Wafer susceptor pẹlu TaC bo fun G5 G10

VET Energy's ominira ni idagbasoke CVD tantalum carbide (TaC) ti a bo wafer susceptor jẹ apẹrẹ fun simi ṣiṣẹ awọn ipo bi semikondokito iṣelọpọ, LED epitaxial wafer idagbasoke (MOCVD), gara idagba ileru, ga-otutu igbale ooru itọju, bbl Nipasẹ kemikali oru iwadi oro (CVD) ọna ẹrọ, a ipon ati aṣọ ti a bo ti wa ni erupe ile tantalum ti carbide. Iduroṣinṣin otutu-giga giga (> 3000 ℃), resistance si ipata irin didà, resistance mọnamọna gbona ati awọn abuda idoti kekere, ni pataki gigun igbesi aye iṣẹ naa.

Awọn anfani imọ-ẹrọ wa:
1. Ultra-giga otutu iduroṣinṣin.
3880°C Oju Iyọ: Tantalum carbide bo le ṣiṣẹ lemọlemọ ati iduroṣinṣin loke 2500°C, ti o jinna ju iwọn otutu jijẹ 1200-1400°C ti awọn ohun elo ohun alumọni carbide (SiC).
Itoju mọnamọna gbona: Olusọdipúpọ imugboroja gbona ti ibora baamu ti sobusitireti graphite (6.6 × 10 -6 / K), ati pe o le duro ni iyara iwọn otutu ti o yara ati awọn iyipo isubu pẹlu iyatọ iwọn otutu ti o ju 1000 ° C lati yago fun fifọ tabi ja bo.
Awọn ohun-ini ẹrọ iwọn otutu giga: Lile ti a bo de 2000 HK (lile Vickers) ati modulu rirọ jẹ 537 GPa, ati pe o tun ṣetọju agbara igbekalẹ to dara julọ ni awọn iwọn otutu giga.

2. Lalailopinpin ipata-sooro lati rii daju ilana mimọ
Idaabobo ti o dara julọ: O ni resistance ti o dara julọ si awọn gaasi ibajẹ bii H₂, NH₃, SiH₄, HCl ati awọn irin didà (fun apẹẹrẹ Si, Ga), yiya sọtọ sobusitireti lẹẹdi patapata lati agbegbe ifaseyin ati yago fun idoti erogba.
Ijira aimọ kekere: mimọ-giga giga, ni imunadoko ijira ti nitrogen, atẹgun ati awọn aimọ miiran si okuta momọ gara tabi epitaxial Layer, idinku abawọn abawọn ti microtubes nipasẹ diẹ sii ju 50%.

3. Nano-ipele konge lati mu aitasera ilana
Isokan aṣọ: ifarada sisanra≤± 5%, fifẹ dada de ipele nanometer, aridaju aitasera giga ti wafer tabi awọn aye idagbasoke gara, aṣiṣe isokan gbona <1%.
Iwọn deede: ṣe atilẹyin isọdi ifarada ± 0.05mm, ṣe deede si 4-inch si awọn wafers 12-inch, ati pade awọn iwulo ti awọn atọkun ohun elo pipe-giga.

4. Gigun pipẹ ati ti o tọ, idinku awọn iye owo apapọ
Agbara imora: Agbara ifunmọ laarin ibora ati sobusitireti lẹẹdi jẹ ≥5 MPa, sooro si ogbara ati yiya, ati pe igbesi aye iṣẹ naa pọ si nipasẹ diẹ sii ju awọn akoko 3 lọ.

Ibamu ẹrọ
Dara fun epitaxial akọkọ ati ohun elo idagbasoke gara bi CVD, MOCVD, ALD, LPE, ati bẹbẹ lọ, ibora idagbasoke SiC gara (ọna PVT), Epitaxy GaN, igbaradi sobusitireti AlN ati awọn oju iṣẹlẹ miiran.
A pese ọpọlọpọ awọn apẹrẹ ti o ni ifura gẹgẹbi alapin, concave, convex, bbl Awọn sisanra (5-50mm) ati ipilẹ iho ipo le ṣe atunṣe ni ibamu si ọna iho lati ṣe aṣeyọri Ibamu ti ko ni ibamu pẹlu ẹrọ.

Awọn ohun elo akọkọ:
SiC gara idagbasoke: Ni ọna PVT, awọn ti a bo le je ki awọn gbona aaye pinpin, din eti abawọn, ati ki o mu awọn munadoko idagbasoke agbegbe ti awọn gara si siwaju sii ju 95%.
GaN epitaxy: Ninu ilana MOCVD, aṣiṣe isọdọkan igbona susceptor jẹ <1%, ati aitasera ti sisanra Layer epitaxial de ± 2%.
Igbaradi sobusitireti AlN: Ni iwọn otutu ti o ga (> 2000 ° C) ifaseyin amination, ibora TaC le ya sọtọ sobusitireti lẹẹdi patapata, yago fun idoti erogba, ati ilọsiwaju mimọ ti kirisita AlN.