G5 G10 ਲਈ TaC ਕੋਟਿੰਗ ਵਾਲਾ ਵੇਫਰ ਸਸੈਪਟਰ

VET ਐਨਰਜੀ ਦਾ ਸੁਤੰਤਰ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਿਕਸਤ CVD ਟੈਂਟਲਮ ਕਾਰਬਾਈਡ (TaC) ਕੋਟਿੰਗ ਵੇਫਰ ਸਸੈਪਟਰ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਨਿਰਮਾਣ, LED ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਵੇਫਰ ਗ੍ਰੋਥ (MOCVD), ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਗ੍ਰੋਥ ਫਰਨੇਸ, ਉੱਚ-ਤਾਪਮਾਨ ਵੈਕਿਊਮ ਹੀਟ ਟ੍ਰੀਟਮੈਂਟ, ਆਦਿ ਵਰਗੀਆਂ ਸਖ਼ਤ ਕੰਮ ਕਰਨ ਵਾਲੀਆਂ ਸਥਿਤੀਆਂ ਲਈ ਤਿਆਰ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ। ਰਸਾਇਣਕ ਭਾਫ਼ ਜਮ੍ਹਾਂ (CVD) ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੁਆਰਾ, ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਬਸਟਰੇਟ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਇੱਕ ਸੰਘਣੀ ਅਤੇ ਇਕਸਾਰ ਟੈਂਟਲਮ ਕਾਰਬਾਈਡ ਕੋਟਿੰਗ ਬਣਾਈ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਟ੍ਰੇ ਨੂੰ ਅਤਿ-ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਸਥਿਰਤਾ (>3000℃), ਪਿਘਲੇ ਹੋਏ ਧਾਤ ਦੇ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਥਰਮਲ ਸਦਮਾ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਘੱਟ ਪ੍ਰਦੂਸ਼ਣ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਮਿਲਦੀਆਂ ਹਨ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਸੇਵਾ ਜੀਵਨ ਵਿੱਚ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਵਾਧਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।

ਸਾਡੇ ਤਕਨੀਕੀ ਫਾਇਦੇ:
1. ਅਤਿ-ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਸਥਿਰਤਾ।
3880°C ਪਿਘਲਣ ਬਿੰਦੂ: ਟੈਂਟਲਮ ਕਾਰਬਾਈਡ ਕੋਟਿੰਗ 2500°C ਤੋਂ ਉੱਪਰ ਨਿਰੰਤਰ ਅਤੇ ਸਥਿਰਤਾ ਨਾਲ ਕੰਮ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਰਵਾਇਤੀ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ (SiC) ਕੋਟਿੰਗਾਂ ਦੇ 1200-1400°C ਸੜਨ ਵਾਲੇ ਤਾਪਮਾਨ ਤੋਂ ਕਿਤੇ ਵੱਧ ਹੈ।
ਥਰਮਲ ਸਦਮਾ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ: ਕੋਟਿੰਗ ਦਾ ਥਰਮਲ ਵਿਸਥਾਰ ਗੁਣਾਂਕ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਬਸਟਰੇਟ (6.6×10 -6 /K) ਨਾਲ ਮੇਲ ਖਾਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਫਟਣ ਜਾਂ ਡਿੱਗਣ ਤੋਂ ਬਚਣ ਲਈ 1000°C ਤੋਂ ਵੱਧ ਤਾਪਮਾਨ ਦੇ ਅੰਤਰ ਦੇ ਨਾਲ ਤੇਜ਼ ਤਾਪਮਾਨ ਵਾਧੇ ਅਤੇ ਗਿਰਾਵਟ ਦੇ ਚੱਕਰਾਂ ਦਾ ਸਾਮ੍ਹਣਾ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ।
ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਵਾਲੇ ਮਕੈਨੀਕਲ ਗੁਣ: ਕੋਟਿੰਗ ਦੀ ਕਠੋਰਤਾ 2000 HK (ਵਿਕਰਸ ਕਠੋਰਤਾ) ਤੱਕ ਪਹੁੰਚਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਲਚਕੀਲਾ ਮਾਡਿਊਲਸ 537 GPa ਹੈ, ਅਤੇ ਇਹ ਅਜੇ ਵੀ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨਾਂ 'ਤੇ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਢਾਂਚਾਗਤ ਤਾਕਤ ਬਣਾਈ ਰੱਖਦਾ ਹੈ।

2. ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੀ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਖੋਰ-ਰੋਧਕ
ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ: ਇਸ ਵਿੱਚ H₂, NH₃, SiH₄, HCl ਅਤੇ ਪਿਘਲੀਆਂ ਧਾਤਾਂ (ਜਿਵੇਂ ਕਿ Si, Ga) ਵਰਗੀਆਂ ਖੋਰ ਵਾਲੀਆਂ ਗੈਸਾਂ ਪ੍ਰਤੀ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆਸ਼ੀਲ ਵਾਤਾਵਰਣ ਤੋਂ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਬਸਟਰੇਟ ਨੂੰ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਅਲੱਗ ਕਰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਕਾਰਬਨ ਦੂਸ਼ਿਤ ਹੋਣ ਤੋਂ ਬਚਦਾ ਹੈ।
ਘੱਟ ਅਸ਼ੁੱਧਤਾ ਪ੍ਰਵਾਸ: ਅਤਿ-ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ, ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ, ਆਕਸੀਜਨ ਅਤੇ ਹੋਰ ਅਸ਼ੁੱਧੀਆਂ ਦੇ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਜਾਂ ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਪਰਤ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਵਾਸ ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਢੰਗ ਨਾਲ ਰੋਕਦੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਮਾਈਕ੍ਰੋਟਿਊਬਾਂ ਦੀ ਨੁਕਸ ਦਰ 50% ਤੋਂ ਵੱਧ ਘਟਦੀ ਹੈ।

3. ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੀ ਇਕਸਾਰਤਾ ਨੂੰ ਬਿਹਤਰ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਨੈਨੋ-ਪੱਧਰ ਦੀ ਸ਼ੁੱਧਤਾ
ਕੋਟਿੰਗ ਇਕਸਾਰਤਾ: ਮੋਟਾਈ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ≤±5%, ਸਤ੍ਹਾ ਸਮਤਲਤਾ ਨੈਨੋਮੀਟਰ ਪੱਧਰ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚਦੀ ਹੈ, ਵੇਫਰ ਜਾਂ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿਕਾਸ ਮਾਪਦੰਡਾਂ ਦੀ ਉੱਚ ਇਕਸਾਰਤਾ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ, ਥਰਮਲ ਇਕਸਾਰਤਾ ਗਲਤੀ <1%।
ਅਯਾਮੀ ਸ਼ੁੱਧਤਾ: ±0.05mm ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ ਅਨੁਕੂਲਤਾ ਦਾ ਸਮਰਥਨ ਕਰਦਾ ਹੈ, 4-ਇੰਚ ਤੋਂ 12-ਇੰਚ ਵੇਫਰਾਂ ਦੇ ਅਨੁਕੂਲ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਉਪਕਰਣ ਇੰਟਰਫੇਸਾਂ ਦੀਆਂ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਦਾ ਹੈ।

4. ਲੰਬੇ ਸਮੇਂ ਤੱਕ ਚੱਲਣ ਵਾਲਾ ਅਤੇ ਟਿਕਾਊ, ਕੁੱਲ ਲਾਗਤਾਂ ਨੂੰ ਘਟਾਉਂਦਾ ਹੈ
ਬੰਧਨ ਦੀ ਤਾਕਤ: ਕੋਟਿੰਗ ਅਤੇ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਬਸਟਰੇਟ ਵਿਚਕਾਰ ਬੰਧਨ ਦੀ ਤਾਕਤ ≥5 MPa ਹੈ, ਜੋ ਕਟੌਤੀ ਅਤੇ ਘਿਸਾਅ ਪ੍ਰਤੀ ਰੋਧਕ ਹੈ, ਅਤੇ ਸੇਵਾ ਜੀਵਨ 3 ਗੁਣਾ ਤੋਂ ਵੱਧ ਵਧਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

ਮਸ਼ੀਨ ਅਨੁਕੂਲਤਾ
ਮੁੱਖ ਧਾਰਾ ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਅਤੇ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿਕਾਸ ਉਪਕਰਣਾਂ ਜਿਵੇਂ ਕਿ CVD, MOCVD, ALD, LPE, ਆਦਿ ਲਈ ਢੁਕਵਾਂ, ਜੋ SiC ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿਕਾਸ (PVT ਵਿਧੀ), GaN ਐਪੀਟੈਕਸੀ, AlN ਸਬਸਟਰੇਟ ਤਿਆਰੀ ਅਤੇ ਹੋਰ ਦ੍ਰਿਸ਼ਾਂ ਨੂੰ ਕਵਰ ਕਰਦੇ ਹਨ।
ਅਸੀਂ ਕਈ ਤਰ੍ਹਾਂ ਦੇ ਸਸੈਪਟਰ ਆਕਾਰ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੇ ਹਾਂ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਫਲੈਟ, ਕੰਕੇਵ, ਕਨਵੈਕਸ, ਆਦਿ। ਮੋਟਾਈ (5-50mm) ਅਤੇ ਪੋਜੀਸ਼ਨਿੰਗ ਹੋਲ ਲੇਆਉਟ ਨੂੰ ਕੈਵਿਟੀ ਬਣਤਰ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ ਐਡਜਸਟ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਤਾਂ ਜੋ ਉਪਕਰਣ ਨਾਲ ਸਹਿਜ ਅਨੁਕੂਲਤਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕੇ।

ਮੁੱਖ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ:
SiC ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਾਧਾ: PVT ਵਿਧੀ ਵਿੱਚ, ਕੋਟਿੰਗ ਥਰਮਲ ਫੀਲਡ ਵੰਡ ਨੂੰ ਅਨੁਕੂਲ ਬਣਾ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਕਿਨਾਰੇ ਦੇ ਨੁਕਸ ਘਟਾ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਵਿਕਾਸ ਖੇਤਰ ਨੂੰ 95% ਤੋਂ ਵੱਧ ਤੱਕ ਵਧਾ ਸਕਦੀ ਹੈ।
GaN ਐਪੀਟੈਕਸੀ: MOCVD ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ, ਸਸੈਪਟਰ ਥਰਮਲ ਇਕਸਾਰਤਾ ਗਲਤੀ <1% ਹੈ, ਅਤੇ ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਪਰਤ ਮੋਟਾਈ ਦੀ ਇਕਸਾਰਤਾ ±2% ਤੱਕ ਪਹੁੰਚ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।
AlN ਸਬਸਟਰੇਟ ਤਿਆਰੀ: ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ (>2000°C) ਐਮੀਨੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਵਿੱਚ, TaC ਕੋਟਿੰਗ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਬਸਟਰੇਟ ਨੂੰ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਅਲੱਗ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਕਾਰਬਨ ਗੰਦਗੀ ਤੋਂ ਬਚ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ AlN ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੀ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ।