G5 G10 کے لیے TaC کوٹنگ کے ساتھ Wafer susceptor

VET انرجی کا آزادانہ طور پر تیار کردہ CVD ٹینٹلم کاربائیڈ (TaC) کوٹنگ ویفر سسپٹر سخت کام کرنے والے حالات جیسے کہ سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ، LED ایپیٹیکسیل ویفر گروتھ (MOCVD)، کرسٹل گروتھ فرنس، ہائی ٹمپریچر ویکیوم ہیٹ پوزٹ ٹریٹمنٹ (thVD) کیمیکل ٹریٹمنٹ (ThVD) وغیرہ کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے۔ گھنے اور یکساں ٹینٹلم کاربائیڈ کوٹنگ گریفائٹ سبسٹریٹ کی سطح پر بنتی ہے، جس سے ٹرے کو انتہائی اعلی درجہ حرارت کا استحکام (>3000℃)، پگھلی ہوئی دھات کی سنکنرن کے خلاف مزاحمت، تھرمل جھٹکا مزاحمت اور کم آلودگی کی خصوصیات ملتی ہیں، جس سے سروس کی زندگی میں نمایاں اضافہ ہوتا ہے۔

ہمارے تکنیکی فوائد:
1. انتہائی اعلی درجہ حرارت کا استحکام۔
3880°C میلٹنگ پوائنٹ: ٹینٹلم کاربائیڈ کوٹنگ 2500°C سے اوپر مسلسل اور مستحکم طور پر کام کر سکتی ہے، جو روایتی سلکان کاربائیڈ (SiC) کوٹنگز کے 1200-1400°C سڑنے والے درجہ حرارت سے کہیں زیادہ ہے۔
تھرمل جھٹکا مزاحمت: کوٹنگ کا تھرمل توسیعی گتانک گریفائٹ سبسٹریٹ (6.6×10 -6/K) سے ملتا ہے، اور کریکنگ یا گرنے سے بچنے کے لیے درجہ حرارت میں 1000 ° C سے زیادہ درجہ حرارت کے فرق کے ساتھ تیز درجہ حرارت میں اضافے اور گرنے کے چکر کو برداشت کر سکتا ہے۔
اعلی درجہ حرارت کی مکینیکل خصوصیات: کوٹنگ کی سختی 2000 HK (Vickers hardness) تک پہنچ جاتی ہے اور لچکدار ماڈیولس 537 GPa ہے، اور یہ اب بھی اعلی درجہ حرارت پر بہترین ساختی طاقت کو برقرار رکھتا ہے۔

2. عمل کی پاکیزگی کو یقینی بنانے کے لیے انتہائی سنکنرن مزاحم
بہترین مزاحمت: یہ سنکنرن گیسوں جیسے H₂, NH₃, SiH₄, HCl اور پگھلی ہوئی دھاتوں (جیسے Si, Ga) کے خلاف بہترین مزاحمت رکھتی ہے، رد عمل والے ماحول سے گریفائٹ سبسٹریٹ کو مکمل طور پر الگ کر دیتی ہے اور کاربن آلودگی سے بچاتی ہے۔
کم نجاست کی منتقلی: انتہائی اعلی پاکیزگی، مؤثر طریقے سے نائٹروجن، آکسیجن اور دیگر نجاستوں کی کرسٹل یا اپیٹیکسیل تہہ میں منتقلی کو روکتی ہے، مائیکرو ٹیوب کی خرابی کی شرح کو 50 فیصد سے زیادہ کم کرتی ہے۔

3. عمل کی مستقل مزاجی کو بہتر بنانے کے لیے نینو سطح کی درستگی
کوٹنگ کی یکسانیت: موٹائی رواداری≤±5%، سطح کا چپٹا پن نینو میٹر کی سطح تک پہنچ جاتا ہے، ویفر یا کرسٹل گروتھ پیرامیٹرز کی اعلی مستقل مزاجی، تھرمل یکسانیت کی خرابی <1%۔
جہتی درستگی: ±0.05mm رواداری حسب ضرورت کی حمایت کرتا ہے، 4-inch سے 12-inch wafers کو اپناتا ہے، اور اعلی درستگی والے آلات کے انٹرفیس کی ضروریات کو پورا کرتا ہے۔

4. دیرپا اور پائیدار، مجموعی اخراجات کو کم کرنا
بانڈنگ کی طاقت: کوٹنگ اور گریفائٹ سبسٹریٹ کے درمیان بانڈنگ کی طاقت ≥5 MPa ہے، جو کٹاؤ اور پہننے کے خلاف مزاحم ہے، اور سروس کی زندگی 3 گنا سے زیادہ بڑھ گئی ہے۔

مشین کی مطابقت
سی وی ڈی، ایم او سی وی ڈی، اے ایل ڈی، ایل پی ای، وغیرہ جیسے مین اسٹریم ایپیٹیکسیل اور کرسٹل گروتھ آلات کے لیے موزوں ہے، جس میں ایس آئی سی کرسٹل گروتھ (پی وی ٹی طریقہ)، گا این ایپیٹیکسی، ایل این سبسٹریٹ کی تیاری اور دیگر منظرنامے شامل ہیں۔
ہم مختلف قسم کی سسپٹر شکلیں فراہم کرتے ہیں جیسے فلیٹ، مقعر، محدب وغیرہ۔ موٹائی (5-50 ملی میٹر) اور پوزیشننگ ہول لے آؤٹ کو گہا کے ڈھانچے کے مطابق ایڈجسٹ کیا جا سکتا ہے تاکہ آلات کے ساتھ ہموار مطابقت حاصل کی جا سکے۔

اہم درخواستیں:
SiC کرسٹل کی نمو: PVT طریقہ میں، کوٹنگ تھرمل فیلڈ کی تقسیم کو بہتر بنا سکتی ہے، کنارے کے نقائص کو کم کر سکتی ہے، اور کرسٹل کے موثر گروتھ ایریا کو 95 فیصد سے زیادہ تک بڑھا سکتی ہے۔
GaN epitaxy: MOCVD کے عمل میں، سسپٹر تھرمل یکسانیت کی خرابی <1% ہے، اور epitaxial تہہ کی موٹائی کی مستقل مزاجی ±2% تک پہنچ جاتی ہے۔
AlN سبسٹریٹ کی تیاری: اعلی درجہ حرارت (>2000°C) امیشن ری ایکشن میں، TaC کوٹنگ گریفائٹ سبسٹریٹ کو مکمل طور پر الگ کر سکتی ہے، کاربن کی آلودگی سے بچ سکتی ہے، اور AlN کرسٹل کی پاکیزگی کو بہتر بنا سکتی ہے۔