Susceptor de wafer com revestimento TaC para G5 G10

O susceptor de wafer de revestimento de carboneto de tântalo (TaC) CVD desenvolvido de forma independente pela VET Energy foi projetado para condições de trabalho adversas, como fabricação de semicondutores, crescimento de wafer epitaxial de LED (MOCVD), forno de crescimento de cristal, tratamento térmico a vácuo de alta temperatura, etc. Por meio da tecnologia de deposição química de vapor (CVD), um revestimento denso e uniforme de carboneto de tântalo é formado na superfície do substrato de grafite, dando à bandeja estabilidade em temperatura ultra-alta (> 3000 ℃), resistência à corrosão de metal fundido, resistência a choque térmico e características de baixa poluição, estendendo significativamente a vida útil.

Nossas vantagens técnicas:
1. Estabilidade em temperatura ultra-alta.
Ponto de fusão de 3880°C: O revestimento de carboneto de tântalo pode operar de forma contínua e estável acima de 2500°C, excedendo em muito a temperatura de decomposição de 1200-1400°C dos revestimentos convencionais de carboneto de silício (SiC).
Resistência ao choque térmico: O coeficiente de expansão térmica do revestimento corresponde ao do substrato de grafite (6,6×10 -6 /K) e pode suportar ciclos rápidos de aumento e queda de temperatura com uma diferença de temperatura de mais de 1000°C para evitar rachaduras ou quedas.
Propriedades mecânicas em altas temperaturas: A dureza do revestimento atinge 2000 HK (dureza Vickers) e o módulo de elasticidade é de 537 GPa, mantendo ainda excelente resistência estrutural em altas temperaturas.

2. Extremamente resistente à corrosão para garantir a pureza do processo
Excelente resistência: Possui excelente resistência a gases corrosivos como H₂, NH₃, SiH₄, HCl e metais fundidos (ex: Si, Ga), isolando completamente o substrato de grafite do ambiente reativo e evitando contaminação por carbono.
Baixa migração de impurezas: pureza ultra-alta, inibe efetivamente a migração de nitrogênio, oxigênio e outras impurezas para o cristal ou camada epitaxial, reduzindo a taxa de defeitos dos microtubos em mais de 50%.

3. Precisão em nível nano para melhorar a consistência do processo
Uniformidade do revestimento: tolerância de espessura ≤±5%, planura da superfície atinge nível nanométrico, garantindo alta consistência dos parâmetros de crescimento de wafer ou cristal, erro de uniformidade térmica <1%.
Precisão dimensional: suporta personalização de tolerância de ±0,05 mm, adapta-se a wafers de 4 a 12 polegadas e atende às necessidades de interfaces de equipamentos de alta precisão.

4. Duradouro e durável, reduzindo custos gerais
Resistência de ligação: A resistência de ligação entre o revestimento e o substrato de grafite é ≥5 MPa, resistente à erosão e ao desgaste, e a vida útil é estendida em mais de 3 vezes.

Compatibilidade da máquina
Adequado para equipamentos de crescimento epitaxial e de cristal convencionais, como CVD, MOCVD, ALD, LPE, etc., abrangendo crescimento de cristais de SiC (método PVT), epitaxia de GaN, preparação de substrato de AlN e outros cenários.
Fornecemos uma variedade de formatos de susceptores, como plano, côncavo, convexo, etc. A espessura (5-50 mm) e o layout do furo de posicionamento podem ser ajustados de acordo com a estrutura da cavidade para obter compatibilidade perfeita com o equipamento.

Principais aplicações:
Crescimento de cristais de SiC: No método PVT, o revestimento pode otimizar a distribuição do campo térmico, reduzir defeitos de borda e aumentar a área de crescimento efetiva do cristal para mais de 95%.
Epitaxia GaN: No processo MOCVD, o erro de uniformidade térmica do susceptor é <1%, e a consistência da espessura da camada epitaxial atinge ±2%.
Preparação do substrato de AlN: Na reação de aminação em alta temperatura (>2000°C), o revestimento de TaC pode isolar completamente o substrato de grafite, evitar contaminação por carbono e melhorar a pureza do cristal de AlN.