வினை சிண்டரிங் சிலிக்கான் கார்பைடு செயலாக்க தொழில்நுட்பம் பற்றி பேசுங்கள்.

எதிர்வினை-சின்டர் செய்யப்பட்ட சிலிக்கான் கார்பைடு பீங்கான் சுற்றுப்புற வெப்பநிலையில் நல்ல சுருக்க வலிமை, காற்று ஆக்சிஜனேற்றத்திற்கு வெப்ப எதிர்ப்பு, நல்ல தேய்மான எதிர்ப்பு, நல்ல வெப்ப எதிர்ப்பு, நேரியல் விரிவாக்கத்தின் சிறிய குணகம், அதிக வெப்ப பரிமாற்ற குணகம், அதிக கடினத்தன்மை, வெப்ப எதிர்ப்பு மற்றும் அழிவு, தீ தடுப்பு மற்றும் பிற உயர்தர பண்புகளைக் கொண்டுள்ளது. வாகனங்கள், இயந்திர ஆட்டோமேஷன், சுற்றுச்சூழல் சுற்றுச்சூழல் பாதுகாப்பு, விண்வெளி பொறியியல், தகவல் உள்ளடக்க மின்னணு சாதனங்கள், சக்தி ஆற்றல் மற்றும் பிற துறைகளில் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது, இது பல தொழில்துறை துறைகளில் செலவு குறைந்த மற்றும் ஈடுசெய்ய முடியாத கட்டமைப்பு மட்பாண்டமாக மாறியுள்ளது.

அழுத்தமற்ற சின்டரிங் ஒரு நம்பிக்கைக்குரிய SiC கால்சினேஷன் முறை என்று அழைக்கப்படுகிறது. வெவ்வேறு தொடர்ச்சியான வார்ப்பு இயந்திரங்களுக்கு, பிரஸ்-ஃப்ரீ சின்டரிங் திட நிலை கால்சினேஷன் மற்றும் உயர் செயல்திறன் கொண்ட திரவ கட்ட கால்சினேஷன் என பிரிக்கலாம். மிகவும் நுண்ணிய பீட்டா SiC பொடியில் பொருத்தமான B மற்றும் C (ஆக்ஸிஜன் உள்ளடக்கம் 2% க்கும் குறைவாக) ஒன்றாகச் சேர்ப்பதன் மூலம், S. Proehazka 2020 ஆம் ஆண்டில் 98% க்கும் அதிகமான ஒப்பீட்டு அடர்த்தி கொண்ட SIC கால்சினேற்றப்பட்ட உடலில் Al2O3 மற்றும் Y2O3 சேர்க்கைகளாகக் கொண்டு சின்டர் செய்யப்படுகிறது. 1850-1950 இன் கீழ் 0.5m-SiC கால்சினேற்றப்பட்டது (சிறிதளவு SiO2 கொண்ட துகள் மேற்பரப்பு), SiC பீங்கான் அடர்த்தி அடிப்படை தத்துவார்த்த அடர்த்தியில் 95% ஐ விட அதிகமாக உள்ளது, தானிய அளவு சிறியது மற்றும் சராசரி அளவு பெரியது, இது 1.5μm ஆகும்.

