G5 G10-க்கான TaC பூச்சு கொண்ட வேஃபர் சசெப்டர்

VET எனர்ஜியால் சுயமாக உருவாக்கப்பட்ட CVD டான்டலம் கார்பைடு (TaC) பூச்சு கொண்ட வேஃபர் சசெப்டர், குறைக்கடத்தி உற்பத்தி, LED எபிடெக்சியல் வேஃபர் வளர்ச்சி (MOCVD), படிக வளர்ச்சி உலை, உயர்-வெப்பநிலை வெற்றிட வெப்பச் சிகிச்சை போன்ற கடுமையான வேலைச் சூழல்களுக்காக வடிவமைக்கப்பட்டுள்ளது. இரசாயன ஆவிப் படிவு (CVD) தொழில்நுட்பத்தின் மூலம், கிராஃபைட் அடி மூலக்கூறின் மேற்பரப்பில் அடர்த்தியான மற்றும் சீரான டான்டலம் கார்பைடு பூச்சு உருவாக்கப்படுகிறது. இது அந்தத் தட்டுக்கு மிக உயர் வெப்பநிலை நிலைத்தன்மை (>3000℃), உருகிய உலோக அரிப்பை எதிர்க்கும் திறன், வெப்ப அதிர்ச்சியைத் தாங்கும் திறன் மற்றும் குறைந்த மாசுபடுதல் போன்ற பண்புகளை அளித்து, அதன் சேவை ஆயுளைக் கணிசமாக நீட்டிக்கிறது.

எங்களின் தொழில்நுட்ப நன்மைகள்:
1. மிக அதிக வெப்பநிலை நிலைத்தன்மை.
3880°C உருகுநிலை: டாண்டலம் கார்பைடு பூச்சானது 2500°C-க்கு மேல் தொடர்ச்சியாகவும் நிலையாகவும் செயல்படக்கூடியது. இது, வழக்கமான சிலிக்கான் கார்பைடு (SiC) பூச்சுகளின் 1200-1400°C சிதைவு வெப்பநிலையை விட மிகவும் அதிகமாகும்.
வெப்ப அதிர்ச்சி எதிர்ப்புத்திறன்: பூச்சின் வெப்ப விரிவாக்கக் குணகம், கிராஃபைட் அடி மூலக்கூறின் குணகத்துடன் (6.6×10⁻⁶/K) ஒத்துப்போகிறது. மேலும், இது விரிசல் ஏற்படுவதையோ அல்லது உதிர்ந்து போவதையோ தவிர்ப்பதற்காக, 1000°C-க்கும் அதிகமான வெப்பநிலை வேறுபாட்டுடன் கூடிய விரைவான வெப்பநிலை ஏற்ற இறக்க சுழற்சிகளைத் தாங்கக்கூடியது.
உயர் வெப்பநிலை இயந்திரவியல் பண்புகள்: பூச்சின் கடினத்தன்மை 2000 HK (விக்கர்ஸ் கடினத்தன்மை) ஐ எட்டுகிறது மற்றும் மீள் குணகம் 537 GPa ஆகும், மேலும் இது உயர் வெப்பநிலையிலும் சிறந்த கட்டமைப்பு வலிமையைத் தக்க வைத்துக் கொள்கிறது.

2. செயல்முறைத் தூய்மையை உறுதிசெய்ய, அரிப்பை மிகவும் எதிர்க்கும் திறன் கொண்டது.
சிறந்த எதிர்ப்புத்திறன்: இது H₂, NH₃, SiH₄, HCl போன்ற அரிக்கும் வாயுக்கள் மற்றும் உருகிய உலோகங்களுக்கு (எ.கா. Si, Ga) சிறந்த எதிர்ப்புத்திறனைக் கொண்டுள்ளது. மேலும், இது கிராஃபைட் தளத்தை வினைபுரியும் சூழலிலிருந்து முழுமையாகப் பிரித்து, கார்பன் மாசுபடுவதைத் தவிர்க்கிறது.
குறைந்த அசுத்த இடப்பெயர்வு: மிக உயர்ந்த தூய்மை, நைட்ரஜன், ஆக்ஸிஜன் மற்றும் பிற அசுத்தங்கள் படிகம் அல்லது எபிடெக்சியல் அடுக்குக்கு இடம்பெயர்வதை திறம்படத் தடுக்கிறது, இதன் மூலம் நுண்குழாய்களின் குறைபாட்டு விகிதத்தை 50% க்கும் அதிகமாகக் குறைக்கிறது.

