Sekoahelo sa wafer se nang le sekoahelo sa TaC bakeng sa G5 G10

Sekoahelo sa wafer sa CVD tantalum carbide (TaC) se entsoeng ka boikemelo sa VET Energy se etselitsoe maemo a thata a mosebetsi a kang tlhahiso ea semiconductor, kholo ea wafer ea LED epitaxial (MOCVD), sebōpi sa kholo ea kristale, kalafo ea mocheso o phahameng oa vacuum, jj. Ka theknoloji ea chemical vapor deposition (CVD), koahelo e teteaneng le e tšoanang ea tantalum carbide e thehoa holim'a substrate ea graphite, e fang terei botsitso ba mocheso o phahameng haholo (>3000℃), ho hanyetsa mafome a tšepe e qhibilihisitsoeng, ho hanyetsa ho ts'oaroa ke mocheso le litšobotsi tse tlase tsa tšilafalo, e leng se eketsang bophelo ba ts'ebeletso haholo.

Melemo ea rona ea botekgeniki:
1. Ho tsitsa ha mocheso o phahameng haholo.
3880°C Sebaka sa ho Qhibiliha: Seaparo sa Tantalum carbide se ka sebetsa ka ho tswela pele le ka botsitso ho feta 2500°C, se feta haholo mocheso wa ho bola wa 1200-1400°C wa diaparo tsa silicon carbide (SiC) tse tlwaelehileng.
Ho hanyetsa ho thothomela ha mocheso: Koefficient ea katoloso ea mocheso ea sekoahelo e tšoana le ea substrate ea graphite (6.6×10 -6 /K), 'me e ka mamella ho phahama le ho oa ha mocheso ka potlako ka phapang ea mocheso e fetang 1000°C ho qoba ho petsoha kapa ho oa.
Litšobotsi tsa mechine tse nang le mocheso o phahameng: Bothata ba ho roala bo fihla ho 2000 HK (bothata ba Vickers) 'me modulus ea elastic ke 537 GPa, 'me e ntse e boloka matla a matle a sebopeho maemong a mocheso o phahameng.

2. E hanela ts'enyeho haholo ho netefatsa bohloeki ba ts'ebetso
Khanyetso e babatsehang: E ​​na le khanyetso e babatsehang khahlanong le likhase tse senyang tse kang H₂, NH₃, SiH₄, HCl le litšepe tse qhibilihisitsoeng (mohlala, Si, Ga), e arola ka ho feletseng substrate ea graphite tikolohong e arabelang le ho qoba tšilafalo ea carbon.
Ho falla ha litšila tse tlase: bohloeki bo phahameng haholo, bo thibela ka katleho ho falla ha naetrojene, oksijene le litšila tse ling ho ea lera la kristale kapa la epitaxial, ho fokotsa sekhahla sa sekoli sa li-microtubes ka ho feta 50%.

3. Ho nepahala ha boemo ba Nano ho ntlafatsa botsitso ba ts'ebetso
Ho tšoana ha ho koahela: mamello ea botenya≤±5%, ho batalla ha bokaholimo ho fihla boemong ba nanometer, ho netefatsa botsitso bo phahameng ba liparamente tsa wafer kapa kholo ea kristale, phoso ea ho tšoana ha mocheso <1%.
Ho nepahala ha litekanyo: ho tšehetsa ho iketsetsa mamello ea ±0.05mm, ho ikamahanya le li-wafer tsa lisenthimithara tse 4 ho isa ho tse 12, 'me ho fihlela litlhoko tsa li-interface tsa lisebelisoa tse nepahetseng haholo.

4. E tšoarella nako e telele ebile e tšoarella, e fokotsa litšenyehelo ka kakaretso
Matla a ho kopanya: Matla a ho kopanya pakeng tsa ho roala le substrate ea graphite ke ≥5 MPa, a hanelang khoholeho le ho tsofala, 'me bophelo ba ts'ebeletso bo atolosoa ka makhetlo a fetang 3.

Ho lumellana ha Mochini
E loketse lisebelisoa tse kholo tsa epitaxial le kristale tse kang CVD, MOCVD, ALD, LPE, jj., tse akaretsang kholo ea kristale ea SiC (mokhoa oa PVT), epitaxy ea GaN, tokiso ea substrate ea AlN le maemo a mang.
Re fana ka mefuta e fapaneng ea libopeho tsa susceptor tse kang tse bataletseng, tse kobehileng, tse kobehileng, jj. Botenya (5-50mm) le sebopeho sa lesoba la sebaka li ka fetoloa ho latela sebopeho sa lesoba ho fihlela ho lumellana ho se nang sekoli le lisebelisoa.

Likopo tse ka Sehloohong:
Kgolo ya kristale ya SiC: Mokgweng wa PVT, ho roala ho ka ntlafatsa kabo ya tshimo ya mocheso, ho fokotsa diphoso tsa moedi, le ho eketsa sebaka se sebetsang sa kgolo ya kristale ho feta 95%.
GaN epitaxy: Ts'ebetsong ea MOCVD, phoso ea ho tšoana ha mocheso oa susceptor ke <1%, 'me ho tsitsa ha botenya ba lera la epitaxial ho fihla ho ±2%.
Tokisetso ea substrate ea AlN: Karabelong ea amination ea mocheso o phahameng (>2000°C), sekoahelo sa TaC se ka arola substrate ea graphite ka botlalo, sa qoba tšilafalo ea khabone, 'me sa ntlafatsa bohloeki ba kristale ea AlN.