လေထုဖိအားဖြင့် sintered silicon carbide ကို ပွတ်တိုက်ပစ္စည်းအဖြစ်သာမက ပစ္စည်းအသစ်တစ်ခုအဖြစ်ပါ အသုံးပြုလာကြပြီး silicon carbide ပစ္စည်းများဖြင့် ပြုလုပ်ထားသော ကြွေထည်များကဲ့သို့သော အဆင့်မြင့်နည်းပညာထုတ်ကုန်များတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုလာကြသည်။ ဒါဆိုရင် လေထုဖိအားဖြင့် sintered silicon carbide နှင့် silicon carbide ကြွေထည်များကို အသုံးချခြင်းရဲ့ အားသာချက်ခြောက်ချက်က ဘာတွေလဲ။
လေထုဖိအားဖြင့် ပေါင်းစပ်ထားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပစ္စည်းများ၏ အားသာချက်ခြောက်ချက်-
၁။ သိပ်သည်းဆနည်းခြင်း
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပစ္စည်းသည် သတ္တုထက် သိပ်သည်းဆနည်းသောကြောင့် စက်ပစ္စည်းကို ပေါ့ပါးစေသည်။
၂။ ချေးခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပစ္စည်းသည် အရည်ပျော်မှတ်မြင့်မားခြင်း၊ ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ အရှိန်အဟုန်မြင့်မားခြင်း၊ အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကို ပွတ်တိုက်ပစ္စည်းများ၊ ကြွေမီးဖိုများ၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွတ်များတွင် အသုံးပြုပြီး၊ ဒေါင်လိုက်ဆလင်ဒါပေါင်းခံမီးဖို၊ အုတ်၊ အလူမီနီယမ်လျှပ်စစ်ဓာတ်ခွဲဆဲလ်အတွင်းခံ၊ တန်စတင်၊ မီးဖိုငယ်နှင့် အခြားဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထုတ်ကုန်များဖြင့် ရောစပ်ထုတ်လုပ်သည့်လုပ်ငန်းတွင် အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။
၃။ အပူချိန်မြင့်မားခြင်း၊ အပူချဲ့ထွင်မှုကိန်း လျော့နည်းသွားခြင်း
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပစ္စည်းကို အပူချိန်မြင့်မားစွာ ထုတ်လုပ်ပါသည်။ အပူချိန်မြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်အချို့တွင် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည်များ ရရှိနိုင်သော လုပ်ငန်းစဉ်အစွမ်းသတ္တိနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်တိကျမှု လိုအပ်သောပစ္စည်းများ လိုအပ်ပါသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ မြင့်မားသောအပူချိန်မှာ 800 ခန့်ဖြစ်ပြီး သံမဏိ၏ အပူချိန်မှာ 250 သာရှိပါသည်။ ကြမ်းကြမ်းတမ်းတမ်းတွက်ချက်မှုအရ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ ပျမ်းမျှအပူချဲ့ထွင်မှုကိန်းမှာ 25 ~ 1400 အတိုင်းအတာရှိ 4.10-6 /C ဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ အပူချဲ့ထွင်မှုကိန်းကို တိုင်းတာပြီး ရလဒ်များအရ အခြားပွန်းစားနိုင်သောပစ္စည်းများနှင့် အပူချိန်မြင့်မားသောပစ္စည်းများထက် ပမာဏများစွာနည်းပါးကြောင်း ပြသပါသည်။ လေထုဖိအားအောက်တွင် sintered ဆီလီကွန်ကာဗိုက်
၄။ အပူစီးကူးမှု မြင့်မားခြင်း
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပစ္စည်းများ၏ အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းမြင့်မားပြီး ၎င်းသည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများ၏ နောက်ထပ်အရေးကြီးသောအင်္ဂါရပ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းသည် အခြားခံနိုင်ရည်ရှိသောပစ္စည်းများနှင့် ပွန်းစားခြင်းပစ္စည်းများထက် များစွာပိုများပြီး ကိုရန်ဒမ်ထက် ၄ ဆခန့်ပိုများသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်တွင် အပူချဲ့ထွင်မှုကိန်းဂဏန်းနည်းပါးပြီး အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းမြင့်မားသောကြောင့် အလုပ်ခွင်သည် အပူပေးခြင်းနှင့် အအေးခံခြင်းအတွင်း အပူဖိစီးမှုနည်းပါးသည်။ ထို့ကြောင့် SiC အစိတ်အပိုင်းများသည် တုန်ခါမှုကို အထူးခံနိုင်ရည်ရှိသည်။
