Susceptor-ka Wafer-ka oo leh dahaarka TaC ee G5 G10

Qalabka dahaarka ee CVD tantalum carbide (TaC) ee si madax-bannaan loo sameeyay ee VET Energy waxaa loogu talagalay xaaladaha shaqada ee adag sida soo saarista semiconductor-ka, koritaanka wafer-ka LED epitaxial (MOCVD), foornada koritaanka kristal, daaweynta kulaylka vacuum-ka heerkulka sare, iwm. Iyada oo loo marayo tiknoolajiyada kaydinta uumiga kiimikada (CVD), dahaarka tantalum carbide cufan oo isku mid ah ayaa laga sameeyaa dusha sare ee substrate-ka graphite, taasoo siinaysa saxaaradda xasillooni heerkul aad u sarreeya (>3000℃), iska caabbinta daxalka birta dhalaalaysa, iska caabbinta shoogga kulaylka iyo astaamaha wasakhowga oo hooseeya, taasoo si weyn u kordhinaysa cimriga adeegga.

Faa'iidooyinka farsamo ee aan leenahay:
1. Xasillooni heerkul aad u sarreeya.
Barta Dhalaalka 3880°C: Dahaarka Tantalum carbide wuxuu si joogto ah oo deggan u shaqayn karaa isagoo ka sarreeya 2500°C, isagoo aad uga sarreeya heerkulka kala-goynta 1200-1400°C ee dahaarka silicon carbide (SiC) ee caadiga ah.
Iska caabbinta shoogga kulaylka: Isugeynta ballaarinta kulaylka ee dahaarka waxay la mid tahay tan substrate-ka garaafiga (6.6×10 -6/K), waxayna u adkeysan kartaa wareegyada heerkulka oo degdeg ah iyo kor u kaca iyo dhicitaanka iyadoo leh farqi heerkul ah oo ka badan 1000°C si looga fogaado dildilaaca ama dhicitaanka.
Sifooyinka farsamada heerkulka sare: Adkaanta dahaarka waxay gaartaa 2000 HK (Vickers adkaysigeeda) halka module-ka dabacsanaantuna uu yahay 537 GPa, walina wuxuu ilaaliyaa xoog dhisme oo heer sare ah heerkulka sare.

2. Aad u adkaysta daxalka si loo hubiyo daahirnimada habka
Iska caabin aad u fiican: Waxay leedahay iska caabin aad u fiican oo ku wajahan gaasaska sunta ah sida H₂, NH₃, SiH₄, HCl iyo biraha dhalaalay (tusaale ahaan Si, Ga), iyadoo gebi ahaanba ka soocaysa substrate-ka graphite deegaanka falgalka ah iyo ka fogaanshaha wasakhowga kaarboonka.
Socdaalka wasakhda oo hooseeya: daahirnimo aad u sarreysa, si wax ku ool ah u joojiya socdaalka nitrogen, oksijiin iyo wasakhda kale ee loo maro lakabka kiristaalka ama epitaxial, taasoo yaraynaysa heerka cilladaha tuubooyinka microtubes in ka badan 50%.

3. Saxnaanta heerka Nano si loo hagaajiyo isku-dheellitirka habka
Isku-midnaanta dahaarka: dulqaadka dhumucda ≤ ± 5%, fidsanaanta dusha sare waxay gaartaa heerka nanometer-ka, hubinta isku-dheellitirka sare ee xuduudaha koritaanka wafer ama kiristaalka, qaladka isku-midnimada kulaylka <1%.
Saxnaanta cabbirka: waxay taageertaa habaynta dulqaadka ±0.05mm, waxay la qabsataa wafers 4-inji ilaa 12-inji ah, waxayna daboolaysaa baahiyaha is-dhexgalka qalabka saxda ah.

4. Waara oo waara, taasoo yaraynaysa kharashyada guud
Xoogga isku xidhka: Xoogga isku xidhka ee u dhexeeya dahaarka iyo substrate-ka garaafitku waa ≥5 MPa, oo u adkaysta nabaad-guurka iyo duugista, cimriga adeeggana waxaa lagu kordhiyaa in ka badan 3 jeer.

Iswaafajinta Mashiinka
Ku habboon qalabka koritaanka epitaxial iyo crystal-ka ee caadiga ah sida CVD, MOCVD, ALD, LPE, iwm., oo daboolaya koritaanka crystal-ka SiC (habka PVT), GaN epitaxy, diyaarinta substrate-ka AlN iyo xaalado kale.
Waxaan bixinaa qaabab kala duwan oo suuxdin ah sida fidsan, qaloocan, qaloocan, iwm. Dhumucda (5-50mm) iyo qaabka godka booska ayaa la hagaajin karaa iyadoo loo eegayo qaab-dhismeedka godka si loo gaaro iswaafajin aan kala go 'lahayn oo qalabka ah.

Codsiyada ugu Muhiimsan:
Kobaca kiristaalka SiC: Habka PVT, dahaarka ayaa wanaajin kara qaybinta goobta kulaylka, yareyn kara cilladaha geesaha, wuxuuna kordhin karaa aagga koritaanka waxtarka leh ee kiristaalka in ka badan 95%.
GaN epitaxy: Habka MOCVD, qaladka isku-mid ahaanshaha kulaylka ee susceptor-ka waa <1%, iyo isku-dheellitirka dhumucda lakabka epitaxial wuxuu gaaraa ±2%.
Diyaarinta substrate-ka AlN: Falcelinta amination-ka heerkulka sare (>2000°C), dahaarka TaC wuxuu si buuxda u go'doomin karaa substrate-ka garaafiga, wuxuu ka fogaan karaa wasakhowga kaarboonka, wuxuuna hagaajin karaa daahirnimada kiristaalka AlN.