G5 G10 өчен TaC каплавы белән вафер сусепторы

VET Энергиянең мөстәкыйль эшләнгән CVD тантал карбид (TaC) каплагыч вафин сусепторы ярымүткәргеч җитештерү, LED эпитаксиаль вафер үсеше (MOCVD), кристалл үсеш миче, югары температуралы вакуум җылылык эшкәртү кебек катлаулы эш шартлары өчен эшләнгән, химик пар парламенты (CVD) технологиясе, тыгыз һәм бертөрле танталлы карбитлы тантал. ультра югары температураның тотрыклылыгы (> 3000 ℃), эретелгән металл коррозиясенә каршы тору, җылылык шокына каршы тору һәм түбән пычрану үзенчәлекләре, хезмәт срогын сизелерлек озайта.

Безнең техник өстенлекләр:
1. Ультра югары температураның тотрыклылыгы.
3880 ° C Эретү ноктасы: Тантал карбид каплавы 2500 ° C өстендә өзлексез һәм тотрыклы эшли ала, гадәти кремний карбид (SiC) каплау температурасының 1200-1400 ° C тан артык.
Rылылык шокына каршы тору: каплауның җылылык киңәйтү коэффициенты графит субстратына туры килә (6,6 × 10 -6 / К), һәм тиз температураның күтәрелүенә һәм төшү циклына 1000 ° C тан артык температура аермасы белән ярылырга яки төшмәскә мөмкин.
Temperatureгары температураның механик үзлекләре: каплау катылыгы 2000 HK (Викерс катылыгы) һәм эластик модуль 537 GPa тәшкил итә, һәм ул һаман да югары температурада искиткеч структур көчен саклый.

2. Процесс чисталыгын тәэмин итү өчен бик коррозиягә чыдам
Искиткеч каршылык: H₂, NH₃, SiH₄, HCl һәм эретелгән металллар (мәсәлән, Si, Ga) кебек коррозив газларга искиткеч каршылык күрсәтә, графит субстратын реактив мохиттән тулысынча аера һәм углерод пычрануыннан саклый.
Аз пычраклык миграциясе: ультра югары чисталык, азот, кислород һәм башка пычракларның кристалл яки эпитаксиаль катламга күчүен эффектив тоткарлый, микротубларның җитешсезлек дәрәҗәсен 50% тан киметә.

3. Процесс эзлеклелеген яхшырту өчен нано дәрәҗәсендәге төгәллек
Каплау бердәмлеге: калынлыкка толерантлык ≤ 5%, өслекнең яссылыгы нанометр дәрәҗәсенә җитә, вафин яки кристалл үсеш параметрларының югары эзлеклелеген тәэмин итә, җылылык бердәмлеге хата <1%.
Ensionлчәм төгәллеге: ± 0.05 мм толерантлыкны үзләштерә, 4 дюймнан 12 дюймлы ваферга яраклаша, һәм югары төгәл җиһаз интерфейслары ихтыяҗларын канәгатьләндерә.

4. Озакка сузылган һәм чыдам, гомуми чыгымнарны киметә
Бәйләү көче: каплау белән графит субстрат арасындагы бәйләнеш көче MP5 MPa, эрозиягә һәм киемгә чыдам, хезмәт итү вакыты 3 тапкырга озайтыла.

Машина ярашуы
SiC кристалл үсешен (PVT ысулы), GaN эпитаксы, AlN субстрат әзерләү һәм башка сценарийларны үз эченә алган CVD, MOCVD, ALD, LPE һ.б. төп эпитаксиаль һәм кристалл үсеш җиһазлары өчен яраклы.
Без яссы, конвейк, конвекс һ.б. кебек төрле сенсор формаларын тәкъдим итәбез. Калынлыгы (5-50 мм) һәм урнашу тишеге урнашуы җиһаз белән бер-берсенә туры килмәү өчен куыш структурасы буенча көйләнергә мөмкин.

Төп кушымталар:
SiC кристалл үсеше: ПВТ ысулында каплау җылылык кырын бүлүне оптимальләштерә, кыр җитешсезлекләрен киметә һәм кристаллның эффектив үсеш мәйданын 95% тан арттыра ала.
GaN эпитаксы: MOCVD процессында, җылыткыч җылылык бердәмлеге хата <1%, эпитаксиаль катлам калынлыгының эзлеклелеге ± 2% ка җитә.
AlN субстрат әзерләү: temperatureгары температурада (> 2000 ° C) аминация реакциясендә, TaC капламы графит субстратын тулысынча изоляцияли, углерод пычрануыннан һәм AlN кристаллының чисталыгын яхшырта ала.