G5 G10 өчен TaC каплавы белән пластиналы сусептор

Кыскача тасвирлама:

VET Energy югары нәтиҗәле CVD тантал карбиды (TaC) белән капланган графит сусепторын тикшеренүләргә һәм җитештерүгә юнәлтелгән, ярымүткәргеч, фотоэлектрик һәм югары дәрәҗәдәге җитештерү тармакларын бәйсез патентланган технологияләр белән тәэмин итә. CVD процессы аша графит субстраты өслегендә ультра тыгыз, югары чисталыктагы TaC каплавы барлыкка килә. Продукт ультра югары температурага чыдамлылык (>3000℃), эрегән металл коррозиясенә чыдамлылык, термик шокка чыдамлылык һәм нуль пычрану үзенчәлекләренә ия, кыска гомерлелек һәм традицион графит табакларының җиңел пычрануын җиңә.

 

 


Продукт детальләре

Продукт теглары

VET Energy компаниясенең мөстәкыйль рәвештә эшләнгән CVD тантал карбиды (TaC) каплау пластинасы сусцепторы ярымүткәргечләр җитештерү, LED эпитаксиаль пластина үстерү (MOCVD), кристалл үстерү миче, югары температуралы вакуум җылылык эшкәртү һ.б. кебек авыр эш шартлары өчен эшләнгән. Химик пар белән каплау (CVD) технологиясе ярдәмендә графит субстраты өслегендә тыгыз һәм бердәм тантал карбиды каплавы барлыкка килә, бу лотокка ультра югары температура тотрыклылыгы (>3000℃), эрегән металл коррозиясенә чыдамлык, термик шокка чыдамлык һәм түбән пычрану характеристикалары бирә, хезмәт итү вакытын сизелерлек озайта.

Безнең техник өстенлекләр:
1. Бик югары температура тотрыклылыгы.
3880°C Эрү температурасы: Тантал карбиды каплавы 2500°C тан югары температурада өзлексез һәм тотрыклы эшли ала, бу гадәти кремний карбиды (SiC) каплавының 1200-1400°C таркалу температурасыннан күпкә артып китә.
Термик бәрелүгә чыдамлык: Капламаның термик киңәю коэффициенты графит нигезенең коэффициентына туры килә (6.6 × 10 -6 /K) һәм 1000°C тан артык температура аермасы белән тиз күтәрелү һәм төшү циклларына чыдам, ярылудан яки коелудан саклана.
Югары температуралы механик үзлекләре: Каплама катылыгы 2000 HK (Викерс катылыгы) га җитә, ә эластиклык модуле 537 GPa тәшкил итә, һәм ул югары температураларда да бик яхшы структура ныклыгын саклый.

2. Процессның чисталыгын тәэмин итү өчен коррозиягә бик чыдам
Бик яхшы каршылык: Ул H₂, NH₃, SiH₄, HCl кебек коррозияле газларга һәм эрегән металларга (мәсәлән, Si, Ga) бик яхшы каршылык күрсәтә, графит субстратын реактив мохиттән тулысынча аерып тора һәм углерод белән пычранудан саклый.
Түбән катнашма миграциясе: бик югары сафлык, азот, кислород һәм башка катнашмаларның кристалл яки эпитаксиаль катламга миграциясен нәтиҗәле рәвештә тоткарлый, микротюбикларның кимчелек дәрәҗәсен 50% тан артыкка киметә.

3. Процесс тотрыклылыгын яхшырту өчен нано-дәрәҗәдәге төгәллек
Каплауның бердәмлеге: калынлык чыдамлыгы ≤±5%, өслек тигезлеге нанометр дәрәҗәсенә җитә, пластина яки кристалл үсеш параметрларының югары консистенциясен тәэмин итә, җылылык бердәмлеге хатасы <1%.
Үлчәм төгәллеге: ±0,05 мм түземлелек көйләүләрен хуплый, 4 дюймнан 12 дюймга кадәр пластиналарга җайлаша һәм югары төгәллекле җиһаз интерфейслары ихтыяҗларын канәгатьләндерә.

4. Озак вакыт хезмәт итә һәм нык, гомуми чыгымнарны киметә
Ябышлылык ныклыгы: Каплама һәм графит нигез арасындагы бәйләнеш ныклыгы ≥5 МПа, эрозиягә һәм тузуга чыдам, хезмәт итү вакыты 3 тапкырдан артыкка озайтыла.

Машина туры килүчәнлеге
SiC кристаллары үсешен (PVT ысулы), GaN эпитаксиясен, AlN субстратын әзерләүне һәм башка сценарийларны үз эченә алган CVD, MOCVD, ALD, LPE һ.б. кебек эпитаксиаль һәм кристаллар үстерү җиһазлары өчен яраклы.
Без төрле сусцептор формаларын тәкъдим итәбез, мәсәлән, яссы, эчкә баткан, кабарынкы һ.б. Калынлыгы (5-50 мм) һәм тишекләрнең урнашуы җиһазлар белән бербөтен туры килүчәнлеккә ирешү өчен куышлык структурасына карап көйләнергә мөмкин.

Төп кушымталар:
SiC кристалл үсеше: PVT ысулында каплау җылылык кыры таралышын оптимальләштерә, кырыйлардагы кимчелекләрне киметә һәм кристаллның нәтиҗәле үсеш мәйданын 95% тан артыкка кадәр арттыра ала.
GaN эпитаксиясе: MOCVD процессында сусцепторның җылылык бердәмлеге хатасы <1%, ә эпитаксиаль катлам калынлыгының консистенциясе ±2% ка җитә.
AlN субстратын әзерләү: Югары температурада (>2000°C) аминлаштыру реакциясендә TaC каплавы графит субстратын тулысынча аерып ала, углерод белән пычранудан саклый һәм AlN кристалының сафлыгын яхшырта ала.

TaC белән капланган графит сусепторлары (5)
https://www.vet-china.com/tantalum-carbide-coating-wafer-susceptor.html/

碳化钽涂层物理特性物理特性

Физик үзлекләре TaC каплау

密度/ Тыгызлык

14,3 (г/см³)

比辐射率 / Махсус нурланыш

0.3

热膨胀系数 / Җылылык киңәю коэффициенты

6.3 10-6/K

努氏硬度/ Катылык (HK)

2000 Гонконг

电阻 / Каршылык

1×10-5 Ом*см

热稳定性 / Термик тотрыклылык

<2500℃

石墨尺寸变化 / Графит зурлыгы үзгәрүе

-10~-20 мкм

涂层厚度 / Каплау калынлыгы

≥30 мкм типик кыйммәт (35 мкм ± 10 мкм)

 

TaC каплавы
TaC каплавы 3
TaC каплавы 2

Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd - югары технологияле алдынгы материаллар эшләү һәм җитештерүгә юнәлтелгән югары технологияле предприятие, графит, кремний карбиды, керамика, SiC каплавы, TaC каплавы, пыяла углерод каплавы, пиролитик углерод каплавы һ.б. кебек өслек эшкәртү материаллары һәм технологияләре. Бу продуктлар фотоэлектрик, ярымүткәргечләр, яңа энергетика, металлургия һ.б. өлкәләрдә киң кулланыла.

Безнең техник команда алдынгы илкүләм тикшеренү институтларыннан килә һәм продуктның нәтиҗәлелеген һәм сыйфатын тәэмин итү өчен күп патентланган технологияләр эшләде, шулай ук ​​клиентларга профессиональ материал чишелешләре тәкъдим итә ала.

Клиентлар

  • Алдагысы:
  • Киләсе:

  • WhatsApp онлайн чаты!