Chotsukira cha Wafer chokhala ndi chophimba cha TaC cha G5 G10

Chophimba cha wafer cha VET Energy chopangidwa paokha cha CVD tantalum carbide (TaC) chapangidwa kuti chigwiritsidwe ntchito pamavuto monga kupanga ma semiconductor, kukula kwa wafer wa LED epitaxial (MOCVD), ng'anjo yokulirapo ya kristalo, chithandizo cha kutentha kwa vacuum chotentha kwambiri, ndi zina zotero. Kudzera muukadaulo wa chemical vapor deposition (CVD), chophimba cha tantalum carbide chokhuthala komanso chofanana chimapangidwa pamwamba pa graphite substrate, zomwe zimapangitsa kuti thireyi ikhale yolimba kwambiri kutentha (>3000℃), kukana dzimbiri lachitsulo chosungunuka, kukana kutentha ndi makhalidwe otsika oipitsa, zomwe zimapangitsa kuti ntchitoyo ikhale yayitali.

Ubwino wathu waukadaulo:
1. Kukhazikika kwa kutentha kwambiri.
3880°C Malo Osungunuka: Chophimba cha Tantalum carbide chimatha kugwira ntchito mosalekeza komanso mokhazikika kuposa 2500°C, kupitirira kutentha kwa 1200-1400°C kwa chophimba cha silicon carbide (SiC) chachikhalidwe.
Kukana kutentha: Kuchuluka kwa kutentha kwa chophimbacho kumafanana ndi kwa graphite substrate (6.6×10 -6 /K), ndipo kumatha kupirira kutentha komwe kumakwera mofulumira komanso kutsika ndi kusiyana kwa kutentha kopitilira 1000°C kuti tipewe kusweka kapena kugwa.
Kapangidwe ka makina kotentha kwambiri: Kulimba kwa chophimba kumafika pa 2000 HK (kulimba kwa Vickers) ndipo modulus yotanuka ndi 537 GPa, ndipo imasungabe mphamvu yabwino kwambiri yomangira pa kutentha kwambiri.

2. Yosagwira dzimbiri kwambiri kuti iwonetsetse kuti njira ndi yoyera
Kukana Kwabwino Kwambiri: Kukana Kwabwino Kwambiri Kukana Mpweya Wowononga Monga H₂, NH₃, SiH₄, HCl Ndi Zitsulo Zosungunuka (Monga Si, Ga), Kumachotsa Graphite Substrate Kuchokera Kumalo Omwe Amakhudzidwa Ndi Kuwonongeka Kwake Ndi Mpweya Wopanda Kaya.
Kusamuka kochepa kwa zinthu zodetsedwa: kuyera kwambiri, kumaletsa bwino kusamuka kwa nayitrogeni, mpweya ndi zinthu zina zodetsedwa kupita ku kristalo kapena epitaxial layer, kuchepetsa kuchuluka kwa zolakwika za ma microtubes ndi oposa 50%.

3. Kulondola kwa Nano-level kuti muwongolere kusinthasintha kwa njira
Kufanana kwa zokutira: kulekerera makulidwe≤±5%, kusalala kwa pamwamba kumafika pamlingo wa nanometer, kuonetsetsa kuti magawo a kukula kwa wafer kapena kristalo ndi ofanana kwambiri, cholakwika cha kutentha <1%.
Kulondola kwa miyeso: kumathandizira kusintha kwa ±0.05mm kulekerera, kumasintha kukhala ma wafer a mainchesi 4 mpaka mainchesi 12, ndipo kumakwaniritsa zosowa za zida zolumikizirana bwino kwambiri.

4. Yokhalitsa komanso yolimba, yochepetsa ndalama zonse
Mphamvu yolumikizira: Mphamvu yolumikizira pakati pa chophimba ndi graphite substrate ndi ≥5 MPa, yolimba ku kukokoloka ndi kuwonongeka, ndipo nthawi yogwirira ntchito imakulitsidwa ndi nthawi zoposa zitatu.

Kugwirizana kwa Makina
Yoyenera zida zokulira za epitaxial ndi kristalo monga CVD, MOCVD, ALD, LPE, ndi zina zotero, zomwe zimaphatikizapo kukula kwa kristalo ya SiC (njira ya PVT), GaN epitaxy, kukonzekera kwa substrate ya AlN ndi zochitika zina.
Timapereka mitundu yosiyanasiyana ya mawonekedwe a susceptor monga athyathyathya, opindika, opindika, ndi zina zotero. Kukhuthala (5-50mm) ndi kapangidwe ka dzenje loyikiramo zitha kusinthidwa malinga ndi kapangidwe ka dzenjelo kuti zigwirizane bwino ndi zidazo.

Mapulogalamu Aakulu:
Kukula kwa makristalo a SiC: Mu njira ya PVT, chophimbacho chingathe kukonza kufalikira kwa malo otentha, kuchepetsa zolakwika m'mphepete, ndikuwonjezera malo okulira bwino a kristalo kufika pa 95%.
GaN epitaxy: Mu ndondomeko ya MOCVD, cholakwika cha kutentha kwa susceptor ndi <1%, ndipo kusinthasintha kwa makulidwe a epitaxial layer kufika ± 2%.
Kukonzekera kwa gawo la AlN: Pa kutentha kwambiri (>2000°C) amination reaction, chophimba cha TaC chimatha kulekanitsa gawo la graphite kwathunthu, kupewa kuipitsidwa ndi kaboni, ndikuwonjezera kuyera kwa kristalo wa AlN.