Suporte de wafer com revestimento de TaC para G5 G10

O suporte para wafers com revestimento de carbeto de tântalo (TaC) por CVD, desenvolvido independentemente pela VET Energy, foi projetado para condições de trabalho severas, como fabricação de semicondutores, crescimento epitaxial de wafers de LED (MOCVD), forno de crescimento de cristais, tratamento térmico a vácuo em alta temperatura, etc. Através da tecnologia de deposição química de vapor (CVD), um revestimento denso e uniforme de carbeto de tântalo é formado na superfície do substrato de grafite, conferindo ao suporte estabilidade térmica ultra-alta (>3000℃), resistência à corrosão por metal fundido, resistência ao choque térmico e características de baixa poluição, prolongando significativamente a vida útil.

Nossas vantagens técnicas:
1. Estabilidade térmica ultra-alta.
Ponto de fusão de 3880°C: O revestimento de carboneto de tântalo pode operar de forma contínua e estável acima de 2500°C, superando em muito a temperatura de decomposição de 1200-1400°C dos revestimentos convencionais de carboneto de silício (SiC).
Resistência ao choque térmico: O coeficiente de expansão térmica do revestimento corresponde ao do substrato de grafite (6,6×10⁻⁶ /K) e pode suportar ciclos rápidos de aumento e diminuição de temperatura com uma diferença de temperatura superior a 1000 °C, evitando rachaduras ou desprendimento.
Propriedades mecânicas em altas temperaturas: A dureza do revestimento atinge 2000 HK (dureza Vickers) e o módulo de elasticidade é de 537 GPa, mantendo ainda excelente resistência estrutural em altas temperaturas.

2. Extremamente resistente à corrosão para garantir a pureza do processo.
Excelente resistência: Possui excelente resistência a gases corrosivos como H₂, NH₃, SiH₄, HCl e metais fundidos (ex.: Si, Ga), isolando completamente o substrato de grafite do ambiente reativo e evitando a contaminação por carbono.
Baixa migração de impurezas: pureza ultra-alta, inibe eficazmente a migração de nitrogênio, oxigênio e outras impurezas para o cristal ou camada epitaxial, reduzindo a taxa de defeitos dos microtubos em mais de 50%.

3. Precisão em nanoescala para melhorar a consistência do processo.
Uniformidade do revestimento: tolerância de espessura ≤ ±5%, planicidade da superfície atinge o nível nanométrico, garantindo alta consistência dos parâmetros de crescimento do wafer ou cristal, erro de uniformidade térmica <1%.
Precisão dimensional: suporta personalização com tolerância de ±0,05 mm, adapta-se a wafers de 4 a 12 polegadas e atende às necessidades de interfaces de equipamentos de alta precisão.

4. Durável e de longa duração, reduzindo os custos totais.
Resistência de adesão: A resistência de adesão entre o revestimento e o substrato de grafite é ≥5 MPa, resistente à erosão e ao desgaste, e a vida útil é prolongada em mais de 3 vezes.

Compatibilidade da máquina
Adequado para equipamentos convencionais de crescimento epitaxial e cristalino, como CVD, MOCVD, ALD, LPE, etc., abrangendo o crescimento de cristais de SiC (método PVT), epitaxia de GaN, preparação de substrato de AlN e outros cenários.
Oferecemos uma variedade de formatos de susceptores, como planos, côncavos, convexos, etc. A espessura (5-50 mm) e o layout dos furos de posicionamento podem ser ajustados de acordo com a estrutura da cavidade para obter compatibilidade perfeita com o equipamento.

Principais aplicações:
Crescimento de cristais de SiC: No método PVT, o revestimento pode otimizar a distribuição do campo térmico, reduzir defeitos nas bordas e aumentar a área efetiva de crescimento do cristal para mais de 95%.
Epitaxia de GaN: No processo MOCVD, o erro de uniformidade térmica do susceptor é <1% e a consistência da espessura da camada epitaxial atinge ±2%.
Preparação do substrato de AlN: Na reação de aminação em alta temperatura (>2000°C), o revestimento de TaC pode isolar completamente o substrato de grafite, evitar a contaminação por carbono e melhorar a pureza do cristal de AlN.