3. செயல்முறை நிலைத்தன்மையை மேம்படுத்துவதற்கான நுண்-நிலைத் துல்லியம்
பூச்சுச் சீர்மை: தடிமன் சகிப்புத்தன்மை ≤±5%, மேற்பரப்புத் தட்டையானது நானோமீட்டர் அளவை அடைகிறது, இது வேஃபர் அல்லது படிக வளர்ச்சி அளவுருக்களின் உயர் நிலைத்தன்மையை உறுதி செய்கிறது, வெப்பச் சீர்மைப் பிழை <1%.
பரிமாணத் துல்லியம்: ±0.05 மிமீ சகிப்புத்தன்மை தனிப்பயனாக்கத்தை ஆதரிக்கிறது, 4-அங்குலம் முதல் 12-அங்குலம் வரையிலான வேஃபர்களுக்கு ஏற்றவாறு அமைகிறது, மேலும் உயர்-துல்லியமான உபகரண இடைமுகங்களின் தேவைகளைப் பூர்த்தி செய்கிறது.

4. நீண்ட காலம் நீடித்து உழைப்பதால், ஒட்டுமொத்த செலவுகள் குறைகின்றன.
பிணைப்பு வலிமை: பூச்சுக்கும் கிராஃபைட் அடி மூலக்கூறுக்கும் இடையிலான பிணைப்பு வலிமை ≥5 MPa ஆகும், இது அரிப்பு மற்றும் தேய்மானத்தை எதிர்க்கும் திறன் கொண்டது, மேலும் இதன் சேவை ஆயுட்காலம் 3 மடங்குக்கு மேல் நீட்டிக்கப்படுகிறது.

இயந்திர இணக்கத்தன்மை
CVD, MOCVD, ALD, LPE போன்ற பிரதான எபிடெக்சியல் மற்றும் படிக வளர்ச்சி உபகரணங்களுக்கு ஏற்றது; இது SiC படிக வளர்ச்சி (PVT முறை), GaN எபிடெக்சி, AlN அடிமூலக்கூறு தயாரிப்பு மற்றும் பிற சூழல்களை உள்ளடக்கியது.
நாங்கள் தட்டையான, குழிவான, குவிவான போன்ற பல்வேறு வகையான சசெப்டர் வடிவங்களை வழங்குகிறோம். உபகரணத்துடன் தடையற்ற இணக்கத்தன்மையை அடைவதற்காக, இதன் தடிமன் (5-50 மிமீ) மற்றும் நிலைநிறுத்தும் துளைகளின் அமைப்பை, குழியின் அமைப்புக்கு ஏற்ப சரிசெய்துகொள்ளலாம்.

முக்கிய பயன்பாடுகள்:
SiC படிக வளர்ச்சி: PVT முறையில், மேற்பூச்சானது வெப்பப் புலப் பரவலை மேம்படுத்தி, விளிம்புக் குறைபாடுகளைக் குறைத்து, படிகத்தின் பயனுள்ள வளர்ச்சிப் பரப்பை 95%க்கும் மேலாக அதிகரிக்கிறது.
GaN எபிடாக்ஸி: MOCVD செயல்முறையில், சசெப்டரின் வெப்பச் சீரான தன்மைப் பிழை <1% ஆகவும், எபிடாக்ஸியல் அடுக்கின் தடிமனின் நிலைத்தன்மை ±2% ஆகவும் உள்ளது.
AlN அடி மூலக்கூறு தயாரிப்பு: உயர் வெப்பநிலை (>2000°C) அமினேஷன் வினையில், TaC பூச்சானது கிராஃபைட் அடி மூலக்கூறை முழுமையாகத் தனிமைப்படுத்தி, கார்பன் மாசுபாட்டைத் தவிர்த்து, AlN படிகத்தின் தூய்மையை மேம்படுத்துகிறது.