G5 G10용 TaC 코팅 웨이퍼 서셉터

VET Energy가 독자적으로 개발한 CVD 탄탈륨 카바이드(TaC) 코팅 웨이퍼 서셉터는 반도체 제조, LED 에피택셜 웨이퍼 성장(MOCVD), 결정 성장로, 고온 진공 열처리 등과 같은 가혹한 작업 조건을 위해 설계되었습니다. 화학 기상 증착(CVD) 기술을 통해 흑연 기판 표면에 밀도가 높고 균일한 탄탈륨 카바이드 코팅이 형성되어 트레이에 초고온 안정성(>3000℃), 용융 금속 부식 저항성, 열 충격 저항성 및 낮은 오염 특성을 부여하여 서비스 수명을 크게 연장합니다.

당사의 기술적 장점:
1. 초고온 안정성.
3880°C 융점: 탄탈륨 카바이드 코팅은 2500°C 이상에서 지속적이고 안정적으로 작동할 수 있으며, 기존 실리콘 카바이드(SiC) 코팅의 분해 온도인 1200-1400°C를 훨씬 넘어섭니다.
열충격 저항성: 코팅의 열팽창 계수는 흑연 기질(6.6×10-6/K)과 일치하며 1000°C 이상의 온도 차이로 인한 급격한 온도 상승 및 하강 사이클을 견딜 수 있어 균열이나 탈락을 방지합니다.
고온 기계적 특성: 코팅 경도는 2000HK(비커스 경도)에 달하고 탄성 계수는 ​​537GPa이며, 고온에서도 우수한 구조적 강도를 유지합니다.

2. 공정 순도를 보장하기 위한 극도의 내식성
뛰어난 내구성: H₂, NH₃, SiH₄, HCl 및 용융 금속(예: Si, Ga)과 같은 부식성 가스에 대한 뛰어난 내구성을 가지고 있어 흑연 기질을 반응성 환경으로부터 완전히 분리하고 탄소 오염을 방지합니다.
낮은 불순물 이동: 초고순도는 질소, 산소 및 기타 불순물이 결정 또는 에피택셜층으로 이동하는 것을 효과적으로 억제하여 마이크로튜브의 결함률을 50% 이상 감소시킵니다.

3. 공정 일관성을 개선하기 위한 나노 수준의 정밀도
코팅 균일성: 두께 허용 오차≤±5%, 표면 평탄도는 나노미터 수준에 도달하여 웨이퍼 또는 결정 성장 매개변수의 높은 일관성을 보장하고, 열 균일성 오차<1%.
치수 정확도: ±0.05mm 허용 오차 맞춤화를 지원하고, 4인치에서 12인치 웨이퍼에 적응하며, 고정밀 장비 인터페이스의 요구 사항을 충족합니다.

4. 내구성이 뛰어나고 내구성이 뛰어나 전체 비용을 절감합니다.
접합강도: 코팅과 흑연 기질 사이의 접합강도는 ≥5MPa이며, 침식과 마모에 강하고, 사용수명이 3배 이상 연장됩니다.

기계 호환성
CVD, MOCVD, ALD, LPE 등과 같은 주류 에피택시얼 및 결정 성장 장비에 적합하며, SiC 결정 성장(PVT 방법), GaN 에피택시, AlN 기판 준비 및 기타 시나리오를 포괄합니다.
우리는 평평한, 오목한, 볼록한 등 다양한 서셉터 모양을 제공합니다. 두께(5-50mm)와 위치 구멍 레이아웃은 캐비티 구조에 따라 조정하여 장비와의 완벽한 호환성을 달성할 수 있습니다.

주요 응용 분야:
SiC 결정 성장: PVT 방법에서 코팅은 열장 분포를 최적화하고, 가장자리 결함을 줄이며, 결정의 유효 성장 면적을 95% 이상으로 증가시킬 수 있습니다.
GaN 에피택시: MOCVD 공정에서 서셉터 열 균일도 오차는 <1%이고, 에피택시층 두께의 일관성은 ±2%에 이릅니다.
AlN 기판 제조: 고온(>2000°C) 아민화 반응에서 TaC 코팅은 흑연 기판을 완전히 분리하고 탄소 오염을 방지하며 AlN 결정의 순도를 향상시킬 수 있습니다.