G5 G10용 TaC 코팅 웨이퍼 서셉터

VET Energy가 자체 개발한 CVD 탄탈륨 카바이드(TaC) 코팅 웨이퍼 서셉터는 반도체 제조, LED 에피택셜 웨이퍼 성장(MOCVD), 결정 성장로, 고온 진공 열처리 등과 같은 가혹한 작업 환경에 맞게 설계되었습니다. 화학 기상 증착(CVD) 기술을 통해 흑연 기판 표면에 조밀하고 균일한 탄탈륨 카바이드 코팅이 형성되어 트레이에 초고온 안정성(>3000℃), 용융 금속 부식 저항성, 열충격 저항성 및 저공해 특성을 부여함으로써 수명을 크게 연장합니다.

당사의 기술적 강점:
1. 초고온 안정성.
3880°C의 융점: 탄탈륨 카바이드 코팅은 2500°C 이상에서 지속적이고 안정적으로 작동할 수 있으며, 이는 기존 실리콘 카바이드(SiC) 코팅의 분해 온도인 1200~1400°C를 훨씬 뛰어넘는 수치입니다.
내열충격성: 코팅의 열팽창 계수는 흑연 기판의 열팽창 계수(6.6×10⁻⁶/K)와 동일하며, 1000°C 이상의 온도 차이를 동반하는 급격한 온도 상승 및 하강 사이클에도 균열이나 박리 없이 견딜 수 있습니다.
고온 기계적 특성: 코팅의 경도는 2000 HK(비커스 경도)에 달하고 탄성 계수는 ​​537 GPa이며, 고온에서도 우수한 구조적 강도를 유지합니다.

2. 뛰어난 내식성으로 공정 순도를 보장합니다.
탁월한 내성: H₂, NH₃, SiH₄, HCl과 같은 부식성 가스 및 용융 금속(예: Si, Ga)에 대한 내성이 뛰어나 흑연 기판을 반응성 환경으로부터 완벽하게 차단하고 탄소 오염을 방지합니다.
낮은 불순물 이동성: 초고순도 소재로 질소, 산소 및 기타 불순물이 결정 또는 에피택셜 층으로 이동하는 것을 효과적으로 억제하여 마이크로튜브의 결함률을 50% 이상 감소시킵니다.

3. 나노 수준의 정밀도로 공정 일관성 향상
코팅 균일성: 두께 허용 오차 ≤±5%, 표면 평탄도는 나노미터 수준에 도달하여 웨이퍼 또는 결정 성장 매개변수의 높은 일관성을 보장하며, 열 균일성 오차는 1% 미만입니다.
치수 정확도: ±0.05mm 공차 맞춤 제작을 지원하며, 4인치에서 12인치 웨이퍼에 적용 가능하고, 고정밀 장비 인터페이스 요구 사항을 충족합니다.

4. 수명이 길고 내구성이 뛰어나 전체 비용을 절감합니다.
접착 강도: 코팅과 흑연 기판 사이의 접착 강도는 5MPa 이상으로, 침식 및 마모에 강하며, 수명이 3배 이상 연장됩니다.

기기 호환성
CVD, MOCVD, ALD, LPE 등 주류 에피택시 및 결정 성장 장비에 적합하며, SiC 결정 성장(PVT 방식), GaN 에피택시, AlN 기판 준비 및 기타 시나리오를 포괄합니다.
당사는 평면형, 오목형, 볼록형 등 다양한 서셉터 형상을 제공합니다. 두께(5~50mm) 및 위치 지정 구멍 배치는 캐비티 구조에 따라 조정하여 장비와의 완벽한 호환성을 구현할 수 있습니다.

주요 응용 분야:
SiC 결정 성장: PVT 방식에서 코팅은 열장 분포를 최적화하고, 가장자리 결함을 줄이며, 결정의 유효 성장 면적을 95% 이상으로 증가시킬 수 있습니다.
GaN 에피택시: MOCVD 공정에서 서셉터의 열 균일도 오차는 1% 미만이며, 에피택시층 두께의 균일성은 ±2%에 도달합니다.
AlN 기판 준비: 고온(>2000°C) 아민화 반응에서 TaC 코팅은 흑연 기판을 완전히 차단하여 탄소 오염을 방지하고 AlN 결정의 순도를 향상시킬 수 있습니다.