Реакция белән эшкәртелгән кремний карбиды фарфоры әйләнә-тирә мохит температурасында яхшы кысу ныклыгына, һава оксидлашуына җылылыкка чыдамлыгына, яхшы тузуга чыдамлыгына, яхшы җылылыкка чыдамлыгына, сызыклы киңәю коэффициентының түбән булуына, югары җылылык тапшыру коэффициентына, югары катылыкка, җылылыкка һәм җимерүгә чыдамлыгына, янгынга каршы торучанлыкка һәм башка югары сыйфатлы үзенчәлекләргә ия. Транспорт чараларында, механик автоматизациядә, экологик әйләнә-тирә мохитне саклауда, аэрокосмик инженериядә, мәгълүмати электрон җайланмаларда, энергетикада һәм башка өлкәләрдә киң кулланыла, күп кенә сәнәгать өлкәләрендә экономияле һәм алыштыргысыз структура керамикасына әйләнде.
Басымсыз бышырту SiC кальцинацияләүнең перспективалы ысулы буларак билгеле. Төрле өзлексез кою машиналары өчен пресссыз бышыртуны каты фазалы бышырту һәм югары нәтиҗәле сыек фазалы бышыртуга бүлергә мөмкин. Бик вак Beta SiC порошогына тиешле B һәм C (кислород күләме 2% тан ким) өстәп, S. Proehazka 2020 елда 98% тан артык чагыштырма тыгызлыктагы SIC кальцинацияләнгән җисемгә бышырыла, өстәмәләр буларак Al2O3 һәм Y2O3 кулланыла. 1850-1950 елларда 0,5 м-SiC кальцинацияләнә (кисәкчәләр өслеге аз гына SiO2 белән), нәтиҗә шундый: SiC фарфорының тыгызлыгы төп теоретик тыгызлыкның 95% тан артып китә, бөртекләре кечкенә, ә уртача зурлыгы зур, ягъни 1,5 мкм.
Реактив синтезлау кремний карбиды сыек фаза яки югары җитештерүчән сыек фаза белән күзәнәкле структуралы запчастины чагылдыру процессын аңлата, запчастиның сыйфатын яхшырта, җилләтү тишеген киметә һәм әзер продуктны билгеле бер ныклык һәм үлчәм төгәллеге белән кальцинацияли. Плутоний-су порошогы һәм югары сафлыклы графит билгеле бер пропорциядә кушыла һәм чәч эмбрионы барлыкка китерү өчен якынча 1650 градуска кадәр җылытыла. Шул ук вакытта ул сыек фаза Si аша корыч эченә үтеп керә яки үтеп керә, кремний карбиды белән чагылып плутоний-су кисәкчәләрен барлыкка китерә һәм булган плутоний-су кисәкчәләре белән кушыла. Si инфильтрациясеннән соң, чагыштырмача тыгызлыгы һәм төргәкләнмәгән зурлыгы булган реакцияләнгән җисем алырга мөмкин. Башка синтезлау ысуллары белән чагыштырганда, югары тыгызлыктагы реакция процессында зурлык трансформациясе чагыштырмача кечкенә, товарларның дөрес зурлыгын булдыра ала, ләкин кальцинацияләнгән җисемдә күп SiC бар, реакцияләнгән SiC фарфорының югары температура характеристикалары начаррак булачак. Басымсыз кальцинацияләнгән SiC керамикасы, кайнар изостатик кальцинацияләнгән SiC керамикасы һәм реакция белән эшкәртелгән SiC керамикасы төрле үзенчәлекләргә ия.
Реактив синтезлау кремний карбиды җитештерүчеләре: Мәсәлән, SiC фарфорында кальцийланган чагыштырма тыгызлык һәм бөкләнү ныклыгы, кайнар пресслау һәм кайнар изостатик пресслауда кальцийлау күбрәк, һәм реактив синтезлау SiC чагыштырмача түбән. Шул ук вакытта, SiC фарфорының физик үзлекләре кальцийлау модификаторы үзгәрү белән үзгәрә. SiC фарфорының басымсыз синтезлау, кайнар пресслау һәм реакция синтезлау яхшы селтегә һәм кислотага чыдамлыгына ия, ләкин реакция белән синтезланган SiC фарфоры HF һәм башка бик көчле кислота коррозиясенә зәгыйфь каршылыкка ия. Әйләнә-тирә мохит температурасы 900 дән түбән булганда, күпчелек SiC фарфорының бөкләнү көче югары температурада кайнатылган фарфорга караганда күпкә югарырак, һәм реактив кайнатылган SiC фарфорының бөкләнү көче 1400 дән артып киткәч кискен төшә. (Бу билгеле бер күләмдәге ламинатланган пыяла Si бөкләнү көченең кальцинацияләнгән җисемдә билгеле бер температурадан артып китүе белән бәйле. Басым астында кайнатылган һәм даими статик басым астында кайнатылган SiC керамикасының югары температура күрсәткечләренә, нигездә, өстәмәләр төре тәэсир итә.
Бастырып чыгару вакыты: 2023 елның 7 ноябре