Sisèpteur wafer ak kouch TaC pou G5 G10

Sisèpteur waf kouch CVD tantalyòm carbure (TaC) ki devlope endepandamman pa VET Energy a fèt pou kondisyon travay difisil tankou fabrikasyon semi-kondiktè, kwasans waf epitaksiyal LED (MOCVD), founo kwasans kristal, tretman chalè vakyòm tanperati ki wo, elatriye. Atravè teknoloji depo vapè chimik (CVD), yon kouch tantalyòm carbure dans ak inifòm fòme sou sifas substrat grafit la, sa ki bay plato a estabilite tanperati ultra wo (>3000 ℃), rezistans a korozyon metal fonn, rezistans chòk tèmik ak karakteristik polisyon ki ba, ki pwolonje lavi sèvis la anpil.

Avantaj teknik nou yo:
1. Estabilite tanperati ultra-wo.
Pwen fizyon 3880°C: Kouch carbure tantal la ka fonksyone kontinyèlman epi yon fason ki estab anlè 2500°C, li depase tanperati dekonpozisyon 1200-1400°C kouch carbure silikon konvansyonèl yo (SiC).
Rezistans chòk tèmik: Koyefisyan ekspansyon tèmik kouch la koresponn ak sa ki nan substrat grafit la (6.6 × 10 -6 /K), epi li ka reziste sik ogmantasyon ak desant tanperati rapid ak yon diferans tanperati ki plis pase 1000 °C pou evite fann oswa tonbe.
Pwopriyete mekanik nan tanperati ki wo: Dite kouch la rive nan 2000 HK (dite Vickers) epi modil elastik la se 537 GPa, epi li toujou kenbe yon ekselan fòs estriktirèl nan tanperati ki wo.

2. Trè rezistan a korozyon pou asire pite pwosesis la
Ekselan rezistans: Li gen ekselan rezistans a gaz koroziv tankou H₂, NH₃, SiH₄, HCl ak metal fonn (pa egzanp Si, Ga), izole nèt substrat grafit la nan anviwònman reyaktif la epi evite kontaminasyon kabòn.
Migrasyon enpurte ki ba: pite ultra-wo, anpeche migrasyon azòt, oksijèn ak lòt enpurte nan kristal la oswa kouch epitaksi a efektivman, diminye to domaj mikrotub yo pa plis pase 50%.

3. Presizyon nan nivo nano pou amelyore konsistans pwosesis la
Inifòmite kouch: tolerans epesè ≤ ± 5%, planè sifas rive nan nivo nanomèt, asire yon gwo konsistans nan paramèt kwasans wafer oswa kristal, erè inifòmite tèmik <1%.
Presizyon dimansyon: sipòte personnalisation tolerans ±0.05mm, adapte ak waflè 4 pous rive 12 pous, epi satisfè bezwen koòdone ekipman ki gen gwo presizyon.

4. Dirab ak dirab, diminye depans jeneral yo
Fòs lyezon: Fòs lyezon ant kouch la ak substrat grafit la se ≥5 MPa, rezistan a ewozyon ak mete, epi lavi sèvis la pwolonje plis pase 3 fwa.

Konpatibilite machin
Apwopriye pou ekipman epitaksyal ak kwasans kristal endikap tankou CVD, MOCVD, ALD, LPE, elatriye, ki kouvri kwasans kristal SiC (metòd PVT), epitaksi GaN, preparasyon substrat AlN ak lòt senaryo.
Nou bay yon varyete fòm sisèpteur tankou plat, konkav, konvèks, elatriye. Epesè a (5-50mm) ak pozisyon twou a ka ajiste selon estrikti kavite a pou reyalize yon konpatibilite san pwoblèm ak ekipman an.

Aplikasyon prensipal yo:
Kwasans kristal SiC: Nan metòd PVT a, kouch la ka optimize distribisyon chan tèmik la, diminye domaj kwen yo, epi ogmante zòn kwasans efikas kristal la a plis pase 95%.
Epitaksi GaN: Nan pwosesis MOCVD a, erè inifòmite tèmik susèpteur a se <1%, epi konsistans epesè kouch epitaksi a rive nan ±2%.
Preparasyon substrat AlN: Nan reyaksyon aminasyon tanperati ki wo (>2000°C), kouch TaC a ka izole substrat grafit la nèt, evite kontaminasyon kabòn, epi amelyore pite kristal AlN lan.