G5 G10用TaCコーティング付きウェーハサセプター

VET Energyが独自に開発したCVDタンタルカーバイド（TaC）コーティングウェーハサセプターは、半導体製造、LEDエピタキシャルウェーハ成長（MOCVD）、結晶成長炉、高温真空熱処理などの過酷な作業条件向けに設計されています。化学蒸着（CVD）技術により、グラファイト基板の表面に緻密で均一なタンタルカーバイドコーティングが形成され、トレイに超高温安定性（> 3000℃）、溶融金属腐食耐性、耐熱衝撃性、低汚染特性を与え、耐用年数を大幅に延長します。

当社の技術的優位性：
1. 超高温安定性。
融点 3880°C: タンタルカーバイドコーティングは、従来のシリコンカーバイド (SiC) コーティングの分解温度 1200 ～ 1400°C をはるかに超える 2500°C 以上で継続的かつ安定的に動作します。
耐熱衝撃性：コーティングの熱膨張係数はグラファイト基板の熱膨張係数（6.6×10 -6 / K）と一致しており、1000°C以上の温度差での急激な温度上昇と温度下降のサイクルにも耐えることができ、ひび割れや脱落を防止します。
高温機械的特性：コーティング硬度は 2000 HK（ビッカース硬度）に達し、弾性率は 537 GPa であり、高温でも優れた構造強度を維持します。

2. プロセスの純度を確保するために非常に耐腐食性が高い
優れた耐性: H₂、NH₃、SiH₄、HCl などの腐食性ガスや溶融金属 (Si、Ga など) に対する優れた耐性があり、グラファイト基板を反応環境から完全に分離し、炭素汚染を回避します。
不純物の移動が少ない：超高純度で、窒素、酸素などの不純物が結晶またはエピタキシャル層に移動することを効果的に抑制し、マイクロチューブの欠陥率を 50% 以上削減します。

3. プロセスの一貫性を向上させるナノレベルの精度
コーティングの均一性: 厚さの許容差は±5%以下、表面の平坦性はナノメートルレベルに達し、ウェーハまたは結晶成長パラメータの高い一貫性が保証され、熱均一性誤差は1%未満です。
寸法精度: ±0.05mm の許容誤差のカスタマイズをサポートし、4 インチから 12 インチのウェーハに適応し、高精度の装置インターフェースのニーズを満たします。

4. 長持ちして耐久性があり、全体的なコストを削減します
接着強度：コーティングとグラファイト基板間の接着強度は5MPa以上で、侵食や摩耗に強く、耐用年数は3倍以上に延長されます。

機械の互換性
CVD、MOCVD、ALD、LPEなどの主流のエピタキシャルおよび結晶成長装置に適しており、SiC結晶成長（PVT法）、GaNエピタキシー、AlN基板の準備などのシナリオをカバーします。
当社は、平面、凹面、凸面など、さまざまなサセプター形状を提供しています。キャビティ構造に応じて厚さ（5〜50mm）と位置決め穴のレイアウトを調整できるため、装置とのシームレスな互換性を実現できます。

主な用途:
SiC 結晶成長：PVT 法では、コーティングにより熱場の分布を最適化し、エッジ欠陥を減らし、結晶の有効成長面積を 95% 以上に増加させることができます。
GaN エピタキシー：MOCVD プロセスでは、サセプターの熱均一性誤差は 1% 未満で、エピタキシャル層の厚さの一貫性は ±2% に達します。
AlN 基板の準備: 高温 (> 2000°C) のアミノ化反応では、TaC コーティングによりグラファイト基板を完全に分離し、炭素汚染を回避し、AlN 結晶の純度を向上させることができます。