Onder atmosferische druk gesinterd siliciumcarbide wordt niet langer alleen gebruikt als schuurmiddel, maar meer als een nieuw materiaal, en wordt het veel gebruikt in hightechproducten, zoals keramiek gemaakt van siliciumcarbide. Wat zijn de zes voordelen van het sinteren van siliciumcarbide onder atmosferische druk en de toepassing van siliciumcarbidekeramiek?
Zes voordelen van atmosferische druk gesinterde siliciumcarbidematerialen:
1. Lage dichtheid
Het materiaal siliciumcarbide heeft een lagere dichtheid dan metaal, waardoor het apparaat lichter is.
2. Corrosiebestendigheid
Siliciumcarbidemateriaal heeft een hoog smeltpunt, chemische inertie, thermische schokbestendigheid en wordt gebruikt in schuurmiddelen, keramische ovens, siliciumcarbide platen en kan worden gebruikt in de smelt- en smeltindustrie met verticale cilinderdestillatieovens, bakstenen, aluminium elektrolytische celvoering, wolfraam, kleine ovens en andere keramische producten van siliciumcarbide.
3, hoge temperatuur, thermische uitzettingscoëfficiënt wordt verlaagd
Siliciumcarbide wordt geproduceerd bij hoge temperaturen. In sommige omgevingen met hoge temperaturen zijn materialen nodig die de verwerkingssterkte en -precisie vereisen die siliciumcarbidekeramiek kan bereiken. De hoge temperatuur van siliciumcarbide is ongeveer 800 °C en de temperatuur van staal slechts 250 °C. Een ruwe berekening laat zien dat de gemiddelde thermische uitzettingscoëfficiënt van siliciumcarbide in het bereik van 25 °C tot 1400 °C 4,10-6 °C bedraagt. De thermische uitzettingscoëfficiënt van siliciumcarbide wordt gemeten en de resultaten laten zien dat deze veel lager is dan die van andere schuurmiddelen en materialen met hoge temperaturen. Gesinterd siliciumcarbide onder atmosferische druk
4, hoge thermische geleidbaarheid
De thermische geleidbaarheid van siliciumcarbidematerialen is hoog, wat een ander belangrijk kenmerk is van de fysische eigenschappen van siliciumcarbide. De thermische geleidbaarheid van siliciumcarbide is veel hoger dan die van andere vuurvaste materialen en schuurmaterialen, ongeveer vier keer zo hoog als die van korund. Siliciumcarbide heeft een lage thermische uitzettingscoëfficiënt en een hoge thermische geleidbaarheid, waardoor het werkstuk minder thermische spanning ondervindt tijdens verhitting en afkoeling. Hierdoor zijn SiC-componenten bijzonder schokbestendig.
5, hoge mechanische sterkte, goede stijfheid
De mechanische sterkte van siliciumcarbide is zeer hoog, waardoor materiaalvervorming wordt voorkomen. Siliciumcarbide heeft een hogere mechanische sterkte dan korund.
6, hoge hardheid en slijtvastheid
De hardheid van siliciumcarbidematerialen is zeer hoog. De hardheid van Moss Gap is 9,2 tot 9,6, en is daarmee alleen beter dan die van diamant en wolfraamcarbide. Vergeleken met metallisch staal biedt het een hoge hardheid, een lage wrijvingscoëfficiënt, relatief lage wrijving, een geringe oppervlakteruwheid en een goede slijtvastheid zonder smering. Bovendien is het bestand tegen externe invloeden, wat de oppervlaktetolerantie verbetert. Gesinterd siliciumcarbide onder atmosferische druk
Toepassing van gesinterd siliciumcarbidekeramiek bij atmosferische druk
1. Productie van speciale keramiek uit siliciumcarbide
Siliciumcarbide is een materiaal met een hoge hardheid en lage kosten, waarmee siliciumcarbideproducten kunnen worden geproduceerd, zoals siliciumcarbideafdichtingen, siliciumcarbidehulzen, kogelwerende platen, siliciumcarbideprofielen, enz., die kunnen worden toegepast op mechanische afdichtingen en diverse pompen. Gesinterd siliciumcarbide onder atmosferische druk
2. Productie van speciaal keramiek uit zirkoniamateriaal
Zirkoniumkeramiek heeft een hoge ionengeleiding, goede chemische stabiliteit en structurele stabiliteit en is uitgegroeid tot een veel bestudeerd en gebruikt elektrolytmateriaal. Het verbeteren van het productieproces van elektrolytfilms op basis van zirkoniumoxide, het verlagen van de verwerkingstemperatuur en productiekosten van deze materialen, en het streven naar industrialisatie vormen eveneens belangrijke richtingen voor toekomstig onderzoek.
Plaatsingstijd: 02-09-2023