எதிர்வினை சின்டரிங் சிலிக்கான் கார்பைடு என்பது திரவ கட்டம் அல்லது உயர் செயல்திறன் கொண்ட திரவ கட்டத்துடன் பிரதிபலிக்கும் நுண்துளை அமைப்பு பில்லெட்டைக் குறிக்கிறது, பில்லட்டின் தரத்தை மேம்படுத்துதல், காற்றோட்ட துளையைக் குறைத்தல் மற்றும் முடிக்கப்பட்ட தயாரிப்பை ஒரு குறிப்பிட்ட வலிமை மற்றும் பரிமாண துல்லியத்துடன் கணக்கிடுதல். புளூட்டோனியம்-சிக் பவுடர் மற்றும் உயர் தூய்மை கிராஃபைட் ஒரு குறிப்பிட்ட விகிதத்தில் கலக்கப்பட்டு சுமார் 1650 டிகிரிக்கு வெப்பப்படுத்தப்பட்டு முடி கருவை உருவாக்குகிறது. அதே நேரத்தில், இது திரவ கட்டம் Si வழியாக எஃகுக்குள் ஊடுருவி அல்லது ஊடுருவி, சிலிக்கான் கார்பைடுடன் பிரதிபலித்து புளூட்டோனியம்-சிக் உருவாகிறது, மேலும் ஏற்கனவே உள்ள புளூட்டோனியம்-சிக் துகள்களுடன் இணைகிறது. Si ஊடுருவலுக்குப் பிறகு, விரிவான ஒப்பீட்டு அடர்த்தி மற்றும் தொகுக்கப்படாத அளவு கொண்ட எதிர்வினை சின்டர் செய்யப்பட்ட உடலைப் பெறலாம். மற்ற சின்டர் செய்யும் முறைகளுடன் ஒப்பிடும்போது, ​​அதிக அடர்த்தி எதிர்வினை சின்டர் செய்யும் அளவு மாற்றத்தின் செயல்பாட்டில் ஒப்பீட்டளவில் சிறியது, பொருட்களின் சரியான அளவை உருவாக்க முடியும், ஆனால் கால்சின் செய்யப்பட்ட உடலில் நிறைய SiC உள்ளது, எதிர்வினை சின்டர் செய்யப்பட்ட SiC பீங்கான்களின் உயர் வெப்பநிலை பண்புகள் மோசமாக இருக்கும். அழுத்தம் இல்லாத கால்சின் செய்யப்பட்ட SiC மட்பாண்டங்கள், சூடான ஐசோஸ்டேடிக் கால்சின் செய்யப்பட்ட SiC மட்பாண்டங்கள் மற்றும் எதிர்வினை சின்டர் செய்யப்பட்ட SiC மட்பாண்டங்கள் வெவ்வேறு பண்புகளைக் கொண்டுள்ளன.

எதிர்வினை சின்டரிங் சிலிக்கான் கார்பைடு உற்பத்தியாளர்கள்: எடுத்துக்காட்டாக, கால்சின் செய்யப்பட்ட ஒப்பீட்டு அடர்த்தி மற்றும் வளைக்கும் வலிமை மட்டத்தில் SiC பீங்கான், சூடான அழுத்தும் சின்டரிங் மற்றும் சூடான ஐசோஸ்டேடிக் அழுத்தும் கால்சினேஷன் அதிகமாக உள்ளது, மேலும் எதிர்வினை சின்டரிங் SiC ஒப்பீட்டளவில் குறைவாக உள்ளது. அதே நேரத்தில், கால்சினேஷன் மாற்றியமைப்பாளரின் மாற்றத்துடன் SiC பீங்கான்களின் இயற்பியல் பண்புகள் மாறுகின்றன. SiC பீங்கான்களின் அழுத்தம் இல்லாத சின்டரிங், சூடான அழுத்தும் சின்டரிங் மற்றும் எதிர்வினை சின்டரிங் ஆகியவை நல்ல கார எதிர்ப்பு மற்றும் அமில எதிர்ப்பைக் கொண்டுள்ளன, ஆனால் எதிர்வினை சின்டர் செய்யப்பட்ட SiC பீங்கான் HF மற்றும் பிற மிகவும் வலுவான அமில அரிப்புக்கு பலவீனமான எதிர்ப்பைக் கொண்டுள்ளது. சுற்றுப்புற வெப்பநிலை 900 க்கும் குறைவாக இருக்கும்போது, ​​பெரும்பாலான SiC பீங்கான்களின் வளைக்கும் வலிமை உயர் வெப்பநிலை சின்டர் செய்யப்பட்ட பீங்கான்களை விட கணிசமாக அதிகமாக இருக்கும், மேலும் வினைத்திறன் சின்டர் செய்யப்பட்ட SiC பீங்கான்களின் வளைக்கும் வலிமை 1400 ஐ தாண்டும்போது கூர்மையாகக் குறைகிறது. (கால்சின் செய்யப்பட்ட உடலில் ஒரு குறிப்பிட்ட அளவு லேமினேட் கண்ணாடி Si இன் வளைக்கும் வலிமையில் ஏற்படும் திடீர் வீழ்ச்சியால் இது ஏற்படுகிறது. அழுத்தக் கால்சினேஷன் இல்லாமல் மற்றும் சூடான நிலையான நிலையான அழுத்தத்தின் கீழ் சின்டர் செய்யப்பட்ட SiC மட்பாண்டங்களின் உயர் வெப்பநிலை செயல்திறன் முக்கியமாக சேர்க்கைகளின் வகைகளால் பாதிக்கப்படுகிறது.