウムナイトライド（GaN）に代表されるワイドバンドギャップ（WBG）半導体は、広く注目を集めています。シリコンカーバイドは電気自動車や電力網への応用が期待されており、ガリウムナイトライドは、その応用分野における将来性に大きな期待が寄せられています。
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シリコンカーバイドの技術的障壁は何ですか？Ⅱ
管理者による 24-05-22
安定した性能を持つ高品質のシリコンカーバイドウエハーを安定的に大量生産するための技術的な難しさとしては、1) 2000℃を超える高温密閉環境で結晶を成長させる必要があるため、温度制御要件が極めて高いこと、2) シリコンカーバイドは...
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