Kinasio cha kaki kilicho na mipako ya TaC kwa G5 G10

Kikasi cha kupakia cha VET Energy kilichoundwa kwa kujitegemea cha CVD tantalum carbide (TaC) kimeundwa kwa ajili ya mazingira magumu ya kufanya kazi kama vile utengenezaji wa semiconductor, ukuaji wa kaki ya LED (MOCVD), tanuru ya ukuaji wa fuwele, matibabu ya joto ya utupu wa joto la juu, n.k. Kupitia teknolojia ya uwekaji wa mvuke wa kemikali (CVD) teknolojia, tantalum ya uso mnene na sare ya tantalum huunda juu ya sare ya tantalum. substrate, kutoa tray utulivu wa joto la juu (> 3000 ℃), upinzani dhidi ya kutu ya chuma iliyoyeyuka, upinzani wa mshtuko wa joto na sifa za uchafuzi wa chini, kwa kiasi kikubwa kupanua maisha ya huduma.

Faida zetu za kiufundi:
1. Utulivu wa joto la juu.
Kiwango Myeyuko cha 3880°C: Mipako ya CARBIDE ya Tantalum inaweza kufanya kazi kwa kuendelea na kwa uthabiti zaidi ya 2500°C, kuzidi kwa mbali joto la mtengano la 1200-1400°C la mipako ya kawaida ya silicon carbudi (SiC).
Upinzani wa mshtuko wa joto: Mgawo wa upanuzi wa joto wa mipako inalingana na substrate ya grafiti (6.6×10 -6 /K), na inaweza kuhimili mzunguko wa kasi wa kupanda na kushuka kwa joto na tofauti ya joto ya zaidi ya 1000 ° C ili kuepuka kupasuka au kuanguka.
Tabia ya mitambo ya joto la juu: Ugumu wa mipako hufikia 2000 HK (ugumu wa Vickers) na moduli ya elastic ni 537 GPa, na bado ina nguvu bora ya kimuundo kwa joto la juu.

2. Inastahimili kutu sana ili kuhakikisha usafi wa mchakato
Upinzani bora kabisa: Ina upinzani bora kwa gesi babuzi kama vile H₂, NH₃, SiH₄, HCl na metali zilizoyeyuka (km Si, Ga), ikitenganisha kabisa substrate ya grafiti kutoka kwa mazingira tendaji na kuzuia uchafuzi wa kaboni.
Uhamiaji wa uchafu wa chini: usafi wa juu-juu, huzuia kwa ufanisi uhamiaji wa nitrojeni, oksijeni na uchafu mwingine kwenye safu ya kioo au epitaxial, kupunguza kiwango cha kasoro cha microtubes kwa zaidi ya 50%.

3. Usahihi wa kiwango cha Nano ili kuboresha uthabiti wa mchakato
Usawa wa mipako: uvumilivu wa unene≤± 5%, usawa wa uso unafikia kiwango cha nanometer, kuhakikisha uwiano wa juu wa vigezo vya ukuaji wa kaki au kioo, kosa la usawa wa mafuta<1%.
Usahihi wa vipimo: inasaidia uwekaji mapendeleo wa kustahimili ± 0.05mm, hubadilika hadi inchi 4 hadi kaki za inchi 12, na inakidhi mahitaji ya violesura vya vifaa vya usahihi wa juu.

4. Muda mrefu na wa kudumu, kupunguza gharama za jumla
Nguvu ya kuunganisha: Nguvu ya kuunganisha kati ya mipako na substrate ya grafiti ni ≥5 MPa, inayostahimili mmomonyoko wa udongo na kuvaa, na maisha ya huduma hupanuliwa kwa zaidi ya mara 3.

Utangamano wa Mashine
Inafaa kwa ajili ya vifaa vya kawaida vya ukuaji wa epitaxial na fuwele kama vile CVD, MOCVD, ALD, LPE, n.k., inayofunika ukuaji wa fuwele ya SiC (mbinu ya PVT), epitaxy ya GaN, utayarishaji wa substrate ya AlN na matukio mengine.
Tunatoa aina mbalimbali za maumbo ya kizio kama vile bapa, mbonyeo, mbonyeo, n.k. Unene (5-50mm) na mpangilio wa shimo la kuweka unaweza kurekebishwa kulingana na muundo wa tundu ili kufikia Utangamano usio imefumwa na vifaa.

Maombi Kuu:
Ukuaji wa fuwele za SiC: Katika mbinu ya PVT, mipako inaweza kuboresha usambazaji wa uwanja wa mafuta, kupunguza kasoro za makali, na kuongeza eneo la ukuaji wa fuwele hadi zaidi ya 95%.
Epitaxy ya GaN: Katika mchakato wa MOCVD, hitilafu ya usawa wa susceptor ya joto ni <1%, na uthabiti wa safu ya epitaxial hufikia ± 2%.
Utayarishaji wa substrate ya AlN: Katika halijoto ya juu (>2000°C) mmenyuko wa umwagaji, mipako ya TaC inaweza kutenga kabisa substrate ya grafiti, kuepuka uchafuzi wa kaboni, na kuboresha usafi wa kioo cha AlN.