Ààbò Wafer pẹ̀lú ìbòrí TaC fún G5 G10

A ṣe apẹrẹ wafer susceptor CVD tantalum carbide (TaC) ti VET Energy fun awọn ipo iṣẹ lile gẹgẹbi iṣelọpọ semiconductor, idagbasoke wafer epitaxial LED (MOCVD), ileru idagbasoke kristali, itọju ooru igbale giga, ati bẹbẹ lọ. Nipasẹ imọ-ẹrọ kemikali vapor deposition (CVD), ibora tantalum carbide ti o nipọn ati ti o baamu ni a ṣẹda lori oju ti substrate graphite, ti o fun atẹ naa ni iduroṣinṣin iwọn otutu giga (>3000℃), resistance si ipata irin ti o yo, resistance mọnamọna ooru ati awọn abuda idoti kekere, ti o fa igbesi aye iṣẹ naa pọ si ni pataki.

Awọn anfani imọ-ẹrọ wa:
1. Iduroṣinṣin iwọn otutu ti o ga julọ.
Ibùdó Yíyọ́ 3880°C: Àwọ̀ Tantalum carbide lè ṣiṣẹ́ nígbà gbogbo àti ní ìdúróṣinṣin ju 2500°C lọ, ó sì ju ìwọ̀n otútù ìbàjẹ́ 1200-1400°C ti àwọn ìbòrí silicon carbide (SiC) ìbílẹ̀ lọ.
Àìfaradà ìgbóná: Ìwọ̀n ìfàsẹ́yìn ooru ti ìbòrí náà bá ti substrate graphite mu (6.6×10 -6/K), ó sì lè fara da ìbísí ooru kíákíá àti ìrọ̀lẹ́ pẹ̀lú ìyàtọ̀ iwọn otutu tó ju 1000°C lọ láti yẹra fún fífà tàbí kí ó jábọ́.
Àwọn ànímọ́ ẹ̀rọ ìgbóná ooru gíga: Líle tí a fi bo ó dé 2000 HK (líle Vickers) àti pé modulus elastic jẹ́ 537 GPa, ó sì tún ń mú agbára ìṣètò tó dára jùlọ ní àwọn iwọ̀n otútù gíga.

2. O ni ipata pupọ lati rii daju pe o jẹ mimọ ilana
Agbara resistance to dara julọ: O ni agbara resistance to dara si awọn gaasi ti o n parun gẹgẹbi H₂, NH₃, SiH₄, HCl ati awọn irin ti o nyọ (fun apẹẹrẹ Si, Ga), o ya ohun elo graphite kuro patapata kuro ninu ayika ti n ṣiṣẹ ati yago fun ibajẹ erogba.
Ìrìn àjò àìmọ́ díẹ̀: ìwẹ̀nùmọ́ gíga púpọ̀, ó ń dí ìṣíkiri nitrogen, atẹ́gùn àti àwọn ohun àìmọ́ mìíràn lọ́wọ́ láti dé ibi tí ó jẹ́ kírísítà tàbí àwọ̀ ara onígun mẹ́ta, èyí sì ń dín ìwọ̀n àbùkù àwọn microtubes kù ju 50%.

3. Ìpele Nano tó péye láti mú kí ìṣọ̀kan ilana náà sunwọ̀n síi
Iṣọkan ti a bo: ifarada sisanra ≤ ± 5%, fifẹ dada de ipele nanometer, ṣiṣe idaniloju iduroṣinṣin giga ti awọn paramita idagbasoke wafer tabi kristal, aṣiṣe iṣọkan ooru <1%.
Ìpéye ìwọ̀n: ṣe atilẹyin fun isọdi ifarada ±0.05mm, o ṣe deede si awọn wafers 4-inch si 12-inch, o si pade awọn iwulo ti awọn wiwo ẹrọ ti o peye giga.

4. Pípẹ́ àti pípẹ́, ó sì ń dín iye owó gbogbogbò kù
Agbára ìsopọ̀mọ́ra: Agbára ìsopọ̀mọ́ra láàárín ìbòrí àti substrate graphite jẹ́ ≥5 MPa, ó lè dènà ìfọ́ àti ìbàjẹ́, àti pé a ń fi ìgbà mẹ́ta gùn ún.

Ibamu Ẹrọ
Ó yẹ fún àwọn ohun èlò ìdàgbàsókè epitaxial àti kristali tí ó gbajúmọ̀ bíi CVD, MOCVD, ALD, LPE, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ, tí ó bo ìdàgbàsókè kristali SiC (ọ̀nà PVT), GaN epitaxy, ìpèsè substrate AlN àti àwọn ìṣẹ̀lẹ̀ mìíràn.
A n pese oniruuru awọn apẹrẹ susceptor bii alapin, concave, convex, ati bẹẹ bẹẹ lọ. A le ṣatunṣe sisanra (5-50mm) ati iṣeto iho ipo gẹgẹbi eto iho lati ṣaṣeyọri ibamu laisi wahala pẹlu ẹrọ naa.

Awọn Ohun elo Pataki:
Ìdàgbàsókè kirisita SiC: Nínú ọ̀nà PVT, ìbòrí náà lè mú kí ìpínkiri pápá ooru dára síi, dín àbùkù etí kù, kí ó sì mú kí agbègbè ìdàgbàsókè tó munadoko ti kirisita náà pọ̀ sí i ju 95% lọ.
GaN epitaxy: Nínú ìlànà MOCVD, àṣìṣe ìṣọ̀kan ooru ti susceptor jẹ́ <1%, àti ìdúróṣinṣin ti sisanra fẹlẹfẹlẹ epitaxial dé ±2%.
Ìpèsè ohun èlò ìṣàlẹ̀ AlN: Nínú ìṣiṣẹ́ amination ooru gíga (>2000°C), ìbòrí TaC lè ya ohun èlò ìṣàlẹ̀ graphite sọ́tọ̀ pátápátá, kí ó yẹra fún ìbàjẹ́ erogba, kí ó sì mú kí ìwẹ̀nùmọ́ AlN sunwọ̀n síi.