Kifaa cha kushikilia kaki chenye mipako ya TaC kwa G5 G10

Kifaa cha kufunika kabati ya CVD tantalum carbide (TaC) cha VET Energy kilichotengenezwa kwa kujitegemea kimeundwa kwa ajili ya hali ngumu za kazi kama vile utengenezaji wa nusu-semiconductor, ukuaji wa kabati ya LED epitaxial (MOCVD), tanuru ya ukuaji wa fuwele, matibabu ya joto la utupu kwa joto la juu, n.k. Kupitia teknolojia ya uwekaji wa mvuke wa kemikali (CVD), mipako mnene na sare ya kabati ya tantalum huundwa kwenye uso wa sehemu ya grafiti, na kuipa trei utulivu wa halijoto ya juu sana (>3000℃), upinzani dhidi ya kutu ya chuma iliyoyeyuka, upinzani wa mshtuko wa joto na sifa za uchafuzi mdogo, na hivyo kupanua maisha ya huduma kwa kiasi kikubwa.

Faida zetu za kiufundi:
1. Utulivu wa halijoto ya juu sana.
Kiwango cha Kuyeyuka cha 3880°C: Mipako ya kabidi ya tantalum inaweza kufanya kazi mfululizo na kwa uthabiti zaidi ya 2500°C, ikizidi sana halijoto ya mtengano ya 1200-1400°C ya mipako ya kawaida ya kabidi ya silikoni (SiC).
Upinzani wa mshtuko wa joto: Mgawo wa upanuzi wa joto wa mipako unalingana na ule wa substrate ya grafiti (6.6×10 -6 /K), na unaweza kuhimili mizunguko ya kupanda na kushuka kwa kasi kwa joto na tofauti ya joto ya zaidi ya 1000°C ili kuepuka kupasuka au kuanguka.
Sifa za kiufundi za halijoto ya juu: Ugumu wa mipako hufikia 2000 HK (ugumu wa Vickers) na moduli ya elastic ni 537 GPa, na bado inadumisha nguvu bora ya kimuundo katika halijoto ya juu.

2. Haivumilii kutu sana ili kuhakikisha usafi wa mchakato
Upinzani Bora: Ina upinzani bora dhidi ya gesi babuzi kama vile H₂, NH₃, SiH₄, HCl na metali zilizoyeyuka (km Si, Ga), ikitenganisha kabisa sehemu ya grafiti kutoka kwa mazingira tendaji na kuepuka uchafuzi wa kaboni.
Uhamiaji mdogo wa uchafu: usafi wa hali ya juu sana, huzuia kwa ufanisi uhamiaji wa nitrojeni, oksijeni na uchafu mwingine kwenye safu ya fuwele au epitaxial, kupunguza kiwango cha kasoro cha mirija midogo kwa zaidi ya 50%.

3. Usahihi wa kiwango cha chini ili kuboresha uthabiti wa mchakato
Usawa wa mipako: uvumilivu wa unene≤±5%, unene wa uso hufikia kiwango cha nanomita, kuhakikisha uthabiti wa juu wa vigezo vya ukuaji wa kaki au fuwele, hitilafu ya usawa wa joto<1%.
Usahihi wa vipimo: inasaidia ubinafsishaji wa uvumilivu wa ±0.05mm, hubadilika kwa wafers za inchi 4 hadi inchi 12, na hukidhi mahitaji ya violesura vya vifaa vya usahihi wa hali ya juu.

4. Inadumu kwa muda mrefu na inadumu, ikipunguza gharama za jumla
Nguvu ya kuunganisha: Nguvu ya kuunganisha kati ya mipako na substrate ya grafiti ni ≥5 MPa, sugu kwa mmomonyoko na uchakavu, na maisha ya huduma huongezwa kwa zaidi ya mara 3.

Utangamano wa Mashine
Inafaa kwa vifaa vya kawaida vya ukuaji wa epitaxial na fuwele kama vile CVD, MOCVD, ALD, LPE, n.k., vinavyofunika ukuaji wa fuwele wa SiC (mbinu ya PVT), epitaxy ya GaN, maandalizi ya substrate ya AlN na hali zingine.
Tunatoa maumbo mbalimbali ya susceptor kama vile tambarare, mbonyeo, mbonyeo, n.k. Unene (5-50mm) na mpangilio wa shimo la nafasi unaweza kurekebishwa kulingana na muundo wa shimo ili kufikia Utangamano usio na mshono na vifaa.

Maombi Kuu:
Ukuaji wa fuwele ya SiC: Katika mbinu ya PVT, mipako inaweza kuboresha usambazaji wa uwanja wa joto, kupunguza kasoro za ukingo, na kuongeza eneo la ukuaji linalofaa la fuwele hadi zaidi ya 95%.
GaN epitaksi: Katika mchakato wa MOCVD, hitilafu ya usawa wa joto la susceptor ni <1%, na uthabiti wa unene wa safu ya epitaksial hufikia ±2%.
Maandalizi ya substrate ya AlN: Katika mmenyuko wa uhamishaji wa joto la juu (>2000°C), mipako ya TaC inaweza kutenganisha kabisa substrate ya grafiti, kuepuka uchafuzi wa kaboni, na kuboresha usafi wa fuwele ya AlN.