VET Energyが独自開発したCVDタンタルカーバイド（TaC）コーティングウェーハサセプターは、半導体製造、LEDエピタキシャルウェーハ成長（MOCVD）、結晶成長炉、高温真空熱処理などの過酷な作業環境向けに設計されています。化学気相成長法（CVD）技術により、グラファイト基板の表面に緻密で均一なタンタルカーバイドコーティングが形成され、トレイに超高温安定性（>3000℃）、溶融金属腐食耐性、耐熱衝撃性、低汚染特性をもたらし、耐用年数を大幅に延長します。
当社の技術的優位性：
1. 超高温安定性。
融点3880℃：炭化タンタルコーティングは2500℃以上で連続的かつ安定的に動作することができ、従来の炭化ケイ素（SiC）コーティングの分解温度である1200～1400℃をはるかに超えています。
耐熱衝撃性：コーティングの熱膨張係数はグラファイト基板の熱膨張係数（6.6×10⁻⁶ /K）と一致しており、1000℃を超える温度差を伴う急激な温度上昇と下降のサイクルに耐え、ひび割れや剥離を防ぐことができます。
高温での機械的特性：コーティングの硬度は2000 HK（ビッカース硬度）に達し、弾性率は537 GPaであり、高温下でも優れた構造強度を維持します。
2. 極めて高い耐腐食性により、プロセスの純度を確保します。
優れた耐性：H₂、NH₃、SiH₄、HClなどの腐食性ガスや溶融金属（Si、Gaなど）に対する優れた耐性を持ち、グラファイト基板を反応環境から完全に隔離し、炭素汚染を回避します。
不純物の低移行：超高純度により、窒素、酸素などの不純物が結晶やエピタキシャル層に移行するのを効果的に抑制し、マイクロチューブの欠陥率を50%以上低減します。
3. ナノレベルの精度でプロセスの一貫性を向上させる
コーティングの均一性：厚さ公差≤±5%、表面平坦度はナノメートルレベルに達し、ウェーハまたは結晶成長パラメータの高い一貫性を保証、熱均一性誤差<1%。
寸法精度：±0.05mmの公差カスタマイズに対応し、4インチから12インチのウェハーに対応し、高精度機器インターフェースのニーズを満たします。
4. 長持ちで耐久性に優れ、全体的なコストを削減します。
接着強度：コーティングとグラファイト基板間の接着強度は5MPa以上であり、侵食や摩耗に強く、耐用年数は3倍以上に延長されます。
マシン互換性
CVD、MOCVD、ALD、LPEなどの主流のエピタキシャル成長装置や結晶成長装置に適しており、SiC結晶成長（PVT法）、GaNエピタキシー、AlN基板作製などのシナリオに対応します。
当社では、平面、凹面、凸面など、さまざまな形状のサセプターをご用意しております。厚さ（5～50mm）や位置決め穴の配置は、キャビティ構造に合わせて調整可能で、装置とのシームレスな互換性を実現します。
主な用途：
SiC結晶の成長：PVT法では、コーティングによって熱場分布を最適化し、エッジ欠陥を低減し、結晶の有効成長面積を95%以上に増加させることができます。
GaNエピタキシャル成長：MOCVDプロセスでは、サセプタの熱均一性誤差は1%未満であり、エピタキシャル層の厚さの一貫性は±2%に達します。
AlN基板の準備：高温（2000℃以上）アミノ化反応において、TaCコーティングはグラファイト基板を完全に隔離し、炭素汚染を回避し、AlN結晶の純度を向上させることができる。
| 炭化钽涂層の物理特性 物理特性 物理的性質 TaC コーティング | |
| 密度/ 密度 | 14.3 (g/cm³) |
| 比放射率 比放射率 | 0.3 |
| 熱膨張胀系数 熱膨張係数 | 6.3 10-6/K |
| 努氏の硬さ/ 硬度（HK） | 2000香港 |
| 電気抵抗 / 抵抗 | 1×10-5 オーム・センチメートル |
| 熱稳安定性 熱安定性 | 2500℃未満 |
| 石墨尺寸变化 グラファイトのサイズ変化 | -10～-20μm |
| 層の厚さ コーティングの厚さ | ≥30μmの標準値（35μm±10μm） |
寧波VETエネルギー技術有限公司は、ハイエンドの先進材料の開発と製造に注力するハイテク企業です。グラファイト、炭化ケイ素、セラミックス、SiCコーティング、TaCコーティング、ガラス状炭素コーティング、熱分解炭素コーティングなどの表面処理を含む材料と技術を取り扱っており、これらの製品は太陽光発電、半導体、新エネルギー、冶金などの分野で幅広く使用されています。
当社の技術チームは国内トップクラスの研究機関出身者で構成されており、製品の性能と品質を保証するための複数の特許技術を開発しています。また、お客様に専門的な材料ソリューションを提供することも可能です。
