He wafer susceptor me te TaC paninga mo G5 G10

Ko te CVD tantalum carbide (TaC) paninga angiangi susceptor whakakikoruatia motuhake a VET Energy kua hangaia mo nga ahuatanga mahi kino penei i te hanga semiconductor, te tipu angiangi epitaxial LED (MOCVD), te oumu tipu karaihe, te wera wera wera wera, me era atu. tïpako, hoatu te paepae ultra-tiketike pāmahana pūmautanga (> 3000 ℃), ātete ki te whakarewa whakarewa waikura, waiariki ru ātete me ngā āhuatanga parahanga iti, tino whakawhānui i te ora ratonga.

Ko o maatau painga hangarau:
1. Ultra-tiketike pūmautanga pāmahana.
3880°C Ira Whakarewa: Ka taea e te paninga Tantalum carbide te mahi tonu me te mau tonu i runga ake i te 2500°C, he nui rawa atu i te 1200-1400°C te pāmahana pirau o nga paninga kirikiri carbide (SiC) tikanga.
Te ātete o te weariki: Ko te whakareatanga whakawhänui whakawhäiti o te paninga e rite ana ki te tïpako kauwhata (6.6×10 -6 /K), ka taea te tu i te piki tere o te pāmahana me te takahuri huringa me te rereketanga o te pāmahana neke atu i te 1000°C kia kore ai e pakaru, kia taka atu ranei.
Nga taonga miihini teitei: Ko te pakeke o te paninga ka tae ki te 2000 HK (Vickers pakeke) me te modulus elastic ko 537 GPa, me te pupuri tonu i te kaha o te hanganga pai i nga wera teitei.

2. Tino waikura-ātete ki te whakarite ma te tukanga
He tino pai te parenga: He tino pai te atete ki nga hau kino penei i te H₂, NH₃, SiH₄, HCl me nga konganuku whakarewa (hei tauira, Si, Ga), ka tino wehe i te taputapu kauwhata mai i te taiao urupare me te karo i te poke waro.
Hekenga poke iti: ultra-tiketikete ma, tōtika tautāwhi i te heke o te hauota, hāora me ētahi atu poke ki te karaihe, paparanga epitaxial ranei, whakaiti i te auau koha o microtubes e neke atu i te 50%.

3. Nano-taumata tika ki te whakapai ake i te riterite o te tukanga
Whakataurite paninga: te matotoru tolerance≤ ± 5%, ka tae te papatahi o te mata ki te taumata nanometer, te whakarite kia rite tonu te ahua o te angiangi, te karaihe ranei o te tipu tipu, te hapa o te taurite waiariki<1%.
Te tika o te ahu: tautoko ± 0.05mm te whakaritenga o te manawanui, ka uru ki te 4-inihi ki te 12-inihi angiangi, me te whakatutuki i nga hiahia o nga atanga taputapu tino tika.

4. Ka roa te roa me te roa, ka whakaiti i nga utu katoa
Te kaha here: Ko te kaha o te hono i waenga i te paninga me te taputapu graphite he ≥5 MPa, he aukati ki te horo me te kakahu, a ka roa ake te ora o te ratonga i te 3 wa.

Miihini Hototahi
He pai mo nga taputapu tipu epitaxial me te karaihe nui penei i te CVD, MOCVD, ALD, LPE, me etahi atu, e hipoki ana i te tipu kiripiri SiC (tikanga PVT), GaN epitaxy, AlN takahanga substrate me etahi atu ahuatanga.
Ka whakaratohia e matou he momo ahua o te susceptor penei i te papatahi, te concave, te convex, me etahi atu. Ko te matotoru (5-50mm) me te whakatakotoranga o te kohao ka taea te whakarite kia rite ki te hanganga o te kohao kia tutuki pai ai te Hototahi ki nga taputapu.

Nga tono matua:
Te tipu o te karaihe SiC: I roto i te tikanga PVT, ka taea e te paninga te arotau i te tohatoha mara waiariki, te whakaiti i nga hapa o te taha, me te whakanui ake i te waahanga tipu whai hua o te karaihe ki te neke atu i te 95%.
GaN epitaxy: I roto i te tukanga MOCVD, he <1% te hapa o te waiariki susceptor, me te rite o te matotoru paparanga epitaxial ka tae ki te ±2%.
Te whakarite i te tïpako AlN: I te nui o te pāmahana (> 2000°C) tauhohenga amination, ka taea e te paninga TaC te tino wehe i te tïpako graphite, te karo i te poke waro, me te whakapai ake i te ma o te karaihe AlN.