၅။ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ခိုင်ခံ့မှု၊ တောင့်တင်းမှုကောင်းခြင်း
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပစ္စည်း၏ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာခိုင်ခံ့မှုသည် အလွန်မြင့်မားသောကြောင့် ပစ္စည်းပုံပျက်ခြင်းကို ကာကွယ်ပေးသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် ကိုရန်ဒမ်ထက် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာခိုင်ခံ့မှု ပိုမိုမြင့်မားသည်။
၆။ မာကျောမှုနှင့် ဟောင်းနွမ်းမှုဒဏ်ခံနိုင်မှု မြင့်မားခြင်း
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပစ္စည်းများ၏ မာကျောမှုသည် အလွန်မြင့်မားပြီး Moss gap ၏ မာကျောမှုသည် 9.2 မှ 9.6 အထိရှိပြီး စိန်နှင့် tungsten carbide ပြီးလျှင် ဒုတိယနေရာတွင် ရှိသည်။ သတ္တုသံမဏိပစ္စည်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက မာကျောမှုမြင့်မားခြင်း၊ ပွတ်တိုက်မှုကိန်းဂဏန်းနည်းပါးခြင်း၊ ပွတ်တိုက်မှုနည်းပါးခြင်း၊ မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှုနည်းပါးခြင်းနှင့် ချောဆီမပါဘဲ ပွတ်တိုက်မှုဒဏ်ခံနိုင်ရည်ကောင်းမွန်ခြင်းတို့ကို ပေးစွမ်းသည်။ ထို့အပြင်၊ ပြင်ပပစ္စည်းများကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး မျက်နှာပြင်ခံနိုင်ရည်ကို တိုးတက်စေသည်။ လေထုဖိအားအောက်တွင် sintered silicon carbide
လေထုဖိအားဖြင့် အပူပေးထားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ကြွေထည်များ အသုံးပြုခြင်း
၁။ အထူးကြွေထည်များ၏ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှု
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပစ္စည်းသည် မာကျောမှုမြင့်မားပြီး ကုန်ကျစရိတ်နည်းပါးသော ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး ဆီလီကွန်ကာဗိုက်တံဆိပ်များ၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အစွပ်များ၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကျည်ဒဏ်ခံပြားများ၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပရိုဖိုင်များကဲ့သို့သော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ထုတ်ကုန်များကို ထုတ်လုပ်နိုင်ပြီး စက်ပိုင်းဆိုင်ရာတံဆိပ်များနှင့် ပန့်အမျိုးမျိုးတွင် အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။ လေထုဖိအားအောက်တွင် အပူပေးထားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကို အပူပေး၍ ကြိတ်ခွဲပါ။
၂။ အထူးကြွေထည်များ၏ ဇာကိုးနီးယားပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှု
ဇာကိုးနီးယားကြွေထည်သည် အိုင်းယွန်းစီးကူးမှုမြင့်မားခြင်း၊ ဓာတုဗေဒတည်ငြိမ်မှုနှင့် ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံတည်ငြိမ်မှုကောင်းမွန်ခြင်းတို့ကို ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်လေ့လာပြီး အသုံးပြုသော အီလက်ထရိုလိုက်ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်လာသည်။ ဇာကိုးနီးယားအခြေခံ အီလက်ထရိုလိုက်ဖလင်ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်ကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေခြင်း၊ ဤပစ္စည်းများ၏ အလုပ်လုပ်အပူချိန်နှင့် ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်ကို လျှော့ချခြင်းနှင့် စက်မှုထွန်းကားမှုရရှိရန် ကြိုးပမ်းခြင်းသည်လည်း အနာဂတ်သုတေသန၏ အရေးကြီးသော ဦးတည်ချက်တစ်ခုဖြစ်သည်။
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၃ ခုနှစ်၊ စက်တင်ဘာလ ၂ ရက်
