Wafer-Susceptor mat TaC-Beschichtung fir G5 G10

De vun VET Energy onofhängeg entwéckelte CVD-Tantalcarbid (TaC) Beschichtungs-Wafer-Susceptor ass fir haart Aarbechtsbedingungen ewéi Hallefleederherstellung, LED-Epitaxialwaferwuesstum (MOCVD), Kristallwuesstumsuewen, Héichtemperatur-Vakuum-Hëtzbehandlung, etc. entwéckelt. Duerch d'chemesch Dampfoflagerungstechnologie (CVD) gëtt eng dicht an eenheetlech Tantalcarbid-Beschichtung op der Uewerfläch vum Graphitsubstrat geformt, wat dem Tablett eng ultra-héich Temperaturstabilitéit (>3000℃), Resistenz géint geschmollte Metallkorrosioun, Wärmeschockbeständegkeet a geréng Verschmotzungseigenschaften gëtt, wat d'Liewensdauer däitlech verlängert.

Eis technesch Virdeeler:
1. Ultra-héich Temperaturstabilitéit.
Schmelzpunkt vun 3880°C: Tantalcarbidbeschichtung kann kontinuéierlech a stabil iwwer 2500°C funktionéieren, wat d'Zersetzungstemperatur vun 1200-1400°C vu konventionelle Siliziumcarbid (SiC)-Beschichtunge wäit iwwerschreit.
Widderstand géint Thermeschock: Den thermeschen Ausdehnungskoeffizient vun der Beschichtung entsprécht deem vum Graphitsubstrat (6,6 × 10 -6 /K) a kann séieren Temperaturanstieg an -fall mat engem Temperaturënnerscheed vu méi wéi 1000 °C standhalen, fir Rëss oder Offäll ze vermeiden.
Mechanesch Eegeschafte bei héijen Temperaturen: D'Beschichtungshäert erreecht 2000 HK (Vickers-Häert) an den Elastizitéitsmodul ass 537 GPa, an et behält ëmmer nach eng exzellent strukturell Stäerkt bei héijen Temperaturen.

2. Extrem korrosiounsbeständeg fir d'Prozessreinheet ze garantéieren
Excellent Resistenz: Et huet eng exzellent Resistenz géint korrosiv Gaser wéi H₂, NH₃, SiH₄, HCl a geschmollte Metaller (z.B. Si, Ga), wouduerch de Graphitsubstrat komplett vun der reaktiver Ëmwelt isoléiert gëtt a Kuelestoffkontaminatioun vermeit gëtt.
Niddreg Onreinheetsmigratioun: ultrahéich Rengheet, hemmt effektiv d'Migratioun vu Stéckstoff, Sauerstoff an aner Onreinheeten an de Kristall oder d'Epitaxialschicht, wouduerch d'Defektquote vu Mikroréier ëm méi wéi 50% reduzéiert gëtt.

3. Präzisioun op Nanoniveau fir d'Prozesskonsistenz ze verbesseren
Beschichtungsuniformitéit: Décktetoleranz ≤ ± 5%, Uewerflächenflaachheet erreecht Nanometerniveau, wat eng héich Konsistenz vu Wafer- oder Kristallwuesstumsparameter garantéiert, thermesch Uniformitéitsfehler < 1%.
Dimensiounsgenauegkeet: ënnerstëtzt d'Personaliséierung vun enger Toleranz vun ±0,05 mm, adaptéiert sech un Wafere vu 4 Zoll bis 12 Zoll a erfëllt d'Bedierfnesser vun héichpräzisen Ausrüstungsinterfaces.

4. Laang haltbar an haltbar, wat d'Gesamtkäschte reduzéiert
Bindungsstäerkt: D'Bindungsstäerkt tëscht der Beschichtung an dem Graphitsubstrat ass ≥5 MPa, ass resistent géint Erosioun a Verschleiung, an d'Liewensdauer gëtt ëm méi wéi 3 Mol verlängert.

Maschinnkompatibilitéit
Gëeegent fir Mainstream-Epitaxial- a Kristallwuesstumsausrüstung wéi CVD, MOCVD, ALD, LPE, etc., déi SiC-Kristallwuesstum (PVT-Method), GaN-Epitaxie, AlN-Substratvirbereedung an aner Szenarie ofdeckt.
Mir bidden eng Vielfalt vu Susceptorformen un, wéi flaach, konkav, konvex, etc. D'Dicke (5-50 mm) an d'Lachopstellung kënnen no der Kavitéitsstruktur ugepasst ginn, fir eng nahtlos Kompatibilitéit mam Ausrüstung z'erreechen.

Haaptapplikatiounen:
SiC-Kristallwuesstum: An der PVT-Method kann d'Beschichtung d'Verdeelung vum thermesche Feld optimiséieren, Kantdefekter reduzéieren an d'effektiv Wuessfläch vum Kristall op méi wéi 95% erhéijen.
GaN-Epitaxie: Am MOCVD-Prozess ass de Feeler vun der thermescher Uniformitéit vum Susceptor <1%, an d'Konsistenz vun der epitaktischer Schichtdicke erreecht ±2%.
Virbereedung vum AlN-Substrat: An der Aminéierungsreaktioun mat héijer Temperatur (>2000 °C) kann d'TaC-Beschichtung de Graphitsubstrat komplett isoléieren, Kuelestoffkontaminatioun vermeiden an d'Reinheet vum AlN-Kristall verbesseren.