G5 G10 को लागि TaC कोटिंग भएको वेफर ससेप्टर

VET इनर्जीको स्वतन्त्र रूपमा विकसित CVD ट्यान्टलम कार्बाइड (TaC) कोटिंग वेफर ससेप्टर अर्धचालक निर्माण, LED एपिटेक्सियल वेफर ग्रोथ (MOCVD), क्रिस्टल ग्रोथ फर्नेस, उच्च-तापमान भ्याकुम ताप उपचार, आदि जस्ता कठोर काम गर्ने अवस्थाहरूको लागि डिजाइन गरिएको हो। रासायनिक वाष्प निक्षेपण (CVD) प्रविधि मार्फत, ग्रेफाइट सब्सट्रेटको सतहमा बाक्लो र एकसमान ट्यान्टलम कार्बाइड कोटिंग बनाइन्छ, जसले ट्रेलाई अति-उच्च तापक्रम स्थिरता (>3000℃), पग्लिएको धातुको क्षरण प्रतिरोध, थर्मल झटका प्रतिरोध र कम प्रदूषण विशेषताहरू प्रदान गर्दछ, जसले सेवा जीवनलाई उल्लेखनीय रूपमा विस्तार गर्दछ।

हाम्रा प्राविधिक फाइदाहरू:
१. अति उच्च तापक्रम स्थिरता।
३८८०°C पग्लने बिन्दु: ट्यान्टलम कार्बाइड कोटिंग २५००°C माथि निरन्तर र स्थिर रूपमा सञ्चालन हुन सक्छ, जुन परम्परागत सिलिकन कार्बाइड (SiC) कोटिंग्सको १२००-१४००°C विघटन तापक्रमभन्दा धेरै बढी हुन्छ।
थर्मल झट्का प्रतिरोध: कोटिंगको थर्मल विस्तार गुणांक ग्रेफाइट सब्सट्रेट (६.६×१० -६ /K) सँग मेल खान्छ, र फुट्न वा खस्नबाट बच्न १०००°C भन्दा बढी तापक्रम भिन्नताको साथ द्रुत तापक्रम वृद्धि र पतन चक्रहरू सामना गर्न सक्छ।
उच्च तापक्रमको यान्त्रिक गुणहरू: कोटिंगको कठोरता २००० HK (विकर्सको कठोरता) पुग्छ र लोचदार मोड्युलस ५३७ GPa हुन्छ, र यसले अझै पनि उच्च तापक्रममा उत्कृष्ट संरचनात्मक शक्ति कायम राख्छ।

२. प्रक्रिया शुद्धता सुनिश्चित गर्न अत्यन्तै जंग प्रतिरोधी
उत्कृष्ट प्रतिरोध: यसमा H₂, NH₃, SiH₄, HCl जस्ता संक्षारक ग्याँसहरू र पग्लिएका धातुहरू (जस्तै Si, Ga) को लागि उत्कृष्ट प्रतिरोध छ, जसले प्रतिक्रियाशील वातावरणबाट ग्रेफाइट सब्सट्रेटलाई पूर्ण रूपमा अलग गर्छ र कार्बन प्रदूषणबाट बचाउँछ।
कम अशुद्धता स्थानान्तरण: अति-उच्च शुद्धता, नाइट्रोजन, अक्सिजन र अन्य अशुद्धताहरूलाई क्रिस्टल वा एपिटेक्सियल तहमा स्थानान्तरण गर्न प्रभावकारी रूपमा रोक्छ, माइक्रोट्यूबहरूको दोष दर ५०% भन्दा बढीले घटाउँछ।

३. प्रक्रिया स्थिरता सुधार गर्न नानो-स्तरको परिशुद्धता
कोटिंग एकरूपता: मोटाई सहिष्णुता≤±5%, सतह समतलता न्यानोमिटर स्तरमा पुग्छ, वेफर वा क्रिस्टल वृद्धि प्यारामिटरहरूको उच्च स्थिरता सुनिश्चित गर्दै, थर्मल एकरूपता त्रुटि <1%।
आयामी शुद्धता: ±०.०५ मिमी सहिष्णुता अनुकूलनलाई समर्थन गर्दछ, ४-इन्च देखि १२-इन्च वेफरहरूमा अनुकूलन गर्दछ, र उच्च-परिशुद्धता उपकरण इन्टरफेसहरूको आवश्यकताहरू पूरा गर्दछ।

४. दिर्घकालिन र टिकाउ, समग्र लागत घटाउने
बन्धन शक्ति: कोटिंग र ग्रेफाइट सब्सट्रेट बीचको बन्धन शक्ति ≥5 MPa छ, क्षरण र पहिरन प्रतिरोधी छ, र सेवा जीवन 3 गुणा भन्दा बढीले बढाइएको छ।

मेसिन अनुकूलता
SiC क्रिस्टल वृद्धि (PVT विधि), GaN एपिटेक्सी, AlN सब्सट्रेट तयारी र अन्य परिदृश्यहरू समेट्ने CVD, MOCVD, ALD, LPE, आदि जस्ता मुख्यधारा एपिटेक्सियल र क्रिस्टल वृद्धि उपकरणहरूको लागि उपयुक्त।
हामी समतल, अवतल, उत्तल, आदि जस्ता विभिन्न प्रकारका ससेप्टर आकारहरू प्रदान गर्दछौं। उपकरणसँग निर्बाध अनुकूलता प्राप्त गर्न गुहा संरचना अनुसार मोटाई (५-५० मिमी) र स्थिति प्वाल लेआउट समायोजन गर्न सकिन्छ।

मुख्य अनुप्रयोगहरू:
SiC क्रिस्टल वृद्धि: PVT विधिमा, कोटिंगले थर्मल क्षेत्र वितरणलाई अनुकूलन गर्न, किनारा दोषहरू कम गर्न र क्रिस्टलको प्रभावकारी वृद्धि क्षेत्रलाई ९५% भन्दा बढीमा बढाउन सक्छ।
GaN एपिटाक्सी: MOCVD प्रक्रियामा, ससेप्टर थर्मल एकरूपता त्रुटि <1% हुन्छ, र एपिटेक्सियल तह मोटाईको स्थिरता ±2% पुग्छ।
AlN सब्सट्रेट तयारी: उच्च तापक्रम (>२०००°C) एमिनेशन प्रतिक्रियामा, TaC कोटिंगले ग्रेफाइट सब्सट्रेटलाई पूर्ण रूपमा अलग गर्न सक्छ, कार्बन प्रदूषणबाट बच्न सक्छ, र AlN क्रिस्टलको शुद्धता सुधार गर्न सक्